一种基于芯片电极重构的扇出型封装方法及芯片封装件与流程

本申请涉及芯片封装，特别是一种基于芯片电极重构的扇出型封装方法及芯片封装件。

背景技术：

1、芯片的热应力可能来自组件内部，也可以来自组件的外部。芯片工作时所消耗的功率要通过发热的形式耗散出去。如果组件的散热能力有限，则功率的耗散就会造成芯片有源区的温度上升。如果由于组件的温度过高等原因引起温度交替变化，也会在组件内部产生高温应力或循环应力。

2、热应力是由于芯片与基板以及焊料和填充剂之间cte(热膨胀系数)不一致而在温度变化的条件下产生的。具有又有破坏性失效，热疲劳失效，铝金属化层的再结构等。

3、目前电子芯片的封装形式多是平面型封装形式，无论3d封装还是多层封装，每一层的封装电路都是在同一平面内，上下层之间为通孔连接，因此，在电子芯片工作中产生的热应力很难得到缓解。另外，在led封装中，为提高出光效率，往往要单独设计反射杯，生产工艺环节增加，提高了生产成本。

技术实现思路

1、鉴于所述问题，提出了本申请以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的一种基于芯片电极重构的扇出型封装方法及芯片封装件，包括：

2、一种基于芯片电极重构的扇出型封装方法，用于对芯片进行封装，所述芯片的一侧包括两个电极，包括步骤：

3、通过增材制造方式使所述电极沿竖直方向生长至预设高度，得到电极延长柱；

4、通过增材制造方式使所述电极延长柱远离所述电极的一端往所述电极的方向向外延伸，得到两个相对设置的电极延长面；

5、通过增材制造方式在所述电极延长面远离所述芯片的一端制备金属柱，得到扇出电极件；其中，所述金属柱高于所述电极延长柱；

6、对所述扇出电极件进行灌胶封装，得到芯片封装件。

7、优选地，所述通过增材制造方式使所述电极沿竖直方向生长至预设高度，得到电极延长柱的步骤，包括：

8、在所述芯片的表面设置第一遮挡层，并将与所述电极对应的第一区域去除；

9、通过增材制造方式使分别所述电极沿竖直方向生长至预设高度，得到第一电极延长柱和第二电极延长柱；

10、去除所述第一遮挡层。

11、优选地，所述第一遮挡层包括金属过渡层和掩膜层，所述在所述芯片的表面设置第一遮挡层，并将与所述芯片对应的第一区域去除的步骤，包括：

12、在所述芯片的表面制备所述金属过渡层；

13、在所述金属过渡层的表面制备所述掩膜层；

14、将所述第一遮挡层上的所述第一区域去除。

15、优选地，所述通过增材制造方式使所述电极延长柱远离所述电极的一端往所述电极的方向向外延伸，得到两个相对设置的电极延长面的步骤，包括：

16、在所述电极延长柱的表面和周侧设置第二遮挡层，并将与第一电极延长面对应的第二区域和与第二电极延长面对应的第三区域分别去除；其中，所述第二区域和所述第三区域相对设置；

17、通过增材制造方式使所述第一电极延长柱在所述第二区域进行生长，得到所述第一电极延长面；

18、通过增材制造方式使所述第二电极延长柱在所述第三区域进行生长，得到所述第二电极延长面。

19、优选地，所述第二遮挡层包括导电过渡层和第一阻挡层，所述在所述电极延长柱的表面和周侧设置第二遮挡层，并将与第一电极延长面对应的第二区域和与第二电极延长面对应的第三区域分别去除的步骤，包括：

