光检测元件的制作方法

文档序号:34653275发布日期:2023-06-29 21:43阅读:33来源:国知局
光检测元件的制作方法

本发明涉及光检测元件。


背景技术:

1、光电转换元件被用于各种用途中。

2、随着互联网的普及,通信量飞跃式地增大,光通信的重要性越来越高。光通信是将电信号转换为光信号,且使用光信号进行收发的通信手段。

3、例如,专利文献1中记载有使用光电二极管来接收光信号的接收装置。光电二极管例如是使用了半导体pn结的pn结二极管等。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1:日本特开2001-292107号公报


技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、使用了半导体pn结的光检测元件被广泛用作光电转换元件,但为了更好的发展,要求具有新的突破。

3、本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于,提供一种新的光检测元件。

4、用于解决问题的技术方案

5、为了解决上述课题,提供以下方案。

6、(1)第一方面提供一种光检测元件,其具备磁性元件和光波导,所述磁性元件具有第一铁磁性层、第二铁磁性层、被所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层夹持的间隔层,所述光波导至少由芯和包覆所述芯的至少一部分的包层形成,在所述光波导中传播的光向所述磁性元件照射。

7、(2)在上述方面的光检测元件中,也可以是,所述芯具备沿与所述磁性元件的层叠方向交叉的第一方向延伸的主部、和与所述主部连接的第一部分,所述光波导具有倾斜反射面,该倾斜反射面是所述芯的一部分即所述第一部分和所述包层的边界面的一部分,且与所述层叠方向及所述第一方向交叉,由所述倾斜反射面反射的所述光向所述磁性元件照射。

8、(3)在上述方面的光检测元件中,也可以是,所述倾斜反射面在所述层叠方向上的位置与所述磁性元件在所述层叠方向上的位置不同。

9、(4)在上述方面的光检测元件中,也可以是,还具备基板,所述磁性元件及所述光波导处于所述基板上,所述磁性元件在所述基板的面垂直方向上的位置为所述倾斜反射面在所述面垂直方向上的位置和所述基板在所述面垂直方向上的位置之间。

10、(5)在上述方面的光检测元件中,也可以是,还具备基板,所述磁性元件及所述光波导处于所述基板上,所述倾斜反射面在所述基板的面垂直方向上的位置为所述磁性元件在所述面垂直方向上的位置和所述基板在所述面垂直方向上的位置之间。

11、(6)在上述方面的光检测元件中,也可以是,还具备基板,所述基板具备在厚度方向上相对的第一面和第二面,所述光波导处于所述基板的第一面侧,所述磁性元件处于所述第二面侧。

12、(7)在上述方面的光检测元件中,也可以是,所述基板与所述芯相接。

13、(8)在上述方面的光检测元件中,也可以是,所述芯具备沿与所述磁性元件的层叠方向交叉的第一方向延伸的主部、和与所述主部连接的第二部分,所述第二部分以所述第一方向为基准向朝向所述磁性元件的方向弯曲,在所述第二部分中传播的所述光向所述磁性元件照射。

14、(9)在上述方面的光检测元件中,也可以是,所述第二部分在所述层叠方向上的位置与所述磁性元件在所述层叠方向上的位置不同。

15、(10)在上述方面的光检测元件中,也可以是,还具备电极,所述电极与所述磁性元件电连接,且与所述芯相接,所述芯和所述电极的折射率差的绝对值比所述芯和所述包层的折射率差的绝对值小。

16、发明效果

17、上述方式的光检测元件能够以新原理来检测光的状态变化。



技术特征:

1.一种光检测元件,其中,

2.根据权利要求1所述的光检测元件,其中,

3.根据权利要求2所述的光检测元件,其中,

4.根据权利要求2或3所述的光检测元件,其中,

5.根据权利要求2或3所述的光检测元件,其中,

6.根据权利要求2或3所述的光检测元件,其中,

7.根据权利要求5所述的光检测元件,其中,

8.根据权利要求6所述的光检测元件,其中,

9.根据权利要求1所述的光检测元件,其中,

10.根据权利要求9所述的光检测元件,其中,

11.根据权利要求1所述的光检测元件,其中,


技术总结
本发明提供一种新的光检测元件。该光检测元件具备磁性元件和光波导,所述磁性元件具有第一铁磁性层、第二铁磁性层、被所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层夹持的间隔层,所述光波导至少由芯和包覆所述芯的至少一部分的包层形成,在所述光波导中传播的光向所述磁性元件照射。

技术研发人员:野尻武司,福泽英明,柴田哲也,水野友人,青木进
受保护的技术使用者:TDK株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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