一种立式三相共模电感的制作方法

文档序号:33799789发布日期:2023-04-19 11:01阅读:22来源:国知局
一种立式三相共模电感的制作方法

本技术涉及共模电感及其制备方法领域,尤其涉及一种立式三相共模电感。


背景技术:

1、目前现有的立式三相共模电感由于其自身大小限制且绕线较多,难以控制绕线在磁芯中空处的位置,若线与线之前的距离过近甚至接触则容易影响电感效应,严重的会发生拉弧,引发安全事故损伤电子产品的正常运营。公开号为cn212485061u(一种三相共模电感)的中国实用新型专利,提高了铁芯的窗口利用率,有效减少了铜线或铝线的用量与电感的体积。卧式共模电感中间部位并不会出现铜线与铜线相接触的问题,但立式共模电感中需要将绕线竖直穿过中间中间部位因此更容易出现铜线之间互相接触,出现拉弧现象影响电感的正常使用。因此有必要针对三相立式共模电感的绕线方式设计一种具有沟槽的三叉式型隔板并应用到三相立式共模电感中。所以为了有效利用立式三相电感,设计并开发一种具有沟槽的三叉式隔板具有广阔的市场应用前景和重要的现实意义。


技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题是目前现有的立式三相共模电感由于其自身大小限制且绕线较多,难以控制绕线在磁芯中空处的位置,容易影响电感效应甚至损坏电子器件,因此设计提供一种具有沟槽的三叉式隔板用于三相立式共模电感,该三相立式共模电感能有效利用本实用新型设计的具有沟槽的三叉式隔板有效解决铜线与铜线距离过近甚至相接触的问题,保障了电感效应的正常运行。

2、为解决上述问题,本发明的技术方案为:

3、一种立式三相共模电感,主要包括磁芯本体、骨架底座、线圈、隔板。

4、所述磁芯本体结构为外部为八边形内部为圆形中空结构。

5、所述骨架底座具有一个凹槽和六个引脚,所述凹槽位于骨架底座上方,作用在于稳定磁芯本体,所述六个引脚位于骨架底座下方,且均匀分布。

6、所述线圈有三个,分别均匀固定于磁芯本体的上部、左部和右部。

7、所述隔板安置于磁芯本体内部圆形中空位置,所述隔板按照三等分组装成三叉式,所述三叉式隔板的三个柱体结构之间角度均为120°,所述三叉式隔板的三个分柱体结构中任意一个需具有凹槽结构,所述三叉式隔板作用在于阻断三相立式电感中所绕铜线与铜线的相互接触,避免产生电弧现象。

8、所述磁芯本体,其特征在于设置在骨架底座的上方,磁芯本体与骨架底座之间用螺丝固定。

9、所述的三叉式隔板,其特征在于所述具有凹槽结构一面的背面三个柱体结构均比正面突出一部分,所述柱体的正面与背面长度比为4:5~5:6。,所述三个突出的部位的作用是便于固定三叉式隔板于磁芯本体内。

10、所述的三叉式隔板,其特征在于,所述三叉式隔板利用3d打印法设计制造,满足不同种类规格的三相立式电感的实际需求;

11、所述的3d打印法其特征在于该方法具体为为液体打印法。

12、所述的线圈,其特征在于三个线圈缠绕匝数相一致。

13、本实用新型由于采用以上技术方案,使其与现有技术相比具有以下的优点和积极效果:

14、1.本实用新型将自主设计的具有沟槽的三叉式隔板与外八边形内圆形的三相立式磁芯本体相结合,具体为将具有沟槽的三叉式隔板稳定的卡扣在圆形中空部位,有效利用更佳的的绕线方式阻断了铜线与铜线之间的相互接触,避免产生电弧现象,保障了三相立式电感的正常运行;

15、2.本实用新型专利中的具有沟槽的y型隔板采用3d打印法进行设计制造,满足不同类型规格的三相立式电感的使用需求;



技术特征:

1.一种立式三相共模电感,其特征在于,主要包括:

2.如权利要求1所述的一种立式三相共模电感,其特征在于所属磁芯本体设置在骨架底座的上方,磁芯本体与骨架底座之间用螺丝固定。

3.如权利要求1所述的一种立式三相共模电感,其特征在于所述三叉式隔板具有凹槽结构一面的背面三个柱体结构均比正面突出一部分,所述柱体的正面与背面长度比为4:5~5:6,所述三个突出的部位的作用是便于固定三叉式隔板于磁芯本体内。

4.如权利要求1所述的一种立式三相共模电感,其特征在于,所述三叉式隔板利用3d打印法设计制造,满足不同种类规格的三相立式电感的实际需求。

5.如权利要求1所述的一种立式三相共模电感,其特征在于三个线圈缠绕匝数相一致。


技术总结
本技术专利公开了一种立式三相共模电感,包括:一骨架底座;一磁芯本体,位于所述骨架底座的上方,并用紧固件将两者固定;一具有沟槽的三叉式隔板,安装在所述圆形电感骨架空的心部位;线圈,在所述圆形电感骨架的三个部位进行绕线,使其被均匀分隔开;及,引脚。本技术专利装置充分利用了原创的具有凹槽的三叉式隔板解决了立式三相共模电感中难以控制绕线在磁芯中空处的位置,甚至接触则容易影响电感效应,严重的会发生拉弧的问题。

技术研发人员:林森茂,金承翠,邹军,石明明
受保护的技术使用者:天长市富安电子有限公司
技术研发日:20220808
技术公布日:2024/1/13
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