复合晶圆及其制造方法与流程

本发明涉及一种复合晶圆及其制造方法。

背景技术：

1、现有以下方法：通过金属膜，将预先注入氢离子的钽酸锂(lithium tantalate：也有时简称为lt)的晶圆贴合在钽酸锂晶圆上，进行热处理，来避免因热膨胀系数差引起的问题，利用热进行剥离(例如，参照非专利文献1)。

2、[现有技术文献]

3、[非专利文献]

4、[非专利文献1]“3-inch single crystal lita03 films onto metallicelectrode using smartcuttmtechnology”tauzin et al.electric lette rs,19th june2008,vo 1.44no.13

技术实现思路

1、要解决的问题

2、在支撑晶圆使用钽酸锂或铌酸锂(lithium niobate：也有时简称为ln)的情况下，根据作为支撑晶圆的lt或ln所具有的极化情况，在作为活性层的薄膜lt或ln上也会产生电荷，导致对特性带来不良影响。

3、解决问题的技术手段

4、在本发明的第1方面中，复合晶圆具备：支撑衬底，其为钽酸锂及铌酸锂的任一种，且实质上不极化；以及活性层，其为贴合在支撑衬底的一面侧的钽酸锂及铌酸锂的任一种，且极化。

5、还可以具备配置在支撑衬底与活性层之间的中间层。中间层可以具有绝缘性。中间层可以包含sio2、sion及sin的至少一者。

6、在本发明的第2方面中，是一种复合晶圆的制造方法，具备以下阶段：准备支撑衬底，该支撑衬底为钽酸锂及铌酸锂的任一种，且实质上不极化；准备活性衬底，该活性衬底为贴合在支撑衬底的一面侧的钽酸锂及铌酸锂的任一种，且极化；对活性衬底注入离子而产生界面；将支撑衬底与活性衬底贴合；将贴合后的支撑衬底与活性衬底升温；以及在界面剥离活性衬底。

7、在贴合的阶段之前，还可以具备在支撑衬底或活性衬底的相互贴合的面的至少一者形成中间层的阶段。中间层可以具有绝缘性。中间层可以包含sio2、sion及sin的至少一者。中间层也可以利用pvd(physical vapor deposition，物理气相沉积)法及cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)法的任一种来形成。

8、在贴合的阶段之前，还可以具备将支撑衬底或活性衬底的相互贴合的面的至少一者进行活化处理的阶段。活化处理可以包含等离子体处理。准备支撑衬底的阶段也可以包含使支撑衬底预先具有的极化无极性化的阶段。

9、此外，所述
技术实现要素：
并不列举本发明的所有特征。另外，这些特征群的次组合也会成为发明。

技术特征：

1.一种复合晶圆，具备：

2.根据权利要求1所述的复合晶圆，其还具备配置在所述支撑衬底与所述活性层之间的中间层。

3.根据权利要求2所述的复合晶圆，其中所述中间层具有绝缘性。

4.根据权利要求2或3所述的复合晶圆，其中所述中间层包含sio2、sion及sin的至少一者。

5.一种复合晶圆的制造方法，具备以下阶段：

6.根据权利要求5所述的复合晶圆的制造方法，其中在所述贴合的阶段之前，还具备在所述支撑衬底或所述活性衬底的相互贴合的面的至少一者形成中间层的阶段。

7.根据权利要求6所述的复合晶圆的制造方法，其中所述中间层具有绝缘性。

8.根据权利要求6或7所述的复合晶圆的制造方法，其中所述中间层包含sio2、sion及sin的至少一者。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的复合晶圆的制造方法，其中所述中间层利用pvd法及cvd法的任一种来形成。

10.根据权利要求5至9中任一项所述的复合晶圆的制造方法，其中在所述贴合的阶段之前，还具备将所述支撑衬底或所述活性衬底的相互贴合的面的至少一者进行活化处理的阶段。

11.根据权利要求10所述的复合晶圆的制造方法，其中所述活化处理包含等离子体处理。

12.根据权利要求5至11中任一项所述的复合晶圆的制造方法，其中准备所述支撑衬底的阶段包含使所述支撑衬底预先具有的极化无极性化的阶段。

技术总结
本发明提供一种复合晶圆的制造方法，该复合晶圆的制造方法具备以下阶段：准备支撑衬底，该支撑衬底为钽酸锂及铌酸锂的任一种，且实质上不极化；准备活性衬底，该活性衬底为贴合在支撑衬底的一面侧的钽酸锂及铌酸锂的任一种，且极化；对活性衬底注入离子而产生界面；将支撑衬底与活性衬底贴合；将贴合后的支撑衬底与活性衬底升温；以及在界面剥离活性衬底。另外，本发明还提供该复合晶圆。

技术研发人员：秋山昌次
受保护的技术使用者：信越化学工业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16