一种射频功率器件与电子设备的制作方法

本申请涉及射频，具体而言，涉及一种射频功率器件与电子设备。

背景技术：

1、目前大部分射频功率器件多采用陶瓷或者塑封管壳，芯片通过键合线连接到管壳的pin脚上。由于键合线越长等效的寄生参数越大，在键合线上的功率损耗也会越大；并且需要在封装器件外匹配电路上进行匹配链路设计，不仅匹配的电路尺寸增加导致输出插损变大，而且封装管壳无论是成本还是寄生参数都会增加，导致性能恶化价格提升，功率传输效率低。

2、综上，现有技术中存在射频功率器件的插损大、功率传输效率低的问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种射频功率器件与电子设备，以解决现有技术中存在的插损大、功率传输效率低的问题。

2、为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

3、一方面，本申请实施例提供了一种射频功率器件，所述射频功率器件包括第一晶体管、第二晶体管、交叠面改善模块以及巴伦结构，所述第一晶体管与所述第二晶体管并联，所述交叠面改善模块分别与所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述巴伦结构电连接，所述巴伦结构还用于与负载电连接，所述交叠面改善模块包括第一匹配电容与匹配电感，所述第一匹配电容与匹配电感电连接，所述第一匹配电容包括所述第一晶体管与所述第二晶体管的寄生电容与补充电容；其中，

4、所述第一晶体管与所述第二晶体管用于传输差分信号；

5、所述交叠面改善模块用于减小所述差分信号的电流与电压波形之间的交叠面，并实现阻抗匹配；

6、所述巴伦结构用于将所述差分信号转为单端信号。

7、可选地，所述射频功率器件还包括第一lc模块与第二lc模块，所述第一晶体管与所述第二晶体管的控制端均分别与一个所述第一lc模块电连接，所述巴伦结构还与所述第二lc模块电连接；其中，

8、所述第一lc模块、所述第二lc模块以及所述交叠面改善模块用于实现阻抗匹配。

9、可选地，所述第一lc模块为串联lc模块，所述第二lc模块为并联lc模块。

10、可选地，所述匹配电感通过第一键合线与第一微带线互连组成。

11、可选地，所述匹配电感还包括第一磁芯，所述第一键合线与所述第一微带线环绕于所述第一磁芯外互连。

12、可选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管的驱动信号的占空比为25％。

13、可选地，所述巴伦结构包括通过第二键合线与第二微带线连接形成的第一电感、第二电感以及第三电感，所述第一电感的一端与所述第一晶体管连接，所述第二电感的一端与所述第二晶体管连接，所述第一电感与所述第二电感的另一端均连接于电源，所述第三电感还分别与所述第二lc模块及负载电连接；其中，

14、所述第一电感、所述第二电感均与所述第三电感耦合。

15、可选地，所述巴伦结构还包括第二磁芯，所述第二键合线与所述第二微带线环绕于所述第二磁芯外。

16、可选地，所述补充电容包括第一补充电容与第二补充电容，所述第一补充电容的一端与所述第一晶体管电连接，另一端接地；所述第二补充电容的一端与所述第二晶体管电连接，另一端接地。

17、另一方面，本申请实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备包括上述的射频功率器件。

18、相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：

19、本申请提供了一种射频功率器件与电子设备，该射频功率器件包括第一晶体管、第二晶体管、交叠面改善模块以及巴伦结构，第一晶体管与第二晶体管并联，交叠面改善模块分别与第一晶体管、第二晶体管以及巴伦结构电连接，巴伦结构还用于与负载电连接，交叠面改善模块包括第一匹配电容与匹配电感，第一匹配电容与匹配电感电连接，第一匹配电容包括第一晶体管与第二晶体管的寄生电容与补充电容；其中，第一晶体管与第二晶体管用于传输差分信号；交叠面改善模块用于减小差分信号的电流与电压波形之间的交叠面，并实现阻抗匹配；巴伦结构用于将差分信号转为单端信号。由于本申请中在射频功率器件的内部设置了交叠面改善模块，因此可以减小电流波形与电压波形之间的交叠面，同时通过巴伦结构输出，进而可以提升功率传输效率。

20、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

技术特征：

1.一种射频功率器件，其特征在于，所述射频功率器件包括第一晶体管、第二晶体管、交叠面改善模块以及巴伦结构，所述第一晶体管与所述第二晶体管并联，所述交叠面改善模块分别与所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述巴伦结构电连接，所述巴伦结构还用于与负载电连接，所述交叠面改善模块包括第一匹配电容与匹配电感，所述第一匹配电容与匹配电感电连接，所述第一匹配电容包括所述第一晶体管与所述第二晶体管的寄生电容与补充电容；其中，

2.如权利要求1所述的射频功率器件，其特征在于，所述射频功率器件还包括第一lc模块与第二lc模块，所述第一晶体管与所述第二晶体管的控制端均分别与一个所述第一lc模块电连接，所述巴伦结构还与所述第二lc模块电连接；其中，

3.如权利要求2所述的射频功率器件，其特征在于，所述第一lc模块为串联lc模块，所述第二lc模块为并联lc模块。

4.如权利要求1所述的射频功率器件，其特征在于，所述匹配电感通过第一键合线与第一微带线互连组成。

5.如权利要求4所述的射频功率器件，其特征在于，所述匹配电感还包括第一磁芯，所述第一键合线与所述第一微带线环绕于所述第一磁芯外互连。

6.如权利要求1所述的射频功率器件，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管的驱动信号的占空比为25％。

7.如权利要求1所述的射频功率器件，其特征在于，所述巴伦结构包括通过第二键合线与第二微带线连接形成的第一电感、第二电感以及第三电感，所述第一电感的一端与所述第一晶体管连接，所述第二电感的一端与所述第二晶体管连接，所述第一电感与所述第二电感的另一端均连接于电源，所述第三电感还与所述负载电连接；其中，

8.如权利要求7所述的射频功率器件，其特征在于，所述巴伦结构还包括第二磁芯，所述第二键合线与所述第二微带线环绕于所述第二磁芯外。

9.如权利要求1所述的射频功率器件，其特征在于，所述补充电容包括第一补充电容与第二补充电容，所述第一补充电容的一端与所述第一晶体管电连接，另一端接地；所述第二补充电容的一端与所述第二晶体管电连接，另一端接地。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至9任一项所述的射频功率器件。

技术总结
本申请提供了一种射频功率器件与电子设备，涉及射频技术领域。该射频功率器件包括第一晶体管、第二晶体管、交叠面改善模块以及巴伦结构，第一晶体管与第二晶体管并联，交叠面改善模块分别与第一晶体管、第二晶体管以及巴伦结构电连接，巴伦结构还用于与负载电连接，交叠面改善模块包括第一匹配电容与匹配电感，第一匹配电容与匹配电感电连接，第一匹配电容包括第一晶体管与第二晶体管的寄生电容与补充电容；其中，第一晶体管与第二晶体管用于传输差分信号；交叠面改善模块用于减小差分信号的电流与电压波形之间的交叠面，并实现阻抗匹配；巴伦结构用于将差分信号转为单端信号。本申请具有提升了功率传输效率的优点。

技术研发人员：王一楠,成钢
受保护的技术使用者：深圳市时代速信科技有限公司
技术研发日：20221115
技术公布日：2024/1/11