晶片支撑台及RF棒的制作方法

本发明涉及晶片支撑台及rf棒。

背景技术：

1、以往，已知有在利用等离子体cvd对晶片进行成膜处理等时采用的陶瓷制的晶片支撑台，其具备与植入于陶瓷基体的rf电极连接的rf棒。例如，专利文献1中记载有如下晶片支撑台，其中，将借助低热膨胀部件而与rf电极连接的导电性部件和ni制的rf棒进行连接，由此对部件间的热膨胀差、应力差进行缓和，从而部件间不易发生剥离。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利第3790000号公报

技术实现思路

1、然而，近年来，向rf电极供给的高频电力明显增大，随之，流通于rf棒的高频电流也增大。当向晶片支撑台供给像这样的高频电力时，rf棒因高频电流而被过度加热，由此晶片支撑台的rf棒正上方的温度特异性升高。另外，存在如下课题，即，因rf电极与rf棒的连接部处于高温，无法对植入于晶片支撑台内部的rf电极与导电性部件之间的热膨胀差及应力差进行充分缓和，发生rf电极和导电性部件剥离等不良情况，晶片支撑台无法中长期使用。

2、本发明是为了解决上述课题而实施的，其主要目的在于，使得rf棒的正上方部分的温度不易特异性成为高温的晶片支撑台能够中长期使用。

3、本发明的晶片支撑台具备：

4、陶瓷基体，该陶瓷基体具有晶片载放面，且自所述晶片载放面侧开始依次植入有rf电极和加热器电极；

5、孔，该孔设置为从所述陶瓷基体的与所述晶片载放面相反侧的面趋向所述rf电极；以及

6、rf棒，该rf棒将高频电力向所述rf电极供给，且末端与在所述孔的底面露出的所述rf电极或连接于所述rf电极的导电性部件接合，

7、所述rf棒为混合棒，由形成所述rf棒的从所述末端至位于所述末端与基端之间的规定位置的区域的ni制的第一棒部件、以及与所述第一棒部件接合且形成所述rf棒的从所述规定位置至所述基端的区域的第二棒部件构成，

8、所述第二棒部件由非磁性体制成。

9、本发明的晶片支撑台中，rf棒为混合棒，rf棒的从末端至位于末端与基端之间的规定位置的区域由ni制的第一棒部件构成，棒的从规定位置至基端的区域由非磁性体制的第二棒部件构成。第二棒部件由非磁性体制成，因此，即便供给高频电力，与第二棒部件由ni制成的情形相比，也不易发热，不易成为高温。所以，棒的整体不易成为高温，不会妨碍陶瓷基体的热逃逸。因此，根据本发明的晶片支撑台，晶片的与rf电极连接的棒的正上方部分的温度不易特异性地成为高温。因此，rf电极和导电性部件不易剥离，能够中长期使用。

10、本发明的晶片支撑台中，所述规定位置如下规定：采用ni制棒代替所述混合棒，将所述加热器电极的温度设为ts[℃](其中，ts超过ni的居里温度)，将所述ni制棒的长度设为l[cm]，将所述ni制棒的两个端部之间的温度差设为δt[℃]，将所述ni制棒的从末端至所述规定位置的长度设为x[cm]，将所述ni制棒的所述位置处的温度设为t(x)[℃]，此时，由t(x)＝ts-(δt/l)＊x表示的t(x)为ni的居里温度以上且为所述非磁性体的氧化温度以下。rf棒的从末端至如上规定的规定位置的区域、即第一棒部件由ni制成，由于在居里温度以上不具有磁性，所以能够抑制阻抗上升。从如上规定的规定位置至基端的区域、即第二棒部件由非磁性体制成，因此，能够抑制阻抗上升。另外，温度为非磁性体的氧化温度以下，因此，能够防止第二棒部件氧化。

11、本发明的晶片支撑台中，在所述第二棒部件的端部可以设置有随着接近于所述rf棒的所述基端而宽度变小的锥形凸部，所述rf棒可以在所述第一棒部件的端部所设置的凹部嵌合有所述第二棒部件的所述凸部。据此，即便反复进行加热及冷却而对rf棒施加负荷，凸部的侧面也会卡挂于凹部的侧面，因此，能够使得第二棒部件不易从第一棒部件中脱落。

12、本发明的晶片支撑台中，在所述第一棒部件的端部可以设置有随着接近于所述rf棒的所述末端而宽度变小的锥形凸部，所述rf棒可以在所述第二棒部件的端部所设置的凹部嵌合有所述第一棒部件的所述凸部。据此，即便反复进行加热及冷却而对rf棒施加负荷，凸部的侧面也会卡挂于凹部的侧面，因此，能够使得第二棒部件不易从第一棒部件中脱落。

13、本发明的晶片支撑台中，所述第二棒部件可以由钨制成。据此，即便第二棒部件的温度因来自处于ni的居里温度(约360℃)以上的第一棒部件的热传导而上升，第二棒部件也不易氧化，因此，能够抑制由氧化导致的rf棒劣化。

14、本发明的晶片支撑台中，在所述rf棒可以设置有中空部分。据此，rf棒轻量化，容易操作。应予说明，高频电流因表皮效应而在rf棒的外周表面流通，而没有在内周侧流通，因此，即便在rf棒设置中空部，阻抗也不会发生变化。另外，由于rf棒的截面积变小，所以来自晶片支撑台的热传导变小。这种情况下，所述中空部分可以形成于所述第二棒部件，将所述中空部分包围的周壁可以由钨带或钨网形成。据此，rf棒自身的柔性升高。因此，在使用晶片支撑台时，经由rf棒而向陶瓷基体施加的负荷减轻。

15、本发明的晶片支撑台中，在所述第一棒部件的末端侧可以形成有缩颈部。据此，rf棒的柔性升高。因此，在使用晶片支撑台时，经由rf棒而向陶瓷基体施加的负荷减轻。应予说明，rf棒的直径优选为2～10mm。

16、此处，缩颈部是：直径比其他部分的直径细的部分。另外，缩颈部是：将第一棒部件以从中心通过且与长尺寸方向平行的平面切断时、例如形成为外周面呈圆弧的形状的部分。

17、本发明的rf棒为混合棒，由形成从末端至位于所述末端与基端之间的规定位置的区域的ni制的第一棒部件、以及与所述第一棒部件接合且形成从所述规定位置至所述基端的区域的第二棒部件构成，

18、所述第二棒部件由非磁性体制成。

19、该rf棒应用于本发明的晶片支撑台的意义重大。

技术特征：

1.一种晶片支撑台，其中，具备：

2.根据权利要求1所述的晶片支撑台，其中，

3.根据权利要求1或2所述的晶片支撑台，其中，

4.根据权利要求1或2所述的晶片支撑台，其中，

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的晶片支撑台，其中，

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的晶片支撑台，其中，

7.根据权利要求6所述的晶片支撑台，其中，

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的晶片支撑台，其中，

9.一种rf棒，其中，

技术总结
晶片支撑台20具备：陶瓷基体21，其具有晶片载放面21a，且自晶片载放面21a侧开始依次植入有RF电极22和加热器电极27；孔21c，其设置为从陶瓷基体21的与晶片载放面21a相反侧的面趋向RF电极22；以及RF棒30，其将高频电力向RF电极22供给，且末端30a和与在孔21c的底面露出的RF电极22连接的23接合。RF棒30构成为：末端30a至规定位置33的区域由Ni制的第一棒部件32构成，规定位置33至基端30b的区域由非磁性体制的第二棒部件34构成。

技术研发人员：海野丰,原朋弘
受保护的技术使用者：日本碍子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16