太阳能电池及其制备方法与流程

本发明属于太阳能电池，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法。

背景技术：

1、背接触异质结(hbc，heterojunction back contact)太阳能电池中，硅基底背侧(背离入光侧的一侧)设有本征非晶硅(a-si)层，而基极和发射极均设于本征非晶硅层远离硅基底一侧，而本征非晶硅层表面中对应不同电极处分别进行不同极性的掺杂。

技术实现思路

1、本发明提供一种新结构的太阳能电池及其制备方法。

2、第一方面，本发明实施例提供一种太阳能电池，其包括：

3、具有第一极性或第二极性的硅基底，所述硅基底包括相对的第一侧和第二侧；所述第一极性用于传输电子和空穴中的一者，所述第二极性用于传输电子和空穴中的另一者；

4、设于所述硅基底第一侧的第一钝化结构，所述第一钝化结构中最远离硅基底的部分具有第一极性；所述第一钝化结构所在位置为第一电极区；

5、设于所述第一钝化结构远离硅基底一侧且至少位于第二电极区的第二钝化结构，所述第二钝化结构中最远离硅基底的部分具有第二极性；所述第二钝化结构的工艺温度低于所述第一钝化结构的工艺温度；

6、设于所述第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第一电极区的第一电极，设于所述第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第二电极区的第二电极。

7、可选的，所述硅基底具有第一极性；

8、所述第二钝化结构完整覆盖硅基底的第二侧。

9、可选的，所述第一钝化结构包括：

10、隧穿钝化子层；

11、设于所述隧穿钝化子层远离硅基底一侧的第一钝化子层，所述第一钝化子层具有第一极性。

12、可选的，所述隧穿钝化子层的材料包括氧化硅、氧化铝、氮氧化硅、碳化硅中的至少一种；

13、所述第一钝化子层的材料包括掺杂的多晶硅、掺杂的碳化硅中的至少一种。

14、可选的，所述隧穿钝化子层的厚度在1nm至3nm；

15、所述第一钝化子层的厚度在10nm至200nm。

16、可选的，所述第二钝化结构包括：

17、介质钝化子层；

18、设于所述介质钝化子层远离硅基底一侧的第二钝化子层，所述第二钝化子层具有第二极性。

19、可选的，所述介质钝化子层的材料包括多晶硅、非晶硅、氧化硅中的至少一种；

20、所述第二钝化子层的材料包括掺杂的多晶硅、掺杂的非晶硅、掺杂的碳化硅中的至少一种。

21、可选的，所述介质钝化子层的厚度在1nm至15nm；

22、所述第二钝化子层的厚度在1nm至20nm。

23、可选的，所述第二钝化结构为电子传输层或空穴传输层。

24、可选的，所述第二钝化结构的厚度在20nm至200nm。

25、可选的，所述第一电极为基极；

26、所述第二电极为发射极。

27、可选的，所述第一电极区包括多个间隔的条状区，所述第二电极区包括多个间隔的条状区，所述第一电极区的条状区和第二电极区的条状区交替分布。

28、可选的，可选的，所述第一钝化结构的工艺温度在300℃至650℃；

29、所述第二钝化结构的工艺温度在150℃至200℃。

30、第二方面，本发明实施例提供一种太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池为本发明实施例的任意一种太阳能电池，所述制备方法包括：

31、通过构图工艺，在所述硅基底第一侧的第一电极区中形成第一钝化结构；

32、在所述硅基底的第一侧，至少在所述第二电极区中形成第二钝化结构；

33、通过构图工艺，在所述硅基底的第一侧的第一电极区中形成第一电极，在第二电极区中形成第二电极。

34、可选的，所述太阳能电池中的第二钝化结构完整覆盖硅基底的第二侧；

35、所述在所述硅基底的第一侧，至少在所述第二电极区中形成第二钝化结构包括：在所述硅基底的第一侧，沉积完整覆盖的第二钝化结构。

36、可见，本发明实施例中，两种电极均设于硅基底背侧，且两种电极对应的硅基底处分别设有不同极性的钝化层(第一钝化结构和第二钝化结构)，故其提供了一种新形式的“杂化”的hbc太阳能电池。

技术特征：

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化结构包括：

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化结构包括：

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，

9.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，

11.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，

12.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，

13.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，

14.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述太阳能电池为权利要求1至13中任意一项的太阳能电池，所述制备方法包括：

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述硅基底具有第一极性；所述第二钝化结构完整覆盖硅基底的第二侧；

技术总结
本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的太阳能电池包括具有第一极性或第二极性的硅基底，硅基底包括相对的第一侧和第二侧；设于硅基底第一侧的第一钝化结构，第一钝化结构中最远离硅基底的部分具有第一极性；第一钝化结构所在位置为第一电极区；设于第一钝化结构远离硅基底一侧且至少位于第二电极区的第二钝化结构，第二钝化结构中最远离硅基底的部分具有第二极性；第二钝化结构的工艺温度低于第一钝化结构的工艺温度；设于第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第一电极区的第一电极，设于第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第二电极区的第二电极。

技术研发人员：李宏伟,杨广涛,张学玲,陈达明,陈奕峰
受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11