一种太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片的制作方法

本技术涉及太阳能电池，特别是涉及一种太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片。

背景技术：

1、目前太阳能电池，例如n型topcon电池的接触特性基本都是通过tlm(传输线矩阵)方法进行测试与分析，但受tlm测试原理的影响，测得的结果不仅包含金属-半导体接触，还包含了氧化层对载流子的阻挡作用，即磷内扩硅基程度，这直接导致tlm在n型成品电池片上测得的接触电阻和接触电阻率将受到氧化层厚度的明显影响，无法准确获得真实的接触特性。所以如何提供一种可以准确测量接触电阻和接触电阻率的接触特性测试片是本领域技术人员急需解决的问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片，可以准确测量topcon电池的接触特性。

2、为解决上述技术问题，本实用新型提供一种太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片，包括：

3、衬底；

4、位于衬底表面的氧化层；；

5、位于所述氧化层背向所述衬底一侧表面的多晶硅层；所述多晶硅层为经过扩散所形成的掺杂多晶硅层；所述掺杂多晶硅层与所述衬底形成内建电场；

6、位于所述多晶硅层背向所述衬底一侧表面的多条栅线；所述栅线连接不同的测试探针。

7、可选的，所述衬底为p型衬底，所述氧化层为氧化硅层，所述掺杂多晶硅层为n掺杂多晶硅层。

8、可选的，所述衬底相对的两个表面均设置有所述氧化层；两所述氧化层背向所述衬底一侧表面均设置有所述多晶硅层；两所述多晶硅层背向所述衬底一侧表面均设置有所述栅线。

9、可选的，所述多晶硅层背向所述衬底一侧表面设置有钝化层；所述栅线透过所述钝化层与所述多晶硅层相接触。

10、可选的，所述钝化层为氮化硅钝化层。

11、可选的，所述栅线的长度不大于162mm，所述栅线宽度的取值范围为6mm至10mm。

12、可选的，所述栅线等间距分布。

13、可选的，所述多晶硅层厚度的取值范围为100nm至150nm。

14、可选的，所述多晶硅层掺杂浓度的取值范围为3×1020cm-3至6×1020cm-3。

15、可选的，所述氧化层的厚度不小于10nm。

16、本实用新型所提供的一种太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片，包括：衬底；位于衬底表面的氧化层；位于氧化层背向衬底一侧表面的多晶硅层；多晶硅层为经过扩散所形成的掺杂多晶硅层；掺杂多晶硅层与衬底形成内建电场；位于多晶硅层背向衬底一侧表面的多条栅线；所述栅线连接不同的测试探针。

17、通过在多晶硅层与衬底之间形成内建电场，可以避免tlm测试电流从硅基底流通；而设置氧化层可以阻挡掺杂多晶硅层磷的扩散，减少硅基底磷内扩程度，进一步避免tlm测试电流从硅基底流通，提升多晶硅层的方阻测量准确度，提升测量topcon电池的接触特性的准确性。

技术特征：

1.一种太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片，其特征在于，所述衬底为p型衬底，所述氧化层为氧化硅层，所述掺杂多晶硅层为n掺杂多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片，其特征在于，所述衬底相对的两个表面均设置有所述氧化层；两所述氧化层背向所述衬底一侧表面均设置有所述多晶硅层；两所述多晶硅层背向所述衬底一侧表面均设置有所述栅线。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片，其特征在于，所述多晶硅层背向所述衬底一侧表面设置有钝化层；所述栅线透过所述钝化层与所述多晶硅层相接触。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片，其特征在于，所述钝化层为氮化硅钝化层。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片，其特征在于，所述栅线的长度不大于162mm，所述栅线宽度的取值范围为6mm至10mm。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片，其特征在于，所述栅线等间距分布。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片，其特征在于，所述多晶硅层厚度的取值范围为100nm至150nm。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片，其特征在于，所述氧化层的厚度不小于10nm。

技术总结
本技术公开了一种太阳能电池钝化接触结构的接触特性测试片，应用于太阳能电池技术领域，包括衬底；位于衬底表面的氧化层；位于氧化层背向衬底一侧表面的多晶硅层；多晶硅层为经过扩散所形成的掺杂多晶硅层；掺杂多晶硅层与衬底形成内建电场；位于多晶硅层背向衬底一侧表面的多条栅线；所述栅线连接不同的测试探针。通过在多晶硅层与衬底之间形成内建电场，可以避免TLM测试电流从硅基底流通；设置氧化层可以阻挡掺杂多晶硅层磷的扩散，减少硅基底磷内扩程度，从而避免TLM测试电流从硅基底流通，提升多晶硅层的方阻测量准确度，提升测量Topcon电池的接触特性的准确性。

技术研发人员：蔡婷婷,赵迎财,张晓攀,徐义胜,马玉超,何胜,徐伟智
受保护的技术使用者：正泰新能科技有限公司
技术研发日：20221122
技术公布日：2024/1/12