一种终端超宽带MIMO天线及多MIMO天线系统的制作方法

文档序号:33777529发布日期:2023-04-18 23:32阅读:22来源:国知局
一种终端超宽带MIMO天线及多MIMO天线系统的制作方法

本发明涉及无线通信领域,特别涉及一种终端超宽带mimo天线。


背景技术:

1、耦合:当自由空间中有两个以上辐射单元排列时,某一个辐射单元除受自身电流所产生的电磁作用,也会受到其它辐射单元的电流所产生的电磁作用的影响,尤其当辐射单元彼此靠近时,它们之间将会产生复杂的相互作用,这种相互作用被称为互耦。

2、mimo天线:mimo天线表示多输入多输出。通常用于ieee 802.11n,但也可以用于其他802.11技术。mimo技术大致可以分为两类:发射/接收分集和空间复用。mimo天线有时被称作空间多样,因为它使用多空间通道传送和接收数据,利用mimo技术可以提高信道的容量。

3、随着无线通信行业的快速发展,特别是5g多频段的普及,仅5g多频段的支持可能就需要几颗天线,此时,移动终端有限的内部空间里需要集成更多的天线,因此,终端天线厂商需要对天线的结构进行改良,减少天线对空间的占用率。现有的技术方案都是通过同侧介质板进行天线设计,由于尺寸所限,天线带宽受限。难以实现宽带宽辐射。其中如果覆盖要覆盖n77、n78、n79三个频段,则反射系数带宽至少覆盖3.2-5.0ghz,传统终端天线的带宽类型难以达到如此宽的带宽设计。

4、除此之外,现有5g sub-6ghz频段很少覆盖wlan-5ghz。不仅如此,现有天线往往使用枝节辐射,难以利用实际终端的金属边框实现天线设计。

5、有鉴于此,急需设计出一种新型走线系统,以解决目前天线尺寸与带宽的需求。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种终端超宽带mimo天线,解决sub-6ghz天线往往无法同时实现较好的带宽与辐射效率的问题。

2、为解决上述问题,本发明提供一种终端超宽带mimo天线,包括地板、侧板、辐射单元、馈电单元以及接地单元;所述侧板设置于所述地板的侧边;所述辐射单元与所述馈电单元电性相连;所述辐射单元与所述接地单元电性相连;所述地板的背面覆有铜箔;所述辐射单元包括矩形的第一辐射结构、呈倒“l”形的第二辐射结构以及第三辐射结构;所述第一辐射结构位于所述侧板上;所述第二辐射结构位于所述地板的上层;在所述铜箔上设置缝隙结构以形成所述第三辐射结构。

3、可选的,在所述的一种终端超宽带mimo天线中,所述侧板与所述地板相互垂直。

4、可选的,在所述的一种终端超宽带mimo天线中,所述地板还包括镂空结构,所述接地单元位于所述地板的上层并通过所述镂空结构与所述地板背面的所述铜箔相连。

5、可选的,在所述的一种终端超宽带mimo天线中,所述接地单元还包括接地带条以及接地点,所述接地点位于所述镂空结构的中心位置并与所述接地点电性相连。

6、可选的,在所述的一种终端超宽带mimo天线中,所述馈电单元还包括第一馈电带条、呈倒“l”形的第二馈电带条以及馈电点;所述第一馈电带条位于所述侧板上并同时与所述第一辐射结构电性以及所述第二馈电带条电性相连;所述第二馈电带条与所述馈电点电性相连。

7、可选的,在所述的一种终端超宽带mimo天线中,呈倒“l”形的所述第二馈电带条包括相互垂直的长边和短边,呈倒“l”形的所述第二馈电带条的长边垂直于所述侧板。

8、可选的,在所述的一种终端超宽带mimo天线中,呈倒“l”形的所述第二辐射结构包括相互垂直的长边和短边,呈倒“l”形的所述第二辐射结构的长边与所述侧板相互平行,并与所述第二馈电带条的长边电性相连。

9、可选的,在所述的一种终端超宽带mimo天线中,所述第三辐射结构为倒“l”形缝隙结构,所述倒“l”形缝隙结构包括相互垂直的长边和短边,所述倒“l”形缝隙结构的长边与所述侧板相互平行。

10、可选的,在所述的一种终端超宽带mimo天线中,所述倒“l”形缝隙结构的长边与所述呈倒“l”形的第二辐射结构的长边有重叠的结构。

11、可选的,在所述的一种终端超宽带mimo天线中,所述地板与所述侧板的介质板的介电常数与厚度相同。

12、可选的,在所述的一种终端超宽带mimo天线中,所述第一辐射结构的长度为9±0.9mm,宽度为7.4±0.74mm。

13、可选的,在所述的一种终端超宽带mimo天线中,所述第二辐射结构的长边的长度为13.4±1.34mm,宽度为0.4±0.04mm,所述第二辐射结构的短边的长度为1.9±0.19mm,宽度为0.7±0.07mm。

14、可选的,在所述的一种终端超宽带mimo天线中,所述第三辐射结构的长边的长度为8±8mm,宽度为1±0.1mm,所述第三辐射结构的短边的长度为1±0.1mm,宽度为1±0.1mm。

15、本发明还提供一种多mimo天线系统,所述多mimo天线系统包含有至少2个所述的一种终端超宽带mimo天线。

16、本发明的有益效果是:

