一种芯片封装管壳的制作方法

本技术涉及一种芯片封装管壳，属于芯片封装设计。

背景技术：

1、随着通信行业与芯片行业的发展，在对气密性、高可靠性、更灵活的布局方式以及低损耗的追求愈演愈烈的当下，传统的封装工艺渐渐难以满足市场的需求，尤其到了ka及以上的频段，传统封装工艺的实现形式更难，损耗往往更大。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型提供一种芯片封装管壳，该管壳能够实现与芯片之间的阻抗匹配。

2、实现本实用新型的技术方案如下：

3、一种芯片封装管壳，主要由焊盘层、芯片支撑层、芯片放置层、围框及盖板依次堆叠组成；其中，所述芯片放置层上预埋有微带线，所述芯片支撑层的到地平面上设有半封闭式结构，所述半封闭式结构内预埋有金属通孔，所述金属通孔一端连接焊盘上的射频管脚，另一端与所述微带线连接。

4、进一步地，本实用新型芯片支撑层包括至少两层介质板，至少两层介质板上的半封闭式结构相同且同轴。

5、进一步地，本实用新型所述芯片支撑层内设有金属引线，金属引线以各自所在的管脚为起点，延90°延伸到接近各自功能管脚的芯片支撑层c05处的焊盘处，再经过一个90°转折到各自功能管脚的c05处的焊盘底部，最后通过金属过孔与各自功能管脚的c05处的焊盘相连。

6、进一步地，本实用新型所述芯片放置层上预埋的微带线为斜线，且靠近芯片连接端微带线变成了宽度变宽的正直线。

7、进一步地，本实用新型芯片放置层上设有两个用于放置芯片的空腔，所述两个空腔之间设有到地平面以及金属通孔。

8、进一步地，本实用新型所述芯片放置层两层，其中上层用于放置芯片，下层用于放置散热片。

9、进一步地，本实用新型所述围框为外形为矩形，且矩形四个角为倒圆角。

10、进一步地，本实用新型所述围框有两层两层厚度为0.08-0.12mm的生瓷堆叠而成，壁厚0.1-2mm。

11、进一步地，本实用新型所述散热片为钼铜片，所述芯片支撑层、芯片放置层、围框及盖板的材质为陶瓷。

12、进一步地，本实用新型所述芯片支撑层、芯片放置层、围框采用ltcc工艺拼接。

13、有益效果

14、第一，本实用新型芯片支撑层的到地平面上设有半封闭式结构，与其内预埋的金属通孔构成非封闭的类同轴结构与底部射频端口相连，能够实现与芯片之间的阻抗匹配。

15、第二，微带线的形状为斜直线，然后突变到一个宽度更宽的正直线，这是通过基于阻抗变换原理所算得的宽度，能够减少射频管脚的回波损耗，实现更好的阻抗匹配效果

16、第三，本实施例采用对称结构设计，芯片放置层中间预留两个空腔，可以同时放置两颗芯片，实现双通道同时工作。空腔之间有接地平面以及到地金属通孔相隔开，能够提供较高的隔离度，确保内部两颗芯片不会互耦自激。

17、第四，本实用新型具有可靠性高、形式灵活、低损耗且能够满足芯片气密性封装的要求。

18、第五，本实用新型围框的外形为矩形，且矩形四个角为倒圆角，能够满足很好的密封性。

19、第六，本实用新型将钼铜作为散热片，芯片通过导电胶固定在钼铜上面，由于钼铜具有良好的散热特性，能够满足功率放大器或低噪声放大器的散热要求。

技术特征：

1.一种芯片封装管壳，主要由焊盘层、芯片支撑层、芯片放置层、围框及盖板依次堆叠组成；其特征在于，所述芯片放置层上预埋有微带线，所述芯片支撑层的到地平面上设有半封闭式结构，所述半封闭式结构内预埋有金属通孔，所述金属通孔一端连接焊盘上的射频管脚，另一端与所述微带线连接。

2.根据权利要求1所述芯片封装管壳，其特征在于，所述芯片支撑层包括至少两层介质板，至少两层介质板上的半封闭式结构相同且同轴。

3.根据权利要求1所述芯片封装管壳，其特征在于，所述芯片支撑层内设有金属引线，金属引线以各自所在的管脚为起点，延90°延伸到接近各自功能管脚的芯片支撑层处的焊盘处，再经过一个90°转折到各自功能管脚的处的焊盘底部，最后通过金属过孔与各自功能管脚的处的焊盘相连。

4.根据权利要求1所述芯片封装管壳，其特征在于，所述芯片放置层上预埋的微带线为斜线，且靠近芯片连接端微带线变成了宽度变宽的正直线。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述芯片封装管壳，其特征在于，芯片放置层上设有两个用于放置芯片的空腔，所述两个空腔之间设有到地平面以及金属通孔。

6.根据权利要求1所述芯片封装管壳，其特征在于，所述芯片放置层两层，其中上层用于放置芯片，下层用于放置散热片。

7.根据权利要求1所述芯片封装管壳，其特征在于，所述围框为外形为矩形，且矩形四个角为倒圆角。

8.根据权利要求6所述芯片封装管壳，其特征在于，所述围框有两层厚度为0.08-0.12mm的生瓷堆叠而成，壁厚0.1-2mm。

9.根据权利要求6所述芯片封装管壳，其特征在于，所述散热片为钼铜片，所述芯片支撑层、芯片放置层、围框及盖板的材质为陶瓷。

10.根据权利要求1所述芯片封装管壳，其特征在于，所述芯片支撑层、芯片放置层、围框采用ltcc工艺拼接。

技术总结
本技术提供一种芯片封装管壳，主要由焊盘层、芯片支撑层、芯片放置层、围框及盖板依次堆叠组成；其中，所述芯片放置层上预埋有微带线，所述芯片支撑层的到地平面上设有半封闭式结构，所述半封闭式结构内预埋有金属通孔，所述金属通孔一端连接焊盘上的射频管脚，另一端与所述微带线连接。该封装管壳能够实现与芯片之间的阻抗匹配。

技术研发人员：黄勇,王啸,王旭昌,李柱明
受保护的技术使用者：苏州市博海元件电子科技有限公司
技术研发日：20221122
技术公布日：2024/1/14