一种SiC晶圆加工检测工装的制作方法

本申请涉及晶圆加工，尤其是涉及一种sic晶圆加工检测工装。

背景技术：

1、在sic晶圆的加工制造过程中，晶圆表面可能会产生裂纹、划痕、剥落等缺陷，这些缺陷的形成原因有两种：一种是晶圆生长过程中原始形成，一种是晶片在经过各道加工工序后造成。为了使晶片达到预期性能，必须保证晶片表面基本没有缺陷。

2、现有技术中，对晶片表面缺陷的无损检测，通常是用x光对晶圆进行透视成像以及太赫兹光谱成像，或者通过红外传感器拍照后再用算法对比成像图检测。x射线属于电离辐射，高剂量的高能射线肯能会对晶圆内部的电路结构造成损坏，太赫兹光谱成像存在成像分辨率较低，不易分辨的缺点。红外传感器拍照之后算法对比成像的方法受限于算法的精度问题，也存在检测不全的缺点。

3、因此，现有技术的技术问题在于：检测精度较低。

技术实现思路

1、本申请提供一种sic晶圆加工检测工装，解决了检测精度较低的技术问题，达到提高检测精度较的技术效果。

2、本申请提供的一种sic晶圆加工检测工装，采用如下的技术方案：

3、一种sic晶圆加工检测工装，包括：座体；载体组件，所述载体组件包括：载体本体，所述载体本体转动连接于所述座体上，所述载体本体具有一平面，所述平面用于连接待检测晶圆；定位组件，所述定位组件包括：定位块，所述定位块具有两组，两组所述定位块分别位于所述载体本体的两侧，两组所述定位块滑移连接于所述座体上，两组所述定位块之间形成夹持空间，所述夹持空间用于容置所述待检测晶圆，使得所述待检测晶圆水平限位；驱动组件，所述驱动组件连接于所述座体并作用于所述载体本体上，所述驱动组件用于驱动所述载体本体和待检测晶圆旋转；检测组件，所述检测组件包括：检测座，所述检测座固定连接于所述座体上，所述检测座延伸至所述载体本体的上方；投光器，所述投光器固定连接于所述检测座上，所述投光器位于所述夹持空间上方；受光器，所述受光器固定连接于所述座体上，所述受光器位于所述投光器的正下方；其中，所述投光器用于向下对所述受光器投射光束而形成投射路径，所述投射路径位于载体本体所在竖直空间的外侧，光束穿透待检测晶圆以检测晶圆。

4、作为优选，两组所述定位块的滑移路径位于同一直线上。

5、作为优选，每组所述定位块上具有v型槽，两组定位块上的v型槽相向设置，两个所述v型槽之间形成所述夹持空间。

6、作为优选，所述定位组件还包括：限位块，所述限位块具有两组，所述限位块固定连接于所述座体上，两组所述限位块分别位于所述定位块靠近所述载体本体的一侧，所述定位块抵触于所述限位块而使得所述夹持空间的最小径固定。

7、作为优选，所述驱动组件包括：电机，所述电机连接于所述座体的底面上并作用于所述载体本体的轴向，使得所述载体本体具有绕轴旋转的转动自由度。

8、作为优选，所述定位组件还包括：滑轨，所述滑轨具有两组，两组所述滑轨分别位于所述载体本体的两侧，且两组所述滑轨位于同一直线设置；所述滑轨固定连接于所述座体上，两组所述滑轨分别用于与两组定位块对应滑移配合。

9、作为优选，所述限位块固定连接于所述滑轨上。

10、作为优选，所述载体上开设有吸附孔，所述吸附孔具有多组，通过向所述吸附孔内形成负压而使得待检测晶圆固定于所述载体本体上。

11、综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：

12、1、本申请通过定位组件对待检测晶圆进行水平限位，投光器和受光器分别布置于待检测晶圆的上下放，通过投光器向受光器投射光束，电机驱动载体本体从而带动待检测，即可精准找到晶圆的缺陷部分；解决了检测精度较低的技术问题，达到提高检测精度较的技术效果。

13、2、通过两组具有v型槽的定位块对待检测晶圆进行夹持，在不影响待检测晶圆旋转的情况下对其进行水平定位，有利于检测过程中待检测晶圆位置的稳定性。

14、3、在定位块的靠近载体本体的一侧设置有限位块，使得两组定位块之间的夹持空间的最小径固定，防止定位块过度给进而损伤待检测晶圆，有利于对晶圆的保护，减小晶圆损耗。

技术特征：

1.一种sic晶圆加工检测工装，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种sic晶圆加工检测工装，其特征在于，两组所述定位块(310)的滑移路径位于同一直线上。

3.根据权利要求2所述的一种sic晶圆加工检测工装，其特征在于，每组所述定位块(310)上具有v型槽(311)，两组定位块(310)上的v型槽(311)相向设置，两个所述v型槽(311)之间形成所述夹持空间(320)。

4.根据权利要求2所述的一种sic晶圆加工检测工装，其特征在于，所述定位组件(300)还包括：

5.根据权利要求1所述的一种sic晶圆加工检测工装，其特征在于，所述驱动组件(400)包括：

6.根据权利要求4所述的一种sic晶圆加工检测工装，其特征在于，所述定位组件(300)还包括：

7.根据权利要求6所述的一种sic晶圆加工检测工装，其特征在于，所述限位块(340)固定连接于所述滑轨(330)上。

8.根据权利要求1所述的一种sic晶圆加工检测工装，其特征在于，所述载体上开设有吸附孔，所述吸附孔具有多组，通过向所述吸附孔内形成负压而使得待检测晶圆(600)固定于所述载体本体(210)上。

技术总结
本申请涉及晶圆加工技术领域，尤其是涉及一种SiC晶圆加工检测工装，载体组件包括：载体本体，载体本体转动连接于座体上，载体本体具有一平面，平面用于连接待检测晶圆；定位组件，定位组件包括：定位块，定位块具有两组，两组定位块分别位于载体本体的两侧，两组定位块滑移连接于座体上，两组定位块之间形成夹持空间，检测组件包括：投光器，投光器固定连接于检测座上，投光器位于夹持空间上方；受光器，受光器固定连接于座体上，受光器位于投光器的正下方。解决了检测精度较低的技术问题，达到提高检测精度较的技术效果。

技术研发人员：朱亮,曹建伟,欧阳鹏根,余炀阳,赵阳阳,朱春芬
受保护的技术使用者：浙江晶瑞电子材料有限公司
技术研发日：20221027
技术公布日：2024/1/12