一种补锂硅基负极片及二次电池的制作方法

本技术属于二次电池，尤其涉及一种补锂硅基负极片及二次电池。

背景技术：

1、硅作为一种高比容量的负极材料，理论比容量为4200mah/g，远高于商用石墨，因此被广泛关注。但是硅负极在首次充放电时库伦效率低，且循环过程中硅负极的体积膨胀率大，sei膜也会持续的消耗。为提升硅负极的首次放电容量及循环性能，一般采用硅与石墨混合，同时增加补锂技术。其中较为成熟的补锂技术包含锂带压延补锂，锂粉浆料补锂，pvd蒸镀补锂等；但补锂后，si金属与li金属直接接触时，会发生合金化反应产生大量的热，存在热失控的风险，且si的比例越大，反应越剧烈。因此，亟需一种解决上述问题的技术方案。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于：针对现有技术的不足，而提供一种补锂硅基负极片，在硅基负极活性材料层与补锂层之间设置有保护层，能够避免硅基负极活性材料与补锂材料接触而发生反应，提高极片稳定性，而且补锂层设置于极片最外层，组装成电池注入电解液时，有利于锂离子的脱嵌，从而提高电化学性能。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

3、一种补锂硅基负极片，包括负极集流体、设置于负极集流体至少一表面的硅基负极活性涂层、设置于所述硅基负极活性涂层远离所述负极集流体的保护层、设置于所述保护层远离所述硅基负极活性涂层的补锂层。

4、其中，所述负极集流体的材质为铜、镍、钛、银、镍铜合金中的一种。

5、其中，所述负极集流体的厚度为2～10μm。

6、其中，所述硅基负极活性涂层的厚度为1～3μm。

7、其中，所述保护层的厚度为1～5μm。

8、其中，所述保护层的厚度为2～4μm。

9、其中，所述补锂层的厚度为2～6μm。

10、其中，所述补锂层的厚度为3～5μm。

11、其中，所述保护层和补锂层的厚度比为1～1.05:1～1.05。

12、本实用新型的目的在于：针对现有技术的不足，而提供一种二次电池，具有较高的能量密度、补锂效果以及安全性能。

13、一种二次电池，包括上述的补锂硅基负极片。

14、相比于现有技术，本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供一种补锂硅基负极片，具有硅基负极活性涂层，相对于纯石墨涂层，具有更高的能量密度；具有补锂层，能够提高锂离子，从而提高首次充放电效应；在硅基负极活性涂层与补锂层之间设置有保护层，避免硅基负极活性材料与补锂层料接触而发生反应，提高负极片的质量。

技术特征：

1.一种补锂硅基负极片，其特征在于，包括负极集流体、设置于负极集流体至少一表面的硅基负极活性涂层、设置于所述硅基负极活性涂层远离所述负极集流体的保护层、设置于所述保护层远离所述硅基负极活性涂层的补锂层。

2.根据权利要求1所述的补锂硅基负极片，其特征在于，所述负极集流体的材质为铜、镍、钛、银、镍铜合金中的一种。

3.根据权利要求1所述的补锂硅基负极片，其特征在于，所述负极集流体的厚度为2～10μm。

4.根据权利要求1所述的补锂硅基负极片，其特征在于，所述硅基负极活性涂层的厚度为1～3μm。

5.根据权利要求1所述的补锂硅基负极片，其特征在于，所述保护层的厚度为1～5μm。

6.根据权利要求5所述的补锂硅基负极片，其特征在于，所述保护层的厚度为2～4μm。

7.根据权利要求1所述的补锂硅基负极片，其特征在于，所述补锂层的厚度为2～6μm。

8.根据权利要求7所述的补锂硅基负极片，其特征在于，所述补锂层的厚度为3～5μm。

9.根据权利要求1所述的补锂硅基负极片，其特征在于，所述保护层和补锂层的厚度比为1～1.05:1～1.05。

10.一种二次电池，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的补锂硅基负极片。

技术总结
本技术属于二次电池技术领域，尤其涉及一种补锂硅基负极片，包括负极集流体、设置于负极集流体至少一表面的硅基负极活性涂层、设置于所述硅基负极活性涂层远离所述负极集流体的保护层、设置于所述保护层远离所述硅基负极活性涂层的补锂层。本技术的一种补锂硅基负极片，在硅基负极活性材料层与补锂层之间设置有保护层，能够避免硅基负极活性材料与补锂材料接触而发生反应，提高极片稳定性，而且补锂层设置于极片最外层，组装成电池注入电解液时，有利于锂离子的脱嵌，从而提高电化学性能。

技术研发人员：祝佳丽,刘宏勇,于哲勋
受保护的技术使用者：江苏正力新能电池技术有限公司
技术研发日：20221124
技术公布日：2024/1/13