一种功率器件元胞结构的接触孔结构及其制造方法与流程

发明涉及功率器件制造，具体为一种功率器件元胞结构的接触孔结构及其制造方法。

背景技术：

1、场效应管是电压控制的一种放大器件，是组成数字集成电路的基本单元，其中垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(vertical double-diffused metal oxidesemiconductor，简称vdmos)是场效应管中的一种，其具有大的静态输入阻抗特性，具有较快的开关时间等优点，广泛应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关等领域中。由于vdmos在正面有源极和栅极两个电极，最后需要通过接触孔的方式使表面的金属与对应的的源极，栅极互联。

2、现有技术中一般在孔的介质层刻蚀完之后直接淀积金属或者在孔介质层刻蚀完之后往下通过部分刻蚀硅再淀积金属的方式制作，本申请提出一种新的接触孔结构，来优化器件性能

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，发明提供了一种功率器件元胞结构的接触孔结构。

2、为实现上述目的，发明提供如下技术方案：一种功率器件元胞结构的接触孔结构，接触孔由介质层向下延伸至少部分进入外延层，且在接触孔的顶端向两侧横向延伸，使得源极n+部分的上端面容置于接触孔内。

3、优选的，接触孔顶端向两侧横向延伸至p-body之前截止。

4、优选的，包括如下步骤：先在孔介质层向下刻蚀成上述的功率器件元胞结构的接触孔结构，然后再淀积金属。

5、优选的，金属与源极n+部分具有横向的接触面积以及纵向的接触面积。

6、本发明主要是增加表面金属与硅的横向接触面从而增加金属与源极n+部分的接触面积，从而降低器件的导通电阻rdson。

技术特征：

1.一种功率器件元胞结构的接触孔结构，其特征在于，接触孔由介质层向下延伸至少部分进入外延层，且在接触孔的顶端向两侧横向延伸，使得源极n+部分的上端面容置于接触孔内。

2.根据权利要求1所述的一种功率器件元胞结构的接触孔结构，其特征在于：接触孔顶端向两侧横向延伸至p-body之前截止。

3.根据权利要求1所述的一种功率器件元胞结构的接触孔结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：先在孔介质层向下刻蚀成如权利要求1所述的一种功率器件元胞结构的接触孔结构，然后再淀积金属。

4.根据权利要求3所述的一种功率器件元胞结构的接触孔结构，其特征在于，金属与源极n+部分具有横向的接触面积以及纵向的接触面积。

技术总结
本发明公开了一种功率器件元胞结构的接触孔结构，接触孔由介质层向下延伸至少部分进入外延层，且在接触孔的顶端向两侧横向延伸，使得源极N+部分的上端面容置于接触孔内。本发明主要是增加表面金属与硅的横向接触面从而增加金属与源极N+部分的接触面积，从而降低器件的导通电阻RDSON。

技术研发人员：王民安,饶祖刚,项建辉,沈永红,汪璐,倪斌,郑科峰
受保护的技术使用者：黄山芯微电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13