一种半导体蚀刻设备的制作方法

文档序号:30714845发布日期:2022-07-12 17:43阅读:206来源:国知局
一种半导体蚀刻设备的制作方法

1.本实用新型涉及半导体蚀刻领域,特别涉及一种半导体蚀刻设备。


背景技术:

2.蚀刻是将金属材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术,半导体的蚀刻即是将半导体浸入蚀刻液中清除其表面附着的不需要的物质,保证其洁净纯度;现有的蚀刻设备存在以下问题;
3.1、蚀刻好的半导体,风干效率慢;
4.2、蚀刻好的半导体,由机械手移至下一工序,此时,蚀刻好的半导体表面携带的蚀刻液,容易对下一工序设备造成腐蚀,同时也降低蚀刻液的回收率,增加半导体的蚀刻成本。


技术实现要素:

5.本发明的目的,是解决背景中所述的技术问题,提供一种可以快递风干蚀刻好的半导体的蚀刻设备,提升半导体的加工效率。
6.为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:一种半导体蚀刻设备,包括,
7.箱体,其顶部开口;
8.放置板,设置在所述箱体内,所述放置板表面开设有放置槽,半导体穿过放置槽,并限制在放置槽内部;
9.螺纹杆,穿设在所述放置板两端,所述螺纹杆通过螺纹与放置板旋接;
10.电机,所述电机转动端与螺纹杆顶端固定连接,所述电机固定在箱体顶部;
11.风干组件,设置在所述箱体一侧顶部,对放置在放置板上的半导体进行风干。
12.进一步的,所述风干组件包括进气管以及设置横向设置在箱体内顶部的喷管,所述喷管表面固定穿设有喷嘴,所述喷嘴输出端对向半导体,所述进气管贯穿箱体一侧,所述进气管一端与喷管固定连接,所述进气管与喷管内部连通,所述进气管另一端输入压缩空气。
13.进一步的,所述进气管上设置有电动阀。
14.进一步的,所述电机以及电动阀均与plc设备信号连接。
15.进一步的,所述箱体内部与喷管相对面开设排风口。
16.进一步的,所述排风口内固定穿设排风箱,所述排风箱内设置有排风扇。
17.与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
18.通过在箱体内设置风干组件,先将待蚀刻半导体放置在放置槽内,然后启动电动阀,压缩空气通过喷嘴喷向待蚀刻半导体表面,可以对待蚀刻半导体表面进行清洁,完成后,关闭电动阀,正向启动电机,电机驱动螺纹杆转动,螺纹杆带动放置板进入蚀刻液中,蚀刻完成后,启动电动阀,反向启动电机,电机驱动放置板上移,将蚀刻完成后的半导体移动至喷嘴输出端处,压缩气流快速通过半导体表面,带走半导体表面的蚀刻液,离开半导体表
面的蚀刻液在自身重力作用下重新落入箱体内,提升对蚀刻液的回收效率,也可避免蚀刻液对其它设备造成腐蚀,也完成对半导体表面快速的风干,再由工作人员或机械手将蚀刻好的半导体移至下一工序,提升半导体的加工效率。
附图说明
19.图1为本实用新型中半导体蚀刻设备结构示意图一;
20.图2为本实用新型中半导体蚀刻设备结构示意图二;
21.图3为本实用新型中半导体蚀刻设备内部结构示意图;
22.图4为本实用新型中放置板结构示意图;
23.其中,附图标记对应的名称为:
24.1、箱体;2、放置板;21、放置槽;31、电机;32、安装板;33、螺纹杆;4、风干组件;41、进气管;42、电动阀;43、喷管;44、喷嘴;50、排风口;51、排风箱。
具体实施方式
25.为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
实施例
26.如图1所示,本实施例中所述的一种半导体蚀刻设备,包括箱体1、放置板2与风干组件4,箱体1形状为长方体,且顶部开口,箱体1内设置有放置板2,放置板2表面开设有放置槽21,半导体穿过放置槽21,并限制在放置槽21内部,放置板2两端竖直方向穿设有螺纹杆33,螺纹杆33通过螺纹与放置板2旋接,螺纹杆33顶部设置有电机31,电机31转动端与螺纹杆33顶端固定连接,电机31固定在箱体1顶部;风干组件4设置在箱体1一侧顶部,对放置在放置板2上的半导体进行风干,也可以清除半导体表面的污渍。
27.具体的,箱体1顶部开口端两侧固定有安装板32,螺纹杆33顶端贯穿安装板32,并与固定在安装板32顶面的电机31转动端固定。
28.请参阅图2所示,风干组件4包括进气管41以及设置横向设置在箱体1内顶部的喷管43,喷管43表面固定穿设有喷嘴44,喷嘴44输出端对向半导体,进气管41贯穿箱体1一侧,进气管41一端与喷管43固定连接,且其内部连通,进气管41另一端输入压缩空气,为方便控制压缩空气进入喷管43内,在进气管41上设置电动阀42,其中,电机31以及电动阀42均与plc设备信号连接,由plc设备(图中未示出)自动控制。
29.为加快箱体1内的空气流动速度,在箱体1内部与喷管43相对面开设排风口50。
30.为进一步加快箱体1内的空气流动速度,在排风口50内固定穿设排风箱51,排风箱51内设置有排风扇(图中未示出)。
31.使用时,通过在箱体1内设置风干组件4,先将待蚀刻半导体放置在放置槽21内,然后启动电动阀42,压缩空气通过喷嘴44喷向待蚀刻半导体表面,可以待蚀刻半导体表面进行清洁,完成后,关闭电动阀42,正向启动电机31,电机31驱动螺纹杆33转动,螺纹杆33带动放置板2进入蚀刻液中,蚀刻完成后,启动电动阀42,反向启动电机31,电机31驱动放置板2
上移,将蚀刻完成后的半导体移动至喷嘴44输出端处,压缩气流快速通过半导体表面,带走半导体表面的蚀刻液,离开半导体表面的蚀刻液在自身重力作用下重新落入箱体1内,提升对蚀刻液的回收效率,也可避免蚀刻液对其它设备造成腐蚀,也完成对半导体表面快速的风干,再由工作人员或机械手将蚀刻好的半导体移至下一工序,提升半导体的加工效率。
32.以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。


