高电压半导体器件的制作方法

实施例涉及电路保护器件领域，包括瞬态电压抑制器件、整流二极管和晶闸管。

背景技术：

1、诸如瞬态电压抑制器(tvs)器件、整流二极管等等的半导体器件可以被制造成用作高电压器件。这种器件的可靠性可以通过不同的参数来表征。可以被施加到这种器件的阳极而不引起过量电流的最大反向电压可以被称为反向阻断电压，其参数可以受到许多因素的影响，包括这种器件的结构。

2、关于这些和其它考虑，提供了本公开。

技术实现思路

1、在一个实施例中，提供了一种高电压半导体器件。该高电压半导体器件可以包括衬底，其包括第一类型的极性；第一掺杂剂层，其被设置在衬底的第一主表面上，第一掺杂剂层包括第二类型的极性，其中第一掺杂剂层与衬底形成p/n结。第一掺杂剂层可以包括具有第一深度的第一部分，以及具有小于第一深度的第二深度的结终止延伸部分。该高电压半导体器件还可以具有玻璃钝化结构，其被设置在衬底的第一主表面上，在第一掺杂剂层的外围上方并在第一掺杂剂层的外部延伸。

2、在另一实施例中，高电压半导体器件可以包括衬底，其具有包括n-区的本体区。高电压半导体器件还可以包括包含p-型极性的p基底区，其被设置在衬底的第一主表面上，以及结终止延伸区，其被设置在衬底的第一主表面上并被连接到p基底区的外围。高电压半导体器件可以进一步包括玻璃钝化结构，其被设置在衬底的第一主表面上，在结终止延伸区上方，且在p-基底区的外围上方，并在结终止延伸区的外部延伸。

技术特征：

1.一种高电压半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，其特征在于，包括：

3.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述第一深度在20μm至60μm之间。

4.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述结终止延伸部分的所述第二深度在5μm至25μm之间。

5.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，其特征在于，还包括沟道停止层，所述沟道停止层被设置在所述第一主表面上，在所述结终止延伸部分的外部。

6.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述衬底的本体区包括n-区，其中，所述第一掺杂剂层包括p基底层。

7.根据权利要求6所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述结终止延伸部分包括p-型极性，所述p-型极性具有在2e13/cm3至2e14/cm3之间的范围内的掺杂剂浓度。

8.根据权利要求6所述的高电压半导体器件，其特征在于，在高电压操作下的电场峰值位于所述衬底的所述本体区中，在所述p基底层的外部。

9.一种高电压半导体器件，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的高电压半导体器件，其特征在于，包括：

11.根据权利要求9所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述p-基底区具有第一深度，并且所述结终止延伸区具有小于所述第一深度的第二深度。

12.根据权利要求11所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述第一深度在20μm到60μm之间。

13.根据权利要求11所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述结终止延伸区的所述第二深度在5μm至25μm之间。

14.根据权利要求11所述的高电压半导体器件，其特征在于，还包括沟道停止层，所述沟道停止层被设置在所述第一主表面上，在所述结终止延伸区的外部。

15.根据权利要求11所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述结终止延伸区包括在2e13/cm3至2e14/cm3之间的范围内的掺杂剂浓度。

16.根据权利要求11所述的高电压半导体器件，其特征在于，在高电压操作下的电场峰值位于所述衬底的所述本体区中，在所述p-基底区的外部。

技术总结
提供了一种高电压半导体器件。该高电压半导体器件可包括衬底，其包括第一类型的极性；第一掺杂剂层，其被设置在衬底的第一主表面上，该第一掺杂剂层包括第二类型的极性，其中第一掺杂剂层与该衬底形成P/N结。第一掺杂剂层可以包括具有第一深度的第一部分，以及具有小于第一深度的第二深度的结终止延伸部分。该高电压半导体器件还可以具有玻璃钝化结构，其被设置在衬底的第一主表面上，在第一掺杂剂层的外围上方并在第一掺杂剂层的外部延伸。

技术研发人员：周继峰,何磊,张环
受保护的技术使用者：力特半导体（无锡）有限公司
技术研发日：20221130
技术公布日：2024/1/12