一种太阳能电池组的制作方法

文档序号:35542737发布日期:2023-09-23 19:31阅读:27来源:国知局
一种太阳能电池组的制作方法

本技术涉及太阳能太阳能电池片互联的,更具体地说,本技术涉及一种太阳能电池组。


背景技术:

1、目前在电池片电极互联中,采用高温焊接金属丝,这样需要电池片瞬间承受很高的温度,高温会破坏非晶硅和氧化物玻璃结构,严重影响钝化效果,影响转化效率,且部分电池片不能承受高温,其工艺温度在160摄氏度以下,无法通过焊接的方式实现电池片的电极互联。

2、因此,有必要提出一种太阳能电池组,以至少部分地解决现有技术中存在的问题。


技术实现思路

1、本实用新型旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

2、为此,本实用新型提出了一种太阳能电池组。

3、有鉴于此,根据本申请实施例提出的一种太阳能电池组,包括:

4、电池片,所述电池片设置有栅线;

5、金属丝,抵接于所述电池片的栅线,所述金属丝与所述栅线相交设置,用于与所述栅线电传导;

6、胶膜组件,所述胶膜组件包括:第一胶膜件和第二胶膜件,其中,所述第一胶膜件沿所述金属丝设置方向覆盖于所述金属丝和所述栅线的连接处;所述第二胶膜件覆盖于所述第一胶膜件和所述电池片,且所述第一胶膜件和所述第二胶膜件交叉设置;

7、其中,所述电池片有多个,所述金属丝连接于相邻的所述电池片,用于将相邻的所述电池片串联。

8、在一种可行的实施方式中,所述第一胶膜件包括:

9、第一固化层,覆盖在所述金属丝和所述栅线的连接处;

10、第一承载层,连接于所述固化层远离所述金属丝的一侧;

11、在一种可行的实施方式中,所述第二胶膜件包括:

12、第二固化层,覆盖在所述金属丝和所述栅线的连接处;

13、第二承载层,连接于所述固化层远离所述金属丝的一侧;

14、其中,所述第一固化层、第二固化层和所述第一承载层合和第二承载层的透光率大于或等于50%。

15、在一种可行的实施方式中,所述第一固化层靠近所述金属丝的一侧设置有凹槽,所述金属丝放置于所述凹槽内。

16、在一种可行的实施方式中,所述第一胶膜件的宽度不大于5mm,金属丝的直径大约是0.25mm。

17、在一种可行的实施方式中,所述一固化层和第二固化层的材质为改性树脂、eva和poe中的至少一种。

18、在一种可行的实施方式中,每个所述电池片上设置有多个所述栅线,多个所述栅线相互平行;

19、所述金属丝与多个所述栅线均相交设置。

20、在一种可行的实施方式中,所述金属丝设置有多个,每个所述金属丝与多个所述栅线均垂直设置。

21、相比现有技术,本实用新型至少包括以下有益效果:本申请实施例提供的太阳能电池组设置有电池片、金属丝和胶膜组件,具体地,电池片为太阳能电池片,电池片设置有栅线,通过栅线收集电池片经光照产生的电子,金属丝抵接于栅线,通过金属丝和栅线电传导,胶膜组件覆盖在金属丝和栅线的连接处,以将金属丝和栅线固定连接,提高连接稳定性。胶膜组件包括第一胶膜件和第二胶膜件,第一胶膜件沿金属丝设置方向覆盖于金属丝和栅线的连接处,通过第一胶膜件在低温情况下固定金属丝和栅线,避免金属丝和栅线脱落,提高可靠性。第二胶膜件覆盖于第一胶膜件和电池片,且第一胶膜件和第二胶膜件交叉设置,保证第一胶膜件和电池片可在低温下胶粘更加稳固使得第一胶膜件与电池片紧密连接,进一步保证第一胶膜件对金属丝和栅线的连接稳定性。

22、本实用新型所述的太阳能电池组,本实用新型的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现,部分还将通过对本实用新型的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。



技术特征:

1.一种太阳能电池组,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池组,其特征在于,所述第一胶膜件包括:

3.根据权利要求2所述的太阳能电池组,其特征在于,所述第二胶膜件包括:

4.根据权利要求3所述的太阳能电池组,其特征在于,

5.根据权利要求2所述的太阳能电池组,其特征在于,

6.根据权利要求3所述的太阳能电池组,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的太阳能电池组,其特征在于,

8.根据权利要求1所述的太阳能电池组,其特征在于,


技术总结
本技术涉及太阳能电池片互联的技术领域,具体的,本技术涉及一种太阳能电池组。太阳能电池组设置有电池片、金属丝和胶膜组件,具体地,电池片为太阳能电池片,电池片设置有栅线,金属丝抵接于栅线,通过金属丝和栅线电传导,胶膜组件覆盖在金属丝和栅线的连接处,将金属丝和栅线固定连接,提高连接稳定性。胶膜组件包括第一胶膜件和第二胶膜件,第一胶膜件沿金属丝设置方向覆盖于金属丝和栅线的连接处;第二胶膜件沿栅线设置方向覆盖于第一胶膜件和电池片,从而使金属丝和电池片可在低温下胶粘固定,第二胶膜件固定第一胶膜件和电池片,使第一胶膜件与电池片紧密连接,不易脱落。

技术研发人员:蒲天,程明
受保护的技术使用者:上海德瀛睿创半导体科技有限公司
技术研发日:20221102
技术公布日:2024/1/14
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