陶瓷电子组件的制作方法

本公开涉及一种陶瓷电子组件，例如，一种多层陶瓷电容器(mlcc)。

背景技术：

1、近来，由于信息技术(it)产品的小型化，也需要产品中使用的mlcc的小型化。另外，在目前应用于mlcc的外电极涂覆方法的情况下，通过应用外电极涂覆方法形成的外电极可能具有在中央部较厚并且朝向外部变薄的形状。在这种情况下，不仅对于减薄mlcc存在限制，而且可能发生由于镀覆期间镀覆中断而导致的可靠性劣化、立碑(tombstone)缺陷的产生、由于测量削伤(measurement chamfering)而导致的缺陷等。

技术实现思路

1、本公开的一方面在于提供一种能够减薄的陶瓷电子组件。

2、本公开的另一方面在于提供一种能够防止可靠性劣化、测量削伤、立碑等的陶瓷电子组件。

3、本公开的另一方面在于提供一种能够垂直安装的陶瓷电子组件。

4、本公开提出的各种方案之一是通过改变基电极层的涂覆方法来改变外电极的形状。

5、根据本公开的一方面，一种陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层以及多个第一内电极和多个第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替地设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面、以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一外电极，设置在所述第一表面上，并且延伸到所述第三表面至所述第六表面中的每个表面的一部分上；以及第二外电极，设置在所述第二表面上，并且延伸到所述第三表面至所述第六表面中的每个表面的一部分上。在所述第一方向和所述第二方向上的截面以及所述第一方向和所述第三方向上的截面中的至少一个截面中，当所述第一外电极在所述第一表面的中央部处的最大厚度被定义为t1，所述第二外电极在所述第二表面的中央部处的最大厚度被定义为t1'，所述第一外电极在所述第一表面的外围部处的最大厚度被定义为t2，所述第二外电极在所述第二表面的外围部处的最大厚度被定义为t2'，所述第一外电极在第一拐角部处的最大厚度被定义为t3，并且所述第二外电极在第二拐角部处的最大厚度被定义为t3'，其中，所述第一表面通过所述第一拐角部连接到所述第三表面至所述第六表面，所述第二表面通过所述第二拐角部连接到所述第三表面至所述第六表面时，可满足t2>t1>t3和t2'>t1'>t3'中的至少一个。

6、根据本公开的另一方面，一种陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层以及多个第一内电极和多个第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替地设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面、以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一外电极，包括第一连接部、第一带部和第一转角部，所述第一连接部设置在所述第一表面的第一中央区域和第一外围区域上，所述第一带部设置在所述第三表面至所述第六表面中的每个表面的一部分上，所述第一转角部将所述第一连接部和所述第一带部连接；以及第二外电极，包括第二连接部、第二带部和第二转角部，所述第二连接部设置在所述第二表面的第二中央区域和第二外围区域上，所述第二带部设置在所述第三表面至所述第六表面中的每个表面的一部分上，所述第二转角部将所述第二连接部和所述第二带部连接。在所述第一方向和所述第二方向上的截面以及所述第一方向和所述第三方向上的截面中的至少一个截面中，所述第一连接部在所述第一外围区域处的最大厚度大于所述第一连接部在所述第一中央区域处的最大厚度，所述第二连接部在所述第二外围区域处的最大厚度大于所述第二连接部在所述第二中央区域处的最大厚度。所述第一外电极和所述第二外电极中的每个可以为单个电极层。

7、根据本公开的又一方面，一种陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和多个第一内电极和多个第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替地设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面、以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一外电极，设置在所述第一表面上，并且延伸到所述第三表面至所述第六表面中的至少一个表面的一部分上；以及第二外电极，设置在所述第二表面上，并且延伸到所述第三表面至所述第六表面中的所述至少一个表面的一部分上。当所述第一外电极在所述第一表面的中央部处的最大厚度被定义为t1，所述第二外电极在所述第二表面的中央部处的最大厚度被定义为t1'，所述第一外电极在所述第一表面的外围部处的最大厚度被定义为t2，所述第二外电极在所述第二表面的外围部处的最大厚度被定义为t2'，所述第一外电极在第一拐角部处的最大厚度被定义为t3，并且所述第二外电极在第二拐角部处的最大厚度被定义为t3'，其中，所述第一表面通过所述第一拐角部连接到所述第三表面至所述第六表面中的所述至少一个表面，所述第二表面通过所述第二拐角部连接到所述第三表面至所述第六表面中的所述至少一个表面时，满足条件t2大于t1和t3和条件t2'大于t1'和t3'中的至少一个。

