发光二极管的制作方法

本发明涉及一种发光二极管制造，特别是涉及一种发光二极管。

背景技术：

1、发光二极管(英文light emitting diode，简称led)包含有不同的发光材料及发光部件，是一种固态半导体发光二极管。它因成本低、功耗低、光效高、体积小、节能环保、具有良好的光电特性等优点而被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等各种场景。

技术实现思路

1、为达本发明中的至少一个优点或其他优点，本发明的一实施例提出一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；第三绝缘层，位于所述半导体叠层之上；所述第三绝缘层具有第四开口部和第五开口部；第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极形成于所述第四开口部内与所述第一半导体层电连接，所述第二焊盘电极形成于所述第五开口部内与所述第二半导体层电连接，所述第一焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第二焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第一焊盘电极的下边缘与所述第四开口部之间具有第一最大水平距离，所述第二焊盘电极的下边缘与所述第五开口部之间具有第二最大水平距离，所述第一最大水平距离小于2μm，所述第二最大水平距离小于2μm。

2、本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变 得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他有益效果可通过在说明书、 权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

技术特征：

1.一种发光二极管，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为氧化硅，所述第四绝缘层为氧化铝。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，所述第四绝缘层的厚度为20~150nm，所述第二绝缘层大于所述第四绝缘层的厚度。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极与所述第一半导体层电连接，所述第二焊盘电极与所述第二半导体层电连接，所述发光二极管具有四个角落，相对靠近所述第一焊盘电极的角落为第一角落和第四角落，相对远离所述第一焊盘电极的角落为第二角落和第三角落。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，所述第六开口部在半导体叠层生长方向的投影位于所述发光二极管的角落上，位于所述第一角落或者所述第四角落上的第六开口部露出的第一半导体层的面积小于位于所述第二角落或者第三角落上的第六开口部露出的第一半导体层的面积。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，所述第一台面包括第一平台和第二平台，所述第一平台内边缘与所述发光二极管的边缘之间的水平距离为第一距离，所述第二平台内边缘与所述发光二极管的边缘之间的水平距离为第二距离，所述第一距离小于第二距离。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，所述第一距离为10~30μm，所述第二距离为20~40μm。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，所述第二平台为l型。

9.根据权利要求6所述的发光二极管，所述第六开口部在半导体叠层生长方向的投影位于所述第二平台内。

10.根据权利要求6所述的发光二极管，所述发光二极管具有四个角落，所述第二平台至少位于所述发光二极管的角落上。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，所述第一段和第二段的长度不同或者相同。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括反射电极层，所述反射电极层形成于所述半导体叠层上，所述第一绝缘层位于所述半导体叠层与所述反射电极层之间，所述第四绝缘层形成于所述反射电极层上，所述第二绝缘层形成于所述第四绝缘层上。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，所述反射电极层的边缘与所述第二半导体层边缘的水平距离小于1~5μm。

14.根据权利要求12所述的发光二极管，还包括透明导电层，所述透明导电层形成于所述半导体叠层上，所述透明导电层位于所述第二半导体层和所述第一绝缘层之间，所述透明导电层在半导体叠层生长方向上的投影位于所述反射电极层在半导体叠层生长方向上的投影内。

15.根据权利要求12所述的发光二极管，还包括第二台面，所述第二台面位于所述半导体叠层的内部，露出所述第一半导体层的第二表面，所述绝缘层包括部分形成于所述第二台面上，所述绝缘层包括第二开口部露出所述第一半导体层的第二表面，位于所述反射电极层上的所述第四绝缘层和所述第二绝缘层具有第三开口部露出所述反射电极层的部分表面。

16.根据权利要求15所述的发光二极管，还包括形成于所述第二绝缘层上的第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极通过所述第二开口部与所述第一半导体层电连接，所述第二连接电极通过所述第三开口部与所述第一半导体层电连接。

17.根据权利要求15所述的发光二极管，所述第六开口部与所述第一半导体层的第一表面之间形成第三夹角，所述第三开口部与所述反射电极层表面之间形成第二夹角，所述第三夹角大于所述第二夹角。

技术总结
本发明公开了一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；第一台面，位于所述半导体叠层的边缘区域裸露出所述第一半导体层的第一表面；绝缘层，包括部分形成于所述第一台面上，所述绝缘层包含依次层叠的第一绝缘层、第四绝缘层以及第二绝缘层，所述第四绝缘层为氧化铝，所述绝缘层包含第六开口部以露出所述第一半导体层第一表面；其中，所述第六开口部在半导体叠层生长方向上的投影位于所述第一台面内，所述第六开口部包括第一段和第二段，所述第一段和所述第二段为连续结构，所述第一段沿所述发光二极管的第一边延伸，所述第二段沿所述发光二极管的第二边延伸。

技术研发人员：朱秀山,李燕,陈吉,荆琪,卢志龙,蔡吉明,凃如钦,张中英
受保护的技术使用者：厦门三安光电有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12