本技术涉及二极管封装,特别涉及一种二极管封装结构。
背景技术:
1、随着科学技术的不断进步,越来越多的电子设备被广泛应用于人们的日常生活以及工作当中,为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利,成为当今人们不可或缺的重要工具。
2、电子设备的电路中,功率半导体二极管是非常重要的电子元件,为了对功率半导体二极管进行保护,也为了便于功率半导体二极管与其他元器件进行互联,一般需要通过封装结构对功率半导体二极管进行封装保护;现有的对功率半导体二极管的封装结构通常是通过细导线将功率半导体二极管的电极与外部引脚相连,然后通过塑封料对其塑封形成塑料包裹;功率半导体二极管在工作时会产生大量的热,使其自身温度上升较高,会加快内部导线的老化速度,导致二极管封装结构内部导线的导电性能降低。
技术实现思路
1、基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种二极管封装结构,以解决功率半导体二极管在工作时会产生大量的热,使其自身温度上升较高,会加快内部导线的老化速度,导致二极管封装结构内部导线的导电性能降低的问题。
2、基于上述技术问题,本实用新型实施例提供一种二极管封装结构,包括:
3、壳体;
4、二极管芯片,所述二极管芯片设置于所述壳体内部;
5、第一端子,所述第一端子与所述二极管芯片的第一电极连接;
6、第二端子和金属结构,所述金属结构的一端连接所述二极管芯片的第二电极,所述金属结构的另一端连接所述第二端子;所述金属结构的宽度大于宽度阈值。
7、上述方案具有以下有益效果:
8、本实用新型的二极管封装结构,通过宽度大于宽度阈值的金属结构将二极管的电极与端子相连,然后将二极管芯片和金属结构封装于壳体内,宽度大于宽度阈值的金属结构替代细导线,有效地增加了二极管芯片电极至端子之间的导电性,降低了老化速度,从而提高二极管封装结构内部导线的导电性能。
9、可选的,所述二极管封装结构还包括:
10、密封盖板,所述密封盖板密封焊接于所述壳体的开口上。
11、可选的,所述二极管封装结构还包括:
12、芯片基岛,所述芯片基岛设置于所述壳体的底部,所述二极管芯片设置于所述芯片基岛上,所述二极管芯片的第一电极与所述芯片基岛连接。
13、可选的,所述二极管封装结构还包括:
14、第一金属层,所述第一金属层焊接于所述二极管芯片的第一电极和所述芯片基岛之间。
15、可选的,所述二极管封装结构还包括:
16、第二金属层,所述第二金属层焊接于所述二极管芯片的第二电极和所述金属结构之间。
17、可选的,所述二极管封装结构还包括:
18、端子基岛,所述端子基岛设置在所述壳体内,所述端子基岛上连接有所述第二端子和所述金属结构,所述端子基岛与所述芯片基岛间隔设定距离。
19、可选的,所述二极管封装结构还包括:
20、第三金属层,所述第三层焊接于所述端子基岛和所述金属结构之间。
21、可选的,所述二极管封装结构还包括:
22、导电基板,所述导电基板设置在所述壳体内,所述导电基板的上表面连接所述第一端子,所述导电基板的下表面连接所述芯片基岛。
23、可选的,所述金属结构为倒凹形,所述金属结构中部向上凸起预设高度。
24、可选的,
25、所述金属结构包括:
26、第一端部、中间部和第二端部,所述第一端部通过第一弯曲部连接所述中间部,所述第二端部通过第二弯曲部连接所述中间部,所述第一弯曲部、所述中间部和所述第二弯曲部连接形成所述倒凹形的形状。
1.一种二极管封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的二极管封装结构,其特征在于,所述二极管封装结构还包括:
3.根据权利要求1所述的二极管封装结构,其特征在于,所述二极管封装结构还包括:
4.根据权利要求3所述的二极管封装结构,其特征在于,所述二极管封装结构还包括:
5.根据权利要求1所述的二极管封装结构,其特征在于,所述二极管封装结构还包括:
6.根据权利要求3所述的二极管封装结构,其特征在于,所述二极管封装结构还包括:
7.根据权利要求6所述的二极管封装结构,其特征在于,所述二极管封装结构还包括:
8.根据权利要求3所述的二极管封装结构,其特征在于,所述二极管封装结构还包括:
9.根据权利要求1、5、6或7所述的二极管封装结构,其特征在于,所述金属结构为倒凹形,所述金属结构中部向上凸起预设高度。
10.根据权利要求9所述的二极管封装结构,其特征在于,所述金属结构包括: