电容器结构和半导体装置的制作方法

本发明涉及半导体，尤其涉及一种电容器结构和半导体装置。

背景技术：

1、半导体装置(或器件)广泛应用于各种电子应用中，例如个人计算机、移动电话、数码相机和其他电子设备。作为半导体工业取得进步的结果，需要比上一代半导体装置占据更少空间的更小的半导体装置。

2、然而，尽管现有的半导体装置总体上满足要求，但它们并未在各个方面都令人满意。例如，虽然晶体管和电阻器等电子元件的尺寸越来越小，但由于其物理特性，电容器仍需要比其他电子元件占用更多空间。这对半导体装置的(尺寸)缩小是不利的。因此，需要对半导体装置进行进一步改进。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种电容器结构和半导体装置，以解决上述问题。

2、根据本发明的第一方面，公开一种电容器结构，包括：

3、第一梳状电极，具有第一接垫及第一指状物，该第一梳状电极连接至该第一接垫；

4、第二梳状电极，具有第二接垫及第二指状物，该第二指状物连接至该第二接垫，其中一个第二指状物配置于相邻的两个第一指状物之间；

5、底部电极，包括间隔开的第一部分、第二部分及第三部分，其中该第一部分及该第三部分分别电性耦接至该第一梳状电极及该第二梳状电极。

6、绝缘层，设置于该底部电极之上；以及

7、顶部电极，设置于该绝缘层上。

8、根据本发明的第二方面，公开一种半导体装置，包括：

9、第一电容器结构，设置在基板之上，并且该第一电容器结构包括：第一梳形电极；以及第二梳状电极，与该第一梳状电极相邻；

10、电介质材料，设置在该第一电容器结构之上；以及

11、第二电容器结构，设置在该介电材料上，并且该第二电容器结构包括：底部电极，包括由介电材料隔开的第一部分、第二部分和第三部分，其中第一部分和第三部分电耦接到第一电容器结构；绝缘层，设置于该底部电极之上；以及顶部电极，设置于该绝缘层上。

12、根据本发明的第三方面，公开一种半导体装置，包括：

13、底部电极，设置在基板之上；

14、绝缘层，设置于该底部电极之上；

15、顶部电极，设置于该绝缘层之上；

16、介电材料，覆盖该顶部电极；

17、第一梳状电极，配置于该介电材料上且电性耦接至该顶部电极，其中该第一梳状电极具有第一接垫以及连接至该第一接垫的第一指状物；以及

18、第二梳状电极，设置于该介电材料上且电性耦接至该底部电极，其中该第二梳状电极具有第二接垫及连接至该第二接垫的第二指状物，

19、其中该介电材料在该第一指状物和该第二指状物之间延伸。

20、本发明的电容器结构由于包括：第一梳状电极，具有第一接垫及第一指状物，该第一梳状电极连接至该第一接垫；第二梳状电极，具有第二接垫及第二指状物，该第二指状物连接至该第二接垫，其中一个第二指状物配置于相邻的两个第一指状物之间；底部电极，包括间隔开的第一部分、第二部分及第三部分，其中该第一部分及该第三部分分别电性耦接至该第一梳状电极及该第二梳状电极。绝缘层，设置于该底部电极之上；以及顶部电极，设置于该绝缘层上。本发明中将梳状电容器结构与板状电容器结构进行堆叠或层叠的组合，并且将这些电容器结构进行并联设置，从而可以得到具有更大电容值的电容器结构或半导体装置，并且由于采用堆叠或层叠的结构，因此避免了占用过多的横向面积或尺寸，因此可以在不增加设计面积的情况下增加电容器结构和半导体装置的电容值。

技术特征：

1.一种电容器结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，还包括介电材料，将该第一梳状电极与该第二梳状电极隔开。

3.如权利要求2所述的电容器结构，其特征在于，该第一部分、该第二部分与该第三部分由该介电材料隔开。

4.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，还包括：

5.如权利要求4所述的电容器结构，其特征在于，该第三接垫基本上平行于该第一接垫，该第四接垫基本上平行于该第二接垫。

6.如权利要求4所述的电容器结构，其特征在于，该第三接垫基本上平行于该第一指状物，该第四接垫基本上平行于该第二指状物。

7.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，还包括：

8.如权利要求7所述的电容器结构，其特征在于，该底部电极的该第一部分与该第三部分分别电性耦接该第三梳状电极与该第四梳状电极。

9.如权利要求7所述的电容器结构，其特征在于，还包括：

10.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，该第五接垫基本上平行于该第三接垫，该第六接垫基本上平行于该第四接垫。

11.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，该第五接垫基本上平行于该第三指状物，该第六接垫基本上平行于该第四指状物。

12.一种半导体装置，其特征在于，包括：

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，该介电材料延伸于该第一梳状电极与该第二梳状电极之间。

14.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，还包括第三电容器结构，该第三电容器结构包括：

15.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，还包括电耦接到该第三电容器结构的第四电容器结构，并且该第四电容器结构包括：

16.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，还包括一导电层，设置于该第二电容器结构与该第三电容器结构之间。

17.一种半导体装置，其特征在于，包括：

18.如权利要求17所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

19.如权利要求17所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

技术总结
本发明公开一种电容器结构，包括：第一梳状电极，具有第一接垫及第一指状物，该第一梳状电极连接至该第一接垫；第二梳状电极，具有第二接垫及第二指状物，该第二指状物连接至该第二接垫，其中一个第二指状物配置于相邻的两个第一指状物之间；底部电极，包括间隔开的第一部分、第二部分及第三部分，其中该第一部分及该第三部分分别电性耦接至该第一梳状电极及该第二梳状电极。绝缘层，设置于该底部电极之上；以及顶部电极，设置于该绝缘层上。本发明中进行堆叠或层叠的组合，并且将这些电容器结构进行并联设置，从而可以得到具有更大电容值的电容器结构或半导体装置。

技术研发人员：温哲民,林振华,冉景涵
受保护的技术使用者：联发科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13