透明导电性膜的制作方法

本发明涉及透明导电性膜。

背景技术：

1、一直以来，作为触摸传感器的电极等中使用的透明导电性膜，多使用在树脂膜上形成有铟-锡复合氧化物层(ito层)等金属氧化物层的透明导电性膜。但是，形成有金属氧化物层的透明导电性膜具有弯曲性不足、因弯曲等物理应力而易于产生裂纹的问题。

2、另外，作为透明导电性膜，提出了具备包含使用了银或铜等的金属纳米丝的导电层的透明导电性膜。这种透明导电性膜具有弯曲性优异的优点。但是，包含金属纳米丝的导电层具有雾度变高的倾向，另外，易产生金属来源的色调等，从光学特性的观点出发存在问题。导电层越是进行低电阻值化越是需要增厚厚度，当增厚导电层的厚度时，光学特性的问题变得明显。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特表2009-505358号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明为了解决上述技术问题而完成，其目的在于提供弯曲性及光学特性两者均优异的透明导电性膜。

3、用于解决技术问题的手段

4、本发明的透明导电性膜具备基材及配置在基材的至少单侧上的透明导电层叠体，所述透明导电层叠体具备由金属氧化物构成的第一透明导电层和包含金属纳米结构的第二透明导电层。

5、在一个实施方式中，上述金属氧化物为铟-锡复合氧化物。

6、在一个实施方式中，上述金属纳米结构为金属纳米丝。

7、在一个实施方式中，上述透明导电层叠体按照上述第二透明导电层成为基材侧的方式进行配置。

8、在一个实施方式中，上述透明导电层叠体按照上述第一透明导电层成为基材侧的方式进行配置。

9、在一个实施方式中，上述透明导电性膜的表面电阻值为100ω/□以下。

10、在一个实施方式中，在将上述透明导电性膜挂在直径为2mm的圆棒上使其弯曲时的表面电阻值的上升率(＝弯曲后的表面电阻值/弯曲前的表面电阻值)为1.3以下。

11、发明效果

12、根据本发明，可以提供弯曲性及光学特性两者均优异的透明导电性膜。

技术特征：

1.一种透明导电性膜，其具备基材及配置在基材的至少单侧上的透明导电层叠体，所述透明导电层叠体具备由金属氧化物构成的第一透明导电层和包含金属纳米结构的第二透明导电层。

2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其中，所述金属氧化物为铟-锡复合氧化物。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜，其中，所述金属纳米结构为金属纳米丝。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性膜，其中，所述透明导电层叠体按照所述第二透明导电层成为基材侧的方式进行配置。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性膜，其中，所述透明导电层叠体按照所述第一透明导电层成为基材侧的方式进行配置。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的透明导电性膜，其表面电阻值为100ω/□以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的透明导电性膜，其中，在将所述透明导电性膜挂在直径为2mm的圆棒上使其弯曲时的表面电阻值的上升率、即弯曲后的表面电阻值/弯曲前的表面电阻值为1.3以下。

技术总结
本发明提供弯曲性及透明性两者均优异的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜依次具备第一透明导电层、基材及第二透明导电层，所述第一透明导电层包含金属纳米丝，所述第二透明导电层由金属氧化物构成。在一个实施方式中，构成上述第二透明导电层的金属氧化物为铟‑锡复合氧化物。

技术研发人员：长原一平,河野文彦
受保护的技术使用者：日东电工株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15