半导体装置的制作方法

本发明涉及半导体装置。

背景技术：

1、例如，在日本特开2018-107364号公报中记载有半导体装置。日本特开2018-107364号公报所记载的半导体装置具有igbt(insulated gate bipolar transistor)、续流二极管和封装体。

2、igbt及续流二极管被封装体封装。封装体在俯视观察时呈矩形，该矩形由沿第1方向延伸的第1边及第2边、沿与第1方向正交的第2方向延伸的第3边及第4边构成。在封装体形成有第1螺孔及第2螺孔。穿过第1螺孔的第2方向上的中央及第2螺孔的第2方向上的中央的假想直线(第1假想直线)沿第1方向，并且穿过第2方向上的封装体的中央。日本特开2018-107364号公报所记载的半导体装置通过使螺钉穿过第1螺孔及第2螺孔，并且使螺钉螺合于散热装置，从而被安装于散热装置。

3、igbt在俯视观察时配置于第1假想直线附近。另一方面，续流二极管在俯视观察时处于与igbt相比从第1假想直线向第2边侧远离的位置。

4、有时igbt及续流二极管被单芯片化。即，有时替代igbt及续流二极管而使用反向导通igbt(reverse conducting igbt：rc-igbt)。在该情况下，就日本特开2018-107364号公报所记载的半导体装置而言，穿过反向导通igbt的第2方向上的中央并且沿第1方向的假想直线(第2假想直线)与第1假想直线错开，被螺钉紧固于散热装置时的散热性有可能变得不充分。

技术实现思路

1、本发明就是鉴于上述那样的现有技术的问题而提出的。更具体而言，本发明提供能够改善被螺钉紧固于散热装置时的散热性的半导体装置。

2、本发明的半导体装置具有：功率半导体元件；以及模塑树脂，其对功率半导体元件进行封装。模塑树脂在俯视观察时为矩形，该矩形由沿第1方向延伸的第1边及第2边、沿与第1方向正交的第2方向延伸的第3边及第4边构成。第1边的长度比第3边的长度大。在模塑树脂形成有沿与第1方向及第2方向正交的第3方向将模塑树脂贯穿的第1螺孔及第2螺孔。穿过第1螺孔的第2方向上的中央及第2螺孔的第2方向上的中央的第1假想直线沿第1方向延伸，并且与第2方向上的模塑树脂的中央相比处于第2边侧。穿过功率半导体元件的第2方向上的中央并且沿第1方向延伸的第2假想直线与第1假想直线之间的距离小于或等于2mm。

3、通过结合附图进行理解的、与本发明相关的以下的详细说明，使本发明的上述及其它目的、特征、方案以及优点变得明确。

技术特征：

1.一种半导体装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，还具有：

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，还具有：

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，

技术总结
半导体装置(100、200)具有功率半导体元件(11)和对功率半导体元件进行封装的模塑树脂(50)。模塑树脂在俯视观察时为矩形，该矩形由沿第1方向(DR1)延伸的第1边(50a)及第2边(50b)、沿与第1方向正交的第2方向(DR2)延伸的第3边(50c)及第4边(50d)构成。第1边的长度比第3边的长度大。在模塑树脂形成有沿与第1方向及第2方向正交的第3方向(DR3)将模塑树脂贯穿的第1螺孔(51)及第2螺孔(52)。穿过第1螺孔的第2方向上的中央及第2螺孔的第2方向上的中央的第1假想直线(L1)沿第1方向延伸，并且与第2方向上的模塑树脂的中央相比处于第2边侧。

技术研发人员：大曲涌也,横山脩平
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12