微型发光二极管转移方法及微型发光二极管面板与流程

本申请涉及显示领域，具体涉及一种微型发光二极管转移方法及微型发光二极管面板。

背景技术：

1、各大面板厂正在积极开发微型发光二极管面板(minled面板或microled面板)，微型发光二极管面板有望作为下一代显示面板的核心技术。

2、然而，微型发光二极管(minled或microled)面板的制造过程中，存在诸多难题，其中巨量转移是其中难题之一，在微型发光二极管的转移过程中转移基板与阵列基板的对准是导致巨量转移良率下降的重要影响因素。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种微型发光二极管转移方法及微型发光二极管面板，可以解决微型发光二极管巨量转移过程中的转移基板与阵列基板的对准困难，巨量转移良率下降的问题。

2、本申请实施例提供了一种微型发光二极管转移方法，包括如下步骤：

3、s100，提供一转移基板和一阵列基板，所述转移基板上设置有多个微型发光二极管，多个所述微型发光二极管包括多个引脚，所述转移基板包括多个第一对位构件，所述阵列基板包括多个焊盘和多个第二对位构件；

4、s200，在多个所述引脚或多个所述焊盘上设置焊料；

5、s300，将所述转移基板与所述阵列基板相对设置并相互靠近，首先所述第一对位构件与对应的所述第二对位构件匹配以使得所述转移基板与所述阵列基板对准，然后所述引脚与对应的所述焊盘通过所述焊料连接；

6、s400，将所述焊料固化并将所述微型发光二极管与转移基板分离。

7、可选地，在本申请的一些实施例中，在所述s100中，所述第一对位构件和所述第二对位构件中一个为凸起，另一个为凹陷；

8、在所述s300中，所述凸起与所述凹陷的尺寸匹配且所述凸起可以容设在所述凹陷中。

9、可选地，在本申请的一些实施例中，在所述s100中，所述凸起的高度大于所述微型发光二极管的高度。

10、可选地，在本申请的一些实施例中，在所述s300中，至少部分所述第二对位构件设置于相邻的所述微型发光二极管之间。

11、可选地，在本申请的一些实施例中，所述第一对位构件为凹陷，所述第二对位构件为凸起。

12、可选地，在本申请的一些实施例中，所述凸起在所述阵列基板的厚度方向上的截面呈梯形、三角形、三角弧形和u形中任一种。

13、可选地，在本申请的一些实施例中，在所述s100中，所述转移基板上的多个所述微型发光二极管由晶圆上转移而来。

14、可选地，在本申请的一些实施例中，所述转移基板包括转移基底、贴附于所述转移基底上的粘贴膜层，多个所述微型发光二极管粘贴于所述粘贴膜层上。

15、相应的，本申请实施例还提供了一种微型发光二极管面板，包括：

16、阵列基板，包括多个第二对位构件；

17、多个微型发光二极管，设置于所述阵列基板上；

18、其中，所述第二对位构件用于所述微型发光二极管转移过程中的转移基板与所述阵列基板之间进行对位，所述微型发光二极管面板的所述微型发光二极管由所述转移基板上转移而来。

19、可选地，在本申请的一些实施例中，所述第二对位构件为凸起或凹陷

20、本申请提供了一种微型发光二极管转移方法及微型发光二极管面板，微型发光二极管转移方法包括如下步骤：s100，提供一转移基板和一阵列基板，转移基板上设置有多个微型发光二极管，多个微型发光二极管包括多个引脚，转移基板包括多个第一对位构件，阵列基板包括多个焊盘和多个第二对位构件；s200，在多个引脚或多个焊盘上设置焊料；s300，将转移基板与阵列基板相对设置并相互靠近，首先第一对位构件与对应的第二对位构件匹配以使得转移基板与阵列基板对准，然后引脚与对应的焊盘通过焊料连接；s400，将焊料固化并将微型发光二极管与转移基板分离。本申请通过在转移基板上设置第一对位构件，在阵列基板上设置第二对位构件，在微型发光二极管从转移基板上转移至阵列基板上时，首先第一对位构件与对应的第二对位构件匹配对位以使得转移基板与阵列基板对准，然后引脚与对应的焊盘通过焊料连接，因此，第一对位构件与对应的第二对位构件先匹配对准，避免引脚与对应的焊盘连接失效，从而使得转移基板与阵列基板的对准准确，提升巨量转移的良率。

技术特征：

1.一种微型发光二极管转移方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，在所述s100中，所述第一对位构件和所述第二对位构件中一个为凸起，另一个为凹陷；

3.如权利要求2所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，在所述s100中，所述凸起的高度大于所述微型发光二极管的高度。

4.如权利要求2所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，在所述s300中，至少部分所述第二对位构件设置于相邻的所述微型发光二极管之间。

5.如权利要求1至4中任一项所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，所述第一对位构件为凹陷，所述第二对位构件为凸起。

6.如权利要求2所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，所述凸起在所述阵列基板的厚度方向上的截面呈梯形、三角形、三角弧形和u形中任一种。

7.如权利要求1所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，在所述s100中，所述转移基板上的多个所述微型发光二极管由晶圆上转移而来。

8.如权利要求1所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，所述转移基板包括转移基底、贴附于所述转移基底上的粘贴膜层，多个所述微型发光二极管粘贴于所述粘贴膜层上。

9.一种微型发光二极管面板，其特征在于，包括：

10.如权利要求9所述的微型发光二极管面板，其特征在于，所述第二对位构件为凸起或凹陷。

技术总结
本申请公开了一种微型发光二极管转移方法及微型发光二极管面板，包括：S100，提供一转移基板和一阵列基板，转移基板上设置有多个微型发光二极管，多个微型发光二极管包括多个引脚，转移基板包括多个第一对位构件，阵列基板包括多个焊盘和多个第二对位构件；S200，在多个引脚或多个焊盘上设置焊料；S300，将转移基板与阵列基板相对设置并相互靠近，首先第一对位构件与对应的第二对位构件匹配以使得转移基板与阵列基板对准，然后引脚与对应的焊盘通过焊料连接；S400，将焊料固化并将微型发光二极管与转移基板分离。本申请通过第一对位构件与对应的第二对位构件匹配对位以使得转移基板与阵列基板对准，提升巨量转移的良率。

技术研发人员：张玉秀,温海龙
受保护的技术使用者：TCL华星光电技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12