17、提供一种包括地板、侧板、辐射单元、馈电单元以及接地单元的终端超宽带mimo天线系统;所述侧板设置于所述地板的旁侧;所述辐射单元与所述馈电单元电性相连;所述辐射单元与所述接地单元电性相连;所述地板的背面覆有铜箔;所述辐射单元包括矩形的第一辐射结构、呈倒“l”形的第二辐射结构以及第三辐射结构;所述第一辐射结构位于侧板上;所述第二辐射结构位于所述地板的上层;所述第三辐射结构为设置于所述地板背面的缝隙天线结构;其中,第一辐射结构为感性天线,第三辐射结构为缝隙天线,呈容性,可以形成中和(布克原理),从而实现更宽的带宽;进一步的,第二辐射结构和第三辐射结构位于地板的两面,可以节省终端内部空间;此外,可以设置多个mimo天线形成终端多mimo天线系统,可以进一步增加终端天线系统的带宽,提高使用体验。



技术特征:

1.一种终端超宽带mimo天线,其特征在于,包括地板、侧板、辐射单元、馈电单元以及接地单元;所述侧板设置于所述地板的侧边;所述辐射单元与所述馈电单元电性相连;所述辐射单元与所述接地单元电性相连;所述地板的背面覆有铜箔;所述辐射单元包括矩形的第一辐射结构、呈倒“l”形的第二辐射结构以及第三辐射结构;所述第一辐射结构位于所述侧板上;所述第二辐射结构位于所述地板的上层;所述铜箔上设置缝隙结构以形成所述第三辐射结构。

2.根据权利要求1所述的一种终端超宽带mimo天线,其特征在于,所述侧板与所述地板相互垂直。

3.根据权利要求1所述的一种终端超宽带mimo天线,其特征在于,所述地板还包括镂空结构,所述接地单元位于所述地板的上层并通过所述镂空结构与所述地板背面的所述铜箔相连。

4.根据权利要求3所述的一种终端超宽带mimo天线,其特征在于,所述接地单元还包括接地带条以及接地点,所述接地点位于所述镂空结构的中心位置并与所述接地点电性相连。

5.根据权利要求1所述的一种终端超宽带mimo天线,其特征在于,所述馈电单元还包括第一馈电带条、呈倒“l”形的第二馈电带条以及馈电点;所述第一馈电带条位于所述侧板上并同时与所述第一辐射结构电性以及所述第二馈电带条电性相连;所述第二馈电带条与所述馈电点电性相连。

6.根据权利要求1所述的一种终端超宽带mimo天线,其特征在于,呈倒“l”形的所述第二馈电带条包括相互垂直的长边和短边,呈倒“l”形的所述第二馈电带条的长边垂直于所述侧板。

7.根据权利要求6所述的一种终端超宽带mimo天线,其特征在于,呈倒“l”形的所述第二辐射结构包括相互垂直的长边和短边,呈倒“l”形的所述第二辐射结构的长边与所述侧板相互平行,并与所述第二馈电带条的长边电性相连。

8.根据权利要求7所述的一种终端超宽带mimo天线,其特征在于,所述第三辐射结构为倒“l”形缝隙结构,所述倒“l”形缝隙结构包括相互垂直的长边和短边,所述倒“l”形缝隙结构的长边与所述侧板相互平行。

9.根据权利要求8所述的一种终端超宽带mimo天线,其特征在于,所述倒“l”形缝隙结构的长边与所述呈倒“l”形的第二辐射结构的长边有重叠的结构。

10.根据权利要求1所述的一种终端超宽带mimo天线,其特征在于,所述地板与所述侧板的介质板的介电常数与厚度相同。

11.根据权利要求1所述的一种终端超宽带mimo天线,其特征在于,所述第一辐射结构的长度为9±0.9mm,宽度为7.4±0.74mm。

12.根据权利要求7所述的一种终端超宽带mimo天线,其特征在于,所述第二辐射结构的长边的长度为13.4±1.34mm,宽度为0.4±0.04mm,所述第二辐射结构的短边的长度为1.9±0.19mm,宽度为0.7±0.07mm。

13.根据权利要求8所述的一种终端超宽带mimo天线,其特征在于,所述第三辐射结构的长边的长度为8±8mm,宽度为1±0.1mm,所述第三辐射结构的短边的长度为1±0.1mm,宽度为1±0.1mm。

14.一种多mimo天线系统,其特征在于,所述多mimo天线系统包含有至少2个如权利要求1~10所述的一种终端超宽带mimo天线。


技术总结
本发明提供一种终端超宽带MIMO天线及多MIMO天线系统,包括地板、侧板、辐射单元、馈电单元以及接地单元;所述侧板设置于所述地板的侧边;所述地板的背面覆有铜箔;所述辐射单元包括矩形的第一辐射结构、呈倒“L”形的第二辐射结构以及第三辐射结构;所述第一辐射结构位于所述侧板上;所述第二辐射结构位于所述地板的上层;在所述铜箔上设置缝隙结构以形成所述第三辐射结构;其中,第一辐射结构为感性天线,第三辐射结构为缝隙天线,呈容性,形成中和,从而实现更宽的带宽;此外,第二辐射结构和第三辐射结构位于地板的两面,可以节省终端内部空间;进一步的,可以设置多个MIMO天线形成终端多MIMO天线系统。

技术研发人员:田新城,陈波,杨兆良
受保护的技术使用者:芯睿微电子(昆山)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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