蚀刻液和显示面板的制作方法与流程

文档序号:38071720发布日期:2024-05-21 20:06阅读:12来源:国知局
本发明涉及一种蚀刻液和显示面板的制作方法,特别是涉及一种用来形成高质量的反射电极的蚀刻液和显示面板的制作方法。
背景技术
::1、在不同类型的显示面板中,反射式显示面板或半穿透半反射式显示面板因利用环境光当作光源来达到显示效果,因此具有低耗电的优点。目前许多电子产品例如手写板、电子书(electronic paper)、平板电脑(tablet pc)、笔记本电脑等应用均有采用反射式或半穿透半反射式显示面板的产品。然而,如何提高反射式或半穿透半反射式显示面板的显示质量,为本发明的目的之一。技术实现思路1、本发明的目的在于提供一种蚀刻液和显示面板的制作方法,其所要解决的技术问题是如何形成高质量的反射电极以及提高显示面板的显示质量。2、为解决上述技术问题,本发明提供了一种显示面板的制作方法,其包括以下步骤。提供一第一基板。形成一导电层堆叠在第一基板上,且导电层堆叠包括一第一子层、一第二子层以及一第三子层。第二子层设置在第一子层上,且第一子层和第二子层各自的材料包括一透明导电材料,且透明导电材料包括含铟氧化物。第三子层设置在第一子层和第二子层之间,且第三子层的材料包括银或银合金。在导电层堆叠上形成一光刻胶图案。对导电层堆叠进行一蚀刻工艺,在蚀刻工艺中使用一蚀刻液蚀刻第一子层、第二子层和第三子层来形成一第一图案化子层、一第二图案化子层和一第三图案化子层,其中蚀刻液包括1至2.6wt%的硝酸、35至45wt%的醋酸、35至45wt%的磷酸和剩余含量的水。3、为解决上述技术问题,本发明还提供了一种蚀刻液,蚀刻液用于对一显示面板的一导电层堆叠进行一蚀刻工艺来形成一图案化导电层堆叠,蚀刻液包括1至2.6wt%的硝酸、35至45wt%的醋酸、35至45wt%的磷酸以及剩余含量的水。导电层堆叠包括一第一子层、一第二子层和一第三子层,第三子层设置在第一子层和第二子层之间,图案化导电层堆叠包括一第一图案化子层、一第二图案化子层和一第三图案化子层,第三图案化子层设置在第一图案化子层和第二图案化子层之间。在蚀刻工艺中使用蚀刻液蚀刻第一子层、第二子层和第三子层来形成第一图案化子层、第二图案化子层和第三图案化子层。第一子层、第二子层、第一图案化子层和第二图案化子层各自的材料包括一透明导电材料,透明导电材料包括含铟氧化物,且第三子层和第三图案化子层各自的材料包括银或银合金。4、在本发明的显示面板的制作方法中,所述蚀刻液可用于蚀刻导电层堆叠来形成反射电极,其中,蚀刻工艺为一次蚀刻,且蚀刻工艺一并蚀刻了第一子层、第二子层以及第三子层以形成图案化导电层堆叠。通过本发明的蚀刻工艺,可有效抑制图案化导电层堆叠中的银或银合金层破损的情形,还能有效抑制图案化导电层堆叠的边缘的银残留的情形,这些都使得反射电极的反射效果提升,进而使得显示面板的显示质量提升。技术特征:1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:2.如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述蚀刻液的温度大于或等于摄氏26度且小于或等于摄氏40度。3.如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板具有一反射区,且所述第一图案化子层、所述第二图案化子层以及所述第三图案化子层位于所述显示面板的所述反射区中。4.如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,还包括在进行完所述蚀刻工艺后移除所述光刻胶图案,且在移除所述光刻胶图案后移除所述第二图案化子层。5.如权利要求4所述的显示面板的制作方法,其特征在于,还包括在移除所述第二图案化子层之后的一特定时间内,在所述第三图案化子层上形成一第一配向层,且所述第一配向层和所述第三图案化子层直接接触。6.如权利要求5所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述特定时间是小于或等于二十一小时。7.如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述含铟氧化物包括氧化铟锡或氧化铟锌。8.如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述蚀刻工艺为一次蚀刻。9.一种蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻液用于对一显示面板的一导电层堆叠进行一蚀刻工艺来形成一图案化导电层堆叠,且所述蚀刻液包括:10.如权利要求9所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻工艺为一次蚀刻。11.如权利要求9所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻液的温度大于或等于摄氏26度且小于或等于摄氏40度。12.如权利要求9所述的蚀刻液,其特征在于,所述含铟氧化物包括氧化铟锡或氧化铟锌。13.如权利要求9所述的蚀刻液,其特征在于,所述显示面板具有一反射区,且所述图案化导电层堆叠位于所述显示面板的所述反射区中。技术总结本发明公开了一种蚀刻液和显示面板的制作方法,其中显示面板的制作方法包括:提供第一基板。形成导电层堆叠设置在第一基板上并包括第一子层、第二子层以及第三子层。第二子层设置在第一子层上,第一子层和第二子层的材料包括透明导电材料,且透明导电材料包括含铟氧化物。第三子层设置在第一子层和第二子层之间,且第三子层的材料包括银或银合金。进行一蚀刻工艺,在蚀刻工艺中使用蚀刻液蚀刻第一子层、第二子层和第三子层来形成第一图案化子层、第二图案化子层和第三图案化子层。蚀刻液包括1至2.6wt%的硝酸、35至45wt%的醋酸、35至45wt%的磷酸和剩余含量的水。技术研发人员:邱丽芳,李晋杰,吴建宏受保护的技术使用者:瀚宇彩晶股份有限公司技术研发日:技术公布日:2024/5/20
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