封装基板、封装方法、图像传感器、摄像头模组和摄像头与流程

本申请涉及摄像，尤其涉及一种封装基板、封装方法、图像传感器、摄像头模组和摄像头。

背景技术：

1、随着科技的发展，现代社会应用摄像头的场景越来越多。诸如，手机摄像头、自动驾驶摄像头、工业控制摄像头和安防摄像头等。据统计，摄像头全球出货量在2020年达到70亿颗，营收达到207亿美元。

2、摄像头模组，camera compact module，简写为ccm，是影像捕捉的重要元器件，是摄像头最重要的部分。cis(cmos image sensor)是一种互补金属氧化物半导体图像传感器(以下简称图像传感器)，它将光信号转换为电信号,并通过读出电路转为数字化信号，是摄像头模组的核心元器件。

3、相关技术中，cis的封装基板包括封装基底，封装基底对cis的成品质量具有较大影响。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的目的在于提出一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的封装基板、封装方法、图像传感器、摄像头模组和摄像头。

2、基于上述目的，本申请第一方面提供了封装基板，包括承载层、重布线层和阻焊掩膜面；所述承载层的第一侧设置所述重布线层，远离所述第一侧的第二侧用于连接功能层；所述阻焊掩膜面设置于所述重布线层远离所述承载层的一侧；所述承载层设有贯通所述第一侧和所述第二侧的通孔，所述通孔位于所述第一侧的开口用于使元器件至少部分进入所述通孔，所述通孔位于所述第二侧的开口连通所述功能层。

3、可选的，所述元器件为包括光学层的图像传感器芯片，所述承载层的厚度大于一倍所述光学层的厚度，且小于两倍所述光学层的厚度。

4、可选的，所述承载层的厚度小于等于1.1倍所述光学层的厚度。

5、可选的，所述承载层为柔性层。

6、可选的，靠近所述通孔的所述重布线层的侧壁与相邻的所述通孔孔壁之间的距离大于等于所述承载层的厚度。

7、可选的，所述阻焊掩膜面还设有贯通至所述重布线层的锡球孔，所述锡球孔内的重布线层设置有用于与所述元器件连接的连接结构。

8、可选的，所述封装基板还包括阻焊掩膜层，所述阻焊掩膜层围绕所述通孔设置，且位于所述重布线层远离所述承载层的一侧或设置于所述承载层的所述第一侧。

9、基于同一发明构思，本申请第二方面提供了封装方法，包括：

10、形成所述承载层；

11、将所述承载层贴附于获得的封装基底；

12、在所述承载层远离所述封装基底的一侧形成所述重布线层；

13、将获得的元器件与所述重布线层连接；

14、剥离所述封装基底，以形成包括如第一方面所述的封装基板的封装结构。

15、可选的，所述在所述承载层远离所述封装基底的一侧形成重布线层，和所述将获得的元器件与所述重布线层连接之间，还包括：

16、在所述重布线层远离所述封装基底的一侧形成阻焊掩膜面。

17、可选的，所述在所述承载层远离所述封装基底的一侧形成重布线层，和所述将获得的元器件与所述重布线层连接之间，还包括：

18、通过第一掩膜版在所述承载层远离所述封装基底的一侧形成阻焊掩膜层；

19、通过第二掩膜版在所述重布线层远离所述封装基底的一侧形成阻焊掩膜面。

20、可选的，所述在所述承载层远离所述封装基底的一侧形成重布线层，和所述将获得的元器件与所述重布线层连接之间，还包括：

21、通过半透过率掩膜版在所述承载层远离所述封装基底的一侧形成阻焊掩膜层，在所述重布线层远离所述封装基底的一侧形成阻焊掩膜面。

22、可选的，所述半透过率掩膜版包括具有光透过率差异的第一透光图形和第二透光图形，以形成具有厚度差异的所述阻焊掩膜面和所述阻焊掩膜层。

23、可选的，所述通过半透过率掩膜版在所述承载层远离所述封装基底的一侧形成阻焊掩膜层，在所述重布线层远离所述封装基底的一侧形成阻焊掩膜面，包括：

24、在所述承载层远离所述封装基底的一侧形成负性树脂层；

25、将所述半透过率掩膜版与所述负性树脂层进行定位；

26、采用曝光工艺在所述负性树脂层上形成与所述第一透光图形对应的第一待成形图案，以及与所述第二透光图形对应的第二待成形图案；形成所述第一待成形图案的曝光量和形成所述第二待成形图案的曝光量具有差异；

27、采用显影工艺将除所述第一待成形图案和所述第二待成形图案之外的所述负性树脂层去除，以使所述第一待成形图案形成所述阻焊掩膜面，所述第二待成形图案形成所述阻焊掩膜层。

28、可选的，所述曝光量与所述负性树脂层受光成形的厚度关系为：

29、h＝0.1034d+1.66d∈(20，200)

