本技术涉及半导体产品,尤其涉及一种半导体芯片。
背景技术:
1、半导体芯片的源极需要键合很多条引线,以在芯片源极与外引脚源极之间形成有效电路连接和散热通道,但外引脚源极区域的大小是一定的,不能无限地放下很多条引线。由于芯片表面源极与铝丝接触面积偏小,容易在芯片表面形成电流急聚过冲甚至早期失效的现象,不利于充分发挥大功率半导体芯片如金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet)的高性能。
2、因此,有必要提供一种半导体芯片以解决上述的现有技术中存在的问题。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种半导体芯片,以解决芯片表面源极与铝丝接触面积偏小,容易在芯片表面形成电流急聚过冲甚至早期失效的问题。
2、为实现上述目的,本实用新型提供的所述半导体芯片,包括基板、芯片表面源极、外部源极引脚和键合组件,所述芯片表面源极和所述外部源极引脚分别设置于所述基板上的不同位置,所述芯片表面源极和所述外部源极引脚通过所述键合组件连接;
3、所述芯片表面源极上设置有第一键合区域,所述外部源极引脚上设置有第二键合区域,所述键合组件包括导电引线,所述导电引线的第一端通过若干第一键合结构与所述第一键合区域键合连接,所述导电引线的第二端通过第二键合结构与所述第二键合区域键合连接。
4、优选地,所述第一键合区域上设置有两个第一焊点,两个所述第一焊点之间的距离不超过所述第一键合区域的最大尺寸。
5、优选地,所述第一键合结构的数量为两个,两个所述第一键合结构分别设置于两个所述第一焊点上。
6、优选地,所述第二键合区域上设置有第二焊点,所述第二键合结构设置于所述第二焊点上。
7、优选地,所述导电引线的数量为一条或若干条,所述导电引线的材质为铝。
8、本实用新型的半导体芯片有益效果在于:
9、本实用新型通过若干第一键合结构与第一键合区域键合连接,并通过第二键合结构与第二键合区域键合连接,使得导电引线很好地连接芯片表面源极和外部源极引脚,相对于传统的导电引线与芯片表面源极通过单个焊点键合连接增加了键合结构,从而在不增加导电引线的情况下,增大了导电引线与芯片表面源极的接触面积,也提高了产品芯片表面的电流汇聚面积。提高了导电引线与芯片表面源极的结合牢固度,降低了导体电阻的导通内阻参数。使得高功率的半导体芯片产品能够更好地发挥其高性能,解决了芯片表面源极与铝丝接触面积偏小,容易在芯片表面形成电流急聚过冲甚至早期失效的问题。
1.一种半导体芯片,其特征在于,包括基板、芯片表面源极、外部源极引脚和键合组件,所述芯片表面源极和所述外部源极引脚分别设置于所述基板上的不同位置,所述芯片表面源极和所述外部源极引脚通过所述键合组件连接;
2.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,所述第一键合区域上设置有两个第一焊点,两个所述第一焊点之间的距离不超过所述第一键合区域的最大尺寸。
3.如权利要求2所述的半导体芯片,其特征在于,所述第一键合结构的数量为两个,两个所述第一键合结构分别设置于两个所述第一焊点上。
4.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,所述第二键合区域上设置有第二焊点,所述第二键合结构设置于所述第二焊点上。
5.如权利要求2所述的半导体芯片,其特征在于,所述导电引线的数量为一条或若干条,所述导电引线的材质为铝。