基于纳米带的电容器的制作方法

背景技术：

1、对于过去的几十年而言，集成电路中的特征的缩放已经成为持续增长的半导体工业的推动力。缩放至越来越小的特征允许在半导体芯片的有限面积上实现增大密度的功能单元。例如，缩小晶体管的尺寸允许将更大数量的存储器或逻辑器件结合到芯片上，从而制造出具有增大容量的产品。然而，不断增大的容量的推动并非毫无问题。优化每个器件和每个互连的性能的必要性变得越来越重要。

技术实现思路

技术特征：

1.一种集成电路(ic)器件，包括：

2.根据权利要求1所述的ic器件，其中，所述第一延伸部分和所述第二延伸部分中的至少一个包括半导体材料。

3.根据权利要求1所述的ic器件，其中，所述第一延伸部分和所述第二延伸部分中的至少一个包括导电材料。

4.根据权利要求1所述的ic器件，其中：

5.根据权利要求1所述的ic器件，其中，所述第一互连和所述第二互连中的至少一个是导电过孔。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的ic器件，其中，所述第二延伸部分和所述第一延伸部分在所述纳米带堆叠体的相对端上。

7.根据权利要求1-5中的任一项所述的ic器件，其中：

8.根据权利要求1-5中的任一项所述的ic器件，其中：

9.根据权利要求8所述的ic器件，其中，所述第一互连还电耦接到所述第三延伸部分。

10.根据权利要求8所述的ic器件，还包括电耦接到所述第三延伸部分的第三互连。

11.根据权利要求10所述的ic器件，其中，所述第一互连是双极结型晶体管(bjt)的集电极触点，所述第二互连是所述bjt的发射极触点，并且所述第三互连是所述bjt的基极触点。

12.根据权利要求8所述的ic器件，其中，所述第一延伸部分和所述第三延伸部分在所述纳米带堆叠体的第一侧上，并且所述第二延伸部分在所述纳米带堆叠体的相对的第二侧上。

13.一种集成电路(ic)器件，包括：

14.根据权利要求13所述的ic器件，其中：

15.根据权利要求14所述的ic器件，其中，所述第一互连还电耦接到所述第三纳米带的所述端部。

16.根据权利要求14所述的ic器件，还包括电耦接到所述第三纳米带的所述端部的第三互连。

17.一种集成电路(ic)器件，包括：

18.根据权利要求17所述的ic器件，其中：

19.根据权利要求18所述的ic器件，其中，所述第一导电过孔还电耦接到所述第三纳米带的所述端部。

20.根据权利要求18所述的ic器件，还包括电耦接到所述第三纳米带的所述端部的第三导电过孔。

技术总结
公开了基于纳米带堆叠体的电容器以及相关联的器件和系统。具体而言，至少两个纳米带的堆叠体可以用于提供本文中称为“基于纳米带的电容器”的二端子器件，其中，一个纳米带充当第一电容器电极，另一纳米带充当第二电容器电极。使用纳米带堆叠体的部分来实现基于纳米带的电容器可以提供对于常规电容器实施方式而言有吸引力的替代方案，因为它与制造基于纳米带的FET相比仅需要最适中的工艺改变，并且因为可以将基于纳米带的电容器放置得接近有源器件。此外，利用几个额外工艺步骤，可以有利地将基于纳米带的电容器扩展以实现其他电路块，例如具有两个阳极之间的公共连接和通往阴极的独立连接的基于纳米带的BJT或三纳米带布置。

技术研发人员：M·奥斯特迈尔,G·塞德曼,W·卢茨,J·阿森马赫尔
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13