层叠陶瓷电容器以及层叠陶瓷电容器的制造方法与流程

本发明涉及在电容元件的外表面形成了至少两个外部电极的层叠陶瓷电容器。此外，本发明涉及适合于制造本发明的层叠陶瓷电容器的、层叠陶瓷电容器的制造方法。

背景技术：

1、层叠陶瓷电容器被广泛使用于电子设备、电气设备。在专利文献1(日本特开2016-58719号公报)中公开了具备一般的构造的层叠陶瓷电容器。在图5中示出专利文献1所公开的层叠陶瓷电容器1000。

2、层叠陶瓷电容器1000具备层叠了电介质层101(陶瓷层)和内部电极102的陶瓷本体103(电容元件)。在陶瓷本体103的两端部形成有外部电极104。

3、外部电极104形成为如下的多层构造，即，包括将例如包含ni粒子等的导电性膏烧附而形成的外部电极主体105、例如ni等的第1层的镀敷层106、以及例如sn等的第2层的镀敷层107。

4、在先技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2016-58719号公报

7、在上述的以往的层叠陶瓷电容器1000中，在形成第1层的镀敷层106、第2层的镀敷层107时，镀敷液中包含的水分有可能经由外部电极主体105浸入到陶瓷本体103，从而ir(绝缘电阻)劣化。

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、因此，本发明的目的在于，提供一种在外部电极形成镀敷层时、在使用完成的产品时水分不易浸入到电容元件的层叠陶瓷电容器。

3、另外，专利文献1的层叠陶瓷电容器1000通过与本发明不同的方法使得抑制水分向陶瓷本体103(电容元件)的浸入。

4、用于解决问题的技术方案

5、为了解决上述的以往的问题，本发明的一个实施方式涉及的层叠陶瓷电容器具备：电容元件，具有层叠的多个陶瓷层和多个内部电极，并具有在高度方向上相互对置的一对主面、在与高度方向正交的长度方向上相互对置的一对端面、和在与高度方向以及长度方向正交的宽度方向上相互对置的一对侧面；以及至少两个外部电极，形成在电容元件的表面，在该层叠陶瓷电容器中设为，外部电极包含ni和sn，当对将电容元件以及外部电极在电容元件的所述宽度方向上的尺寸的1/2的长度的地方切断的、与电容元件的侧面平行的剖面进行观察时，外部电极呈c字形状形成在电容元件的端面以及与该端面的两侧相连的主面，c字形状的外部电极包含第1区域和将第1区域完全包围的第2区域，第2区域是偏重存在sn的区域，当从出现在剖面的第2区域任意地选择了10μm×10μm的正方形的测定区域时，出现在该测定区域的、sn的面积相对于ni的面积和sn的面积的合计为90％以上，关于第1区域，当从出现在剖面的第1区域任意地选择了10μm×10μm的正方形的测定区域时，出现在该测定区域的、sn的面积相对于ni的面积和sn的面积的合计小于90％。

6、此外，本发明的一个实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的制造方法包含：制作未烧成电容元件的工序，该未烧成电容元件具有层叠的多个陶瓷生片和多个内部电极用导电性膏层，并具有在高度方向上相互对置的一对主面、在与高度方向正交的长度方向上相互对置的一对端面、和在与高度方向以及长度方向正交的宽度方向上相互对置的一对侧面；制作外部电极用导电性膏的工序，该外部电极用导电性膏至少包含ni粒子和sn粒子；至少在未烧成电容元件的端面以及与该端面相连的主面以及侧面呈盖帽形状涂敷外部电极用导电性膏的工序；以及将未烧成电容元件以及外部电极用导电性膏同时进行烧成的工序，在该层叠陶瓷电容器的制造方法中设为，外部电极用导电性膏所含有的sn粒子的重量相对于ni粒子的重量和sn粒子的重量的合计为1～15重量％。

7、发明效果

8、本发明的一个实施方式涉及的层叠陶瓷电容器在外部电极的外表面形成镀敷层时、在使用完成的产品时，可抑制水分向电容元件浸入。

9、此外，本发明的一个实施方式涉及的层叠陶瓷电容器在出现于外部电极的外表面的第2区域，偏重存在焊料润湿性优异的sn，因此即使不在外部电极的外表面形成镀敷层，也能够直接使用。也就是说，即使不在外部电极的外表面形成镀敷层，也能够通过例如回流焊焊料将外部电极接合于基板的安装用电极等。

10、根据本发明的一个实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的制造方法，能够以高生产率地制造本发明的层叠陶瓷电容器。

技术特征：

1.一种层叠陶瓷电容器，具备：

2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其中，

3.根据权利要求2所述的层叠陶瓷电容器，其中，

4.根据权利要求3所述的层叠陶瓷电容器，其中，

5.根据权利要求4所述的层叠陶瓷电容器，其中，

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的层叠陶瓷电容器，其中，

7.一种层叠陶瓷电容器的制造方法，包含：

8.根据权利要求7所述的层叠陶瓷电容器的制造方法，其中，

技术总结
本发明提供一种抑制了水分浸入到电容元件的层叠陶瓷电容器以及层叠陶瓷电容器的制造方法。外部电极包含Ni和Sn，当对将电容元件以及外部电极在电容元件的宽度方向上的尺寸的1/2的长度的地方切断的、与电容元件的侧面平行的剖面进行观察时，外部电极呈C字形状形成在电容元件的端面以及与该端面的两侧相连的主面，C字形状的外部电极包含第1区域和将第1区域完全包围的第2区域，第2区域是偏重存在Sn的区域，当从出现在剖面的第2区域以及第1区域分别任意地选择了10μm×10μm的正方形的测定区域时，出现在各自的测定区域的、Sn的面积相对于Ni的面积和Sn的面积的合计分别为90％以上以及小于90％。

技术研发人员：村松谕
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14