20、在所述电极延长柱的表面和周侧设置所述导电过渡层；其中，所述导电过渡层为凸起状；

21、在所述导电过渡层的表面制备所述第一阻挡层；

22、将所述第一阻挡层上的所述第二区域和所述第三区域去除。

23、优选地，所述通过增材制造方式在所述电极延长面远离所述芯片的一端5制备金属柱，得到扇出电极件的步骤，包括：

24、在所述电极延长面的表面设置第二阻挡层，并将与所述金属柱对应的第四区域去除；

25、通过增材制造方式在所述第四区域上制备所述金属柱；

26、去除所述第二遮挡层和所述第二阻挡层，得到所述扇出电极件。

27、0优选地，所述对所述扇出电极件进行灌胶封装，得到芯片封装件的步骤，

28、包括：

29、在所述扇出电极件的表面涂覆封装胶；

30、对所述封装胶进行烘干处理，形成封装胶层，得到所述芯片封装件。

31、优选地，所述金属过渡层包括环氧树脂、硅胶和参有金属粉末的混合胶5中的一种或几种。

32、优选地，所述导电过渡层的材料为导电胶。

33、为实现本申请还包括一种根据所述的基于芯片电极重构的扇出型封装方法制备得到的芯片封装件，包括扇出电极件和封装胶层；所述封装胶层包裹在所述扇出电极件的外部。

34、0本申请具有以下优点：

35、在本申请的实施例中，相对于现有技术中的芯片封装导致热应力难以环节，且在led封装中，要单独设计反射杯的技术问题，本申请提供了电极重构的解决方案，具体为：通过增材制造方式使所述电极沿竖直方向生长至

36、预设高度，得到电极延长柱；通过增材制造方式使所述电极延长柱远离所述5电极的一端往所述电极的方向向外延伸，得到两个相对设置的电极延长面；

37、通过增材制造方式在所述电极延长面远离所述芯片的一端制备金属柱，得到扇出电极件；其中，所述金属柱高于所述电极延长柱；对所述扇出电极件进行灌胶封装，得到芯片封装件。通过在电子芯片的电极重构过程中，在芯片周围形成了环绕的电极，可以起到反射杯的作用，同时，由于其电极上下起伏形式的扇出型封装，很好地起到了热应力缓冲的作用，解决了电子芯片工作中热应力冲击的难题。

技术特征：

1.一种基于芯片电极重构的扇出型封装方法，用于对芯片进行封装，所述芯片的一侧包括两个电极，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的基于芯片电极重构的扇出型封装方法，其特征在于，所述通过增材制造方式使所述电极沿竖直方向生长至预设高度，得到电极延长柱的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的基于芯片电极重构的扇出型封装方法，其特征在于，所述第一遮挡层包括金属过渡层和掩膜层，所述在所述芯片的表面设置第一遮挡层，并将与所述芯片对应的第一区域去除的步骤，包括：

4.根据权利要求2所述的基于芯片电极重构的扇出型封装方法，其特征在于，所述通过增材制造方式使所述电极延长柱远离所述电极的一端往所述电极的方向向外延伸，得到两个相对设置的电极延长面的步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的基于芯片电极重构的扇出型封装方法，其特征在于，所述第二遮挡层包括导电过渡层和第一阻挡层，所述在所述电极延长柱的表面和周侧设置第二遮挡层，并将与第一电极延长面对应的第二区域和与第二电极延长面对应的第三区域分别去除的步骤，包括：

6.根据权利要求4所述的基于芯片电极重构的扇出型封装方法，其特征在于，所述通过增材制造方式在所述电极延长面远离所述芯片的一端制备金属柱，得到扇出电极件的步骤，包括：

7.根据权利要求1所述的基于芯片电极重构的扇出型封装方法，其特征在于，所述对所述扇出电极件进行灌胶封装，得到芯片封装件的步骤，包括：

8.根据权利要求3所述的基于芯片电极重构的扇出型封装方法，其特征在于，所述金属过渡层包括环氧树脂、硅胶和参有金属粉末的混合胶中的一种或几种。

9.根据权利要求5所述的基于芯片电极重构的扇出型封装方法，其特征在于，所述导电过渡层的材料为导电胶。

10.一种根据权利要求1-9任一项所述的基于芯片电极重构的扇出型封装方法制备得到的芯片封装件，其特征在于，包括扇出电极件和封装胶层；所述封装胶层包裹在所述扇出电极件的外部。

技术总结
本申请提供了一种基于芯片电极重构的扇出型封装方法及芯片封装件，通过增材制造方式使所述电极沿竖直方向生长至预设高度，得到电极延长柱；通过增材制造方式使所述电极延长柱远离所述电极的一端往所述电极的方向向外延伸，得到两个相对设置的电极延长面；通过增材制造方式在所述电极延长面远离所述芯片的一端制备金属柱，得到扇出电极件；其中，所述金属柱高于所述电极延长柱；对所述扇出电极件进行灌胶封装，得到芯片封装件。通过在电子芯片的电极重构过程中，在芯片周围形成了环绕的电极，可以起到反射杯的作用，同时，由于其电极上下起伏形式的扇出型封装，很好地起到了热应力缓冲的作用，解决了电子芯片工作中热应力冲击的难题。

技术研发人员：申广,祁山,何懿德
受保护的技术使用者：深圳瑞沃微半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13