30、式中，h为负性树脂层受光成形的厚度，单位为微米；d为曝光量，单位为毫焦耳；0.1034为斜率，1.66为截距。

31、可选的，所述元器件为图像传感器芯片，所述将获得的元器件与所述重布线层连接，包括：

32、采用超声焊接工艺形成与所述重布线层的电极连接的凸起结构；

33、通过所述凸起结构，采用倒装焊接工艺将所述图像传感器芯片的芯片电极和所述重布线层的电极连接。

34、基于同一发明构思，本申请第三方面提供了图像传感器，包括如第一方面所述的封装基板或应用如第二方面所述的封装方法形成。

35、基于同一发明构思，本申请第四方面提供了摄像头模组，包括如第三方面所述的图像传感器。

36、基于同一发明构思，本申请第五方面提供了摄像头，包括如第三方面所述的图像传感器或如第四方面所述的摄像头模组。

37、从上面所述可以看出，本申请提供的封装基板、封装方法、图像传感器、摄像头模组和摄像头，承载层设有通孔，该通孔位于承载层第二侧的开口未被封装基底封堵，当光从承载层的第二侧进入通孔时，不会由于封装基底的光透过率而产生透过率损失，使得本申请的封装基板在光学效率上具有较大提升。同时，由于功能层在元器件之后安装，在元器件与本申请的封装基板连接后，通孔位于第二侧的开口仍具有与外界连通阶段，即使异物或灰尘等颗粒进入通孔中也能够在该阶段内从该侧开口离开，不会留存于通孔内，能够有效避免异物或灰尘等颗粒留存在通孔内尤其是留存在感光区内，而对元器件的光学性能造成不良影响。此外，在相关技术的封装基板中，封装基底的厚度占封装基板整体厚度的比重较大。本申请将封装基底从封装基板中剔除，能够使封装基板的整体厚度具有较大程度的缩减，使产品更具竞争力。

技术特征：

1.一种封装基板，其特征在于，包括承载层、重布线层和阻焊掩膜面；所述承载层的第一侧设置所述重布线层，远离所述第一侧的第二侧用于连接功能层；所述阻焊掩膜面设置于所述重布线层远离所述承载层的一侧；

2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述元器件为包括光学层的图像传感器芯片，所述承载层的厚度大于一倍所述光学层的厚度，且小于两倍所述光学层的厚度。

3.根据权利要求2所述的封装基板，其特征在于，所述承载层的厚度小于等于1.1倍所述光学层的厚度。

4.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述承载层为柔性层。

5.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，靠近所述通孔的所述重布线层的侧壁与相邻的所述通孔孔壁之间的距离大于等于所述承载层的厚度。

6.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述阻焊掩膜面还设有贯通至所述重布线层的锡球孔，所述锡球孔内的重布线层设置有用于与所述元器件连接的连接结构。

7.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述封装基板还包括阻焊掩膜层，所述阻焊掩膜层围绕所述通孔设置，且位于所述重布线层远离所述承载层的一侧或设置于所述承载层的所述第一侧。

8.一种封装方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述在所述承载层远离所述封装基底的一侧形成重布线层，和所述将获得的元器件与所述重布线层连接之间，还包括：

10.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述在所述承载层远离所述封装基底的一侧形成重布线层，和所述将获得的元器件与所述重布线层连接之间，还包括：

11.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述在所述承载层远离所述封装基底的一侧形成重布线层，和所述将获得的元器件与所述重布线层连接之间，还包括：

12.根据权利要求11所述的封装方法，其特征在于，所述半透过率掩膜版包括具有光透过率差异的第一透光图形和第二透光图形，以形成具有厚度差异的所述阻焊掩膜面和所述阻焊掩膜层。

13.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于，所述通过半透过率掩膜版在所述承载层远离所述封装基底的一侧形成阻焊掩膜层，在所述重布线层远离所述封装基底的一侧形成阻焊掩膜面，包括：

14.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于，所述曝光量与所述负性树脂层受光成形的厚度关系为：

15.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述元器件为图像传感器芯片，所述将获得的元器件与所述重布线层连接，包括：

16.一种图像传感器，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的封装基板或应用如权利要求8-15任一项所述的封装方法形成。

17.一种摄像头模组，其特征在于，包括如权利要求16所述的图像传感器。

18.一种摄像头，其特征在于，包括如权利要求16所述的图像传感器或如权利要求17所述的摄像头模组。

技术总结
本申请提供一种封装基板、封装方法、图像传感器、摄像头模组和摄像头，封装基板包括承载层、重布线层和阻焊掩膜面；承载层的第一侧设置重布线层，远离第一侧的第二侧用于连接功能层；阻焊掩膜面设置于重布线层远离承载层的一侧；承载层设有贯通第一侧和第二侧的通孔，通孔位于第一侧的开口用于使元器件至少部分进入通孔，通孔位于第二侧的开口连通功能层。本申请提供的封装基板、封装方法、图像传感器、摄像头模组和摄像头，承载层具有一侧开口未被封堵的通孔，当光穿过该侧开口进入通孔时，不会由于封装基底的光透过率而形成透过率损失，使得本申请的封装基板在光学效率上具有较大提升。能避免进入通孔的异物对元器件的光学性能造成不良影响。

技术研发人员：覃一锋,孙亮
受保护的技术使用者：北京京东方光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/29