半导体装置以及半导体装置的制造方法与流程

本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、金属氧化膜半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor：mosfet)等半导体装置被用作开关元件。在半导体装置中，要求提高开关效率、抑制破坏发生、减少导通动作时的电阻等。

技术实现思路

1、实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一导电部、第二导电部、栅极电极、第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部、第四绝缘部。第二电极具有与第一电极分离地设置的第一部分和从第一部分在第一方向上向第一电极侧延伸的第二部分。第一导电型的第一半导体区域设于第一电极与第二电极之间，与第一电极电连接。第二导电型的第二半导体区域设于第一半导体区域与第二电极之间。第一导电型的第三半导体区域设于第二半导体区域与第二电极之间，与第二电极电连接。第一导电部设于第一半导体区域中。第一绝缘部设于第一导电部与第一半导体区域之间。栅极电极在与第一方向相交的第二方向上设于第二半导体区域与第二部分之间。第二导电部设于第一导电部与栅极电极以及第二部分之间，与第二部分电连接。第二绝缘部设于第一绝缘部以及第一导电部与第二导电部之间。第三绝缘部设于第二半导体区域与栅极电极之间以及第一半导体区域与第二导电部之间。

2、第四绝缘部设于栅极电极与第二导电部之间。

3、另外，实施方式的半导体装置的制造方法具有如下工序：在第一方向上从第一导电型的第一半导体区域的表面在第一半导体区域中形成沟槽；在沟槽的表面形成第一绝缘部；以及在沟槽内隔着第一绝缘部形成第一导电部。而且，具有如下工序：在沟槽内形成第二绝缘部；将第一绝缘部的一部分以及第二绝缘部的一部分去除，在与第一方向相交的第二方向上使沟槽的内壁的一部分露出；通过使第一绝缘部以及第二绝缘部的表面氧化而形成第二绝缘部以及第三绝缘部的一部分；在第二绝缘部的表面形成第二导电部；以及通过使第二导电部的表面以及露出的所述沟槽的内壁氧化而形成第三绝缘部的一部分以及第四绝缘部。另外，进一步具有如下工序：在第三绝缘部的表面以及第四绝缘部的表面的一部分形成栅极电极；在第二方向上，在第一半导体区域中形成隔着第三绝缘部而与栅极电极对置的第二导电型的第二半导体区域；以及在沟槽的表面与第二半导体区域之间形成第一导电型的第三半导体区域。

4、根据本发明的实施方式，可提供能够抑制破坏发生的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

技术总结
本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一导电部、第二导电部、栅极电极、第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部以及第四绝缘部。第二电极具有第一部分和从第一部分在第一方向上向第一电极侧延伸的第二部分。第一半导体区域设于第一电极与第二电极之间。第二半导体区域设于第一半导体区域与第二电极之间。第三半导体区域设于第二半导体区域与第二电极之间。第一导电部设于第一半导体区域中。栅极电极设于第二半导体区域与第二部分之间。第二导电部设于第一导电部与栅极电极以及第二部分之间。

技术研发人员：下村纱矢,加藤浩朗
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24