技术特征:
1.一种半导体蚀刻设备,箱体(1),其顶部开口;其特征在于,还包括,放置板(2),设置在所述箱体(1)内,所述放置板(2)表面开设有放置槽(21),半导体穿过放置槽(21),并限制在放置槽(21)内部;螺纹杆(33),穿设在所述放置板(2)两端,所述螺纹杆(33)通过螺纹与放置板(2)旋接;电机(31),所述电机(31)转动端与螺纹杆(33)顶端固定连接,所述电机(31)固定在箱体(1)顶部;风干组件(4),设置在所述箱体(1)一侧顶部,对放置在放置板(2)上的半导体进行风干。2.根据权利要求1所述的一种半导体蚀刻设备,其特征在于,所述风干组件(4)包括进气管(41)以及横向设置在箱体(1)内顶部的喷管(43),所述喷管(43)表面固定穿设有喷嘴(44),所述喷嘴(44)输出端对向半导体,所述进气管(41)贯穿箱体(1)一侧,所述进气管(41)一端与喷管(43)固定连接,所述进气管(41)与喷管(43)内部连通,所述进气管(41)另一端输入压缩空气。3.根据权利要求2所述的一种半导体蚀刻设备,其特征在于,所述进气管(41)上设置有电动阀(42)。4.根据权利要求3所述的一种半导体蚀刻设备,其特征在于,所述电机(31)以及电动阀(42)均与plc设备信号连接。5.根据权利要求1所述的一种半导体蚀刻设备,其特征在于,所述箱体(1)内部与喷管(43)相对面开设排风口(50)。6.根据权利要求5所述的一种半导体蚀刻设备,其特征在于,所述排风口(50)内固定穿设排风箱(51),所述排风箱(51)内设置有排风扇。

技术总结
本实用新型公开了一种半导体蚀刻设备,涉及半导体蚀刻领域,该半导体蚀刻设备,包括,箱体,其顶部开口;放置板,设置在箱体内,放置板表面开设有放置槽,半导体穿过放置槽,并限制在放置槽内部;螺纹杆,穿设在放置板两端,螺纹杆通过螺纹与放置板旋接;电机,电机转动端与螺纹杆顶端固定连接,电机固定在箱体顶部;风干组件,设置在箱体一侧顶部,对放置在放置板上的半导体进行风干;通过在箱体内设置风干组件,将蚀刻完成后的半导体移动至喷嘴输出端处,压缩气流快速通过半导体表面,带走半导体表面的蚀刻液,离开半导体表面的蚀刻液在自身重力作用下重新落入箱体内,提升对蚀刻液的回收效率,也完成对半导体表面快速的风干。也完成对半导体表面快速的风干。也完成对半导体表面快速的风干。


技术研发人员:聂国勇 陈仁华 李建立
受保护的技术使用者:长沙利洁环保科技有限公司
技术研发日:2022.03.30
技术公布日:2022/7/11
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