技术特征：

1.一种陶瓷电子组件，包括：

2.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中，对于所述第一外电极和所述第二外电极，满足t2>t1>t3和t2'>t1'>t3'两者。

3.根据权利要求1所述的陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极包括第一基电极层，所述第一基电极层设置在所述第一表面上并且延伸到所述第三表面至所述第六表面中的每个表面的一部分上，

4.根据权利要求3所述的陶瓷电子组件，其中，所述导电金属包括铜。

5.根据权利要求3所述的陶瓷电子组件，其中，在所述第一方向和所述第二方向上的截面以及所述第一方向和所述第三方向上的截面中的至少一个截面中，当所述第一基电极层在所述第一表面的所述中央部处的最大厚度被定义为t1，所述第二基电极层在所述第二表面的所述中央部处的最大厚度被定义为t1'，所述第一基电极层在所述第一表面的所述外围部处的最大厚度被定义为t2，所述第二基电极层在所述第二表面的所述外围部处的最大厚度被定义为t2'，所述第一基电极层在所述第一拐角部处的最大厚度被定义为t3，并且所述第二基电极层在所述第二拐角部处的最大厚度被定义为t3'时，满足t2>t1>t3和t2'>t1'>t3'中的至少一个。

6.根据权利要求5所述的陶瓷电子组件，其中，对于所述第一基电极层和所述第二基电极层，满足t2>t1>t3和t2'>t1'>t3'两者。

7.根据权利要求5所述的陶瓷电子组件，其中，所述第一基电极层和所述第二基电极层中的每个是单个电极层。

8.根据权利要求3所述的陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极还包括第一树脂电极层，所述第一树脂电极层设置在所述第一基电极层上并覆盖所述第一基电极层，

9.根据权利要求8所述的陶瓷电子组件，其中，所述导电金属包括铜，并且

10.根据权利要求8所述的陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极还包括第一镀覆电极层，所述第一镀覆电极层设置在所述第一树脂电极层上并覆盖所述第一树脂电极层，

11.根据权利要求10所述的陶瓷电子组件，其中，所述第一镀覆电极层和所述第二镀覆电极层具有包括第一层和第二层的多层结构，所述第一层包括镍作为导电金属，所述第二层包括锡作为导电金属。

12.一种陶瓷电子组件，包括：

13.根据权利要求12所述的陶瓷电子组件，其中，当所述第一连接部在所述第一中央区域处的最大厚度被定义为t1、所述第二连接部在所述第二中央区域处的最大厚度被定义为t1'、所述第一连接部在所述第一外围区域处的最大厚度被定义为t2、所述第二连接部在所述第二外围区域处的最大厚度被定义为t2'、所述第一转角部的最大厚度被定义为t3，并且所述第二转角部的最大厚度被定义为t3'时，所述第一外电极和所述第二外电极分别满足t2>t1>t3和t2'>t1'>t3'。

14.根据权利要求13所述的陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极的t2/t1和所述第二外电极的t2'/t1'均在1.1至1.4范围内。

15.根据权利要求13所述的陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极的t3/t1和所述第二外电极的t3'/t1'均在0.2至0.5范围内。

16.根据权利要求12所述的陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极包括导电金属和玻璃，并且

17.一种陶瓷电子组件，包括：

18.根据权利要求17所述的陶瓷电子组件，其中，还满足t1>t3和t1'>t3'中的至少一个。

19.根据权利要求17所述的陶瓷电子组件，其中：

20.根据权利要求19所述的陶瓷电子组件，其中，还满足t1>t3和t1'>t3'中的至少一个。

技术总结
本公开提供了一种陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述主体具有第一表面和第二表面、第三表面和第四表面以及第五表面和第六表面；第一外电极，设置在第一表面上，并且延伸到第三表面至第六表面中的每个表面的一部分上；第二外电极，设置在第二表面上，并且延伸到第三表面至第六表面中的每个表面的一部分上，其中，在第一方向和第二方向上的截面以及第一方向和第三方向上的截面中的至少一个截面中，对于所述第一外电极和所述第二外电极中的至少一个，在第一表面和第二表面的外围部中的最大厚度大于在中央部中的最大厚度，并且在中央部中的最大厚度大于在拐角部中的最大厚度。

技术研发人员：朴珍受,李种晧,李冈夏,朴允娥,曺义铉,朴明俊,具贤熙,成佑庆
受保护的技术使用者：三星电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13