太阳能电池的制作方法

本发明属于光伏，具体涉及一种太阳能电池。

背景技术：

1、在一些形式的硅基太阳能电池中，可设置富氢层以提高转换效率。在制程(如退火工艺、烧结工艺等)中，以及在外界温度场及环境场的共同作用下，富氢层中的氢可重新分布，扩散至太阳能电池的硅基底以对其缺陷进行钝化。

2、但在一些相关技术中，富氢层中的氢可能大量向外溢出，导致其钝化效果大大降低。

技术实现思路

1、本发明至少部分解决现有太阳能电池中富氢层的氢可能外溢而降低钝化效果的问题，提供一种可改善钝化效果并进一步提高转换效率的太阳能电池。

2、第一方面，本发明实施例提供一种太阳能电池，包括具有相对的第一侧和第二侧的硅基底，在所述第一侧沿远离所述硅基底的方向依次设有第一介电层、介电的氢阻挡层、第二介电层；其中，

3、所述氢阻挡层的介电系数大于所述第一介电层和第二介电层的介电系数；

4、所述第一介电层包括富氢子层，所述富氢子层的含氢量大于所述氢阻挡层和第二介电层的含氢量。

5、可选的，所述氢阻挡层的材料包括氧化铝、氮化铝、氧化镓中的至少一种。

6、可选的，所述氢阻挡层的厚度在1nm至10nm之间。

7、可选的，所述氢阻挡层的介电系数在8f/m至11f/m之间。

8、可选的，所述第一介电层包括第一减反射钝化子层；

9、所述第二介电层包括第二减反射钝化子层；

10、所述第一减反射钝化子层的折射率大于所述第二减反射钝化子层的折射率。

11、可选的，所述第一减反射钝化子层为所述富氢子层。

12、可选的，所述第一减反射钝化子层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅中的至少一种；

13、所述第二减反射钝化子层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅中的至少一种。

14、可选的，所述第一减反射钝化子层的厚度在1nm至150nm之间；

15、所述第二减反射钝化子层的厚度在1nm至200nm之间。

16、可选的，所述第一介电层还包括：

17、位于所述第一减反射钝化子层与所述硅基底之间的场钝化子层。

18、可选的，所述场钝化子层的材料包括氧化铝。

19、可选的，所述场钝化子层的厚度在1nm至150nm之间。

20、可选的，所述第一介电层还包括：

21、位于所述场钝化子层与所述硅基底之间，且与所述硅基底接触的悬挂键钝化子层。

22、可选的，所述悬挂键钝化子层的材料包括氧化硅。

23、可选的，所述悬挂键钝化子层的厚度在0.1nm至3nm之间。

24、可选的，所述硅基底为p型的硅基底；

25、所述第一侧为所述硅基底的背侧，所述第二侧为所述硅基底的正侧。

26、本发明的太阳能电池中，在富氢子层外侧有氢阻挡层，而氢阻挡层的介电系数最高，故其可阻止氢通过；由此，富氢子层中的氢的向外溢出大幅削减，主要在氢阻挡层内侧(靠近硅基底一侧)重新分布，可大量扩散至硅基底，起到更好的钝化效果，提升太阳能电池的转换效率。

技术特征：

1.一种太阳能电池，包括具有相对的第一侧和第二侧的硅基底，其特征在于，在所述第一侧沿远离所述硅基底的方向依次设有第一介电层、介电的氢阻挡层、第二介电层；其中，

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，

8.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，

9.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一介电层还包括：

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，

11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，

12.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一介电层还包括：

13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，

14.根据权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，

15.根据权利要求1至14中任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种太阳能电池，属于光伏技术领域，其可至少部分解决现有太阳能电池中富氢层的氢可能外溢而降低钝化效果的问题。本发明的太阳能电池包括具有相对的第一侧和第二侧的硅基底，在所述第一侧沿远离所述硅基底的方向依次设有第一介电层、介电的氢阻挡层、第二介电层；其中，所述氢阻挡层的介电系数大于所述第一介电层和第二介电层的介电系数；所述第一介电层包括富氢子层，所述富氢子层的含氢量大于所述氢阻挡层和第二介电层的含氢量。

技术研发人员：王尧,陈达明,张学玲,夏锐,刘绍阳
受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11