半导体装置的制作方法

本公开涉及一种利用功率半导体元件得到的半导体装置。

背景技术：

1、以往，提出一种例如利用igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极晶体管)等功率半导体元件得到的半导体装置。例如，在专利文献1中公开有具备安装有开关元件的第一基板和安装有电容元件的第二基板的电力变换装置。开关元件与电容元件通过跨越第一基板和第二基板的专用的布线电连接。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2017-208987号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、在专利文献1的结构中，需要将与设置于第一基板的元素或者设置于第二基板的元素分开构成的线状的布线接合于第一基板和第二基板这双方。因而，难以使装置的制造工序简化。考虑以上情况，本公开的一个方式的目的在于使半导体装置的制造工序简化。

3、用于解决问题的方案

4、为了解决上述课题，本公开所涉及的半导体装置具备：第一连接端子及第二连接端子；驱动电路，其包括一个以上的功率半导体元件；控制电路，其控制所述一个以上的功率半导体元件；布线基板；无源元件，其安装于所述布线基板；以及第一汇流条及第二汇流条，其中，所述第一汇流条包括：第一主体部，其构成将所述第一连接端子与所述驱动电路电连接的路径；以及第一突起部，其相对于所述第一主体部向所述布线基板突出，所述第二汇流条包括：第二主体部，其构成将所述第二连接端子与所述驱动电路电连接的路径；以及第二突起部，其相对于所述第二主体部向所述布线基板突出，所述无源元件与所述第一突起部及所述第二突起部电连接。

技术特征：

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

13.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

14.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

技术总结
本公开涉及一种半导体装置。半导体装置具备：第一连接端子及第二连接端子；驱动电路，其包括一个以上的功率半导体元件；控制电路，其控制所述一个以上的功率半导体元件；布线基板；无源元件，其设置于所述布线基板；以及第一汇流条及第二汇流条。所述第一汇流条包括：第一主体部，其构成将所述第一连接端子与所述驱动电路电连接的路径；以及第一突起部，其相对于所述第一主体部向所述布线基板突出。所述第二汇流条包括：第二主体部，其构成将所述第二连接端子与所述驱动电路电连接的路径；以及第二突起部，其相对于所述第二主体部向所述布线基板突出。所述无源元件与所述第一突起部及所述第二突起部电连接。

技术研发人员：佐藤宪一郎
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12