具有改善的热转移的平袋式基座设计的制作方法

文档序号:35677207发布日期:2023-10-08 09:15阅读:23来源:国知局
具有改善的热转移的平袋式基座设计的制作方法

本揭示案的实施方式大体涉及用于热处理腔室中的基座。


背景技术:

1、半导体基板被处理以用于多种应用,包括集成装置和微装置的制造。在处理期间,基板被放置在处理腔室内的基座上。基座通常具有用于从下方支撑基板的盘形或碟形上表面。基座由可绕中心轴旋转的支撑轴件来支撑。对加热源(例如,设置在基座下方的多个加热灯)的精确控制允许在非常严格的公差内加热基座。加热的基座然后可主要通过基座发射的辐射来将热转移到基板。

2、尽管对加热基座进行了精确控制,但已观察到,由于与基座接触的基板的区域和不与基座接触的基板的区域之间的非均匀热转移,基座可导致跨基板的温度非均匀性。温度非均匀性跨基板的上表面持续存在,这通常会减低沉积在基板上的层的质量。已在基板边缘附近以及更接近基板中心的区域上观察到不期望的温度分布。因此,需要一种改进的基座以用于在半导体处理中支撑和加热基板。


技术实现思路

1、本揭示案的实施方式大体涉及用于热处理半导体基板的基座。在一个实施方式中,基座包括:内区域,该内区域具有在该内区域的顶部表面中形成的图案,该图案包括由多个排气通道分隔的多个基板支撑特征。基座包括轮缘(rim),该轮缘环绕且耦接至该内区域,其中该内区域相对于该轮缘凹陷以形成凹陷袋部,该凹陷袋部被配置为接收基板。基座包括多个凸块,该多个凸块从该轮缘的内径径向向内延伸,该多个凸块被配置为接触由该多个基板支撑特征支撑的基板的外边缘以用于将该基板放置于该凹陷袋部内。

2、在另一实施方式中,一种制造基座的方法包括:在该基座的凹陷袋部的顶部表面中形成多个通道,该多个通道具有在该多个通道之间形成的多个支撑特征。形成该多个通道及该多个支撑特征的步骤包括:使用切割工具在第一方向上制造第一多个切口;相对于该切割工具将该基座旋转第一角度;及使用该切割工具在第二方向上制造第二多个切口,该第二方向与该第一方向以该第一角度间隔开。该方法包括:将该凹陷袋部的顶部表面凹陷。

3、在又一实施方式中,基座包括:内区域,该内区域具有在该内区域的顶部表面中形成的图案,该图案包括由多个排气通道分隔的多个基板支撑特征。每一基板支撑特征包括沿着该内区域的该顶部表面的基板接触表面,且这些基板接触表面相对于该基座的横向平面实质平坦。基座包括轮缘,该轮缘环绕且耦接至该内区域,其中该内区域相对于该轮缘凹陷以形成凹陷袋部,该凹陷袋部被配置为接收基板。



技术特征:

1.一种基座,包括:

2.如权利要求1所述的基座,其中每一基板支撑特征包括沿着所述内区域的所述顶部表面的基板接触表面,且其中所述基板接触表面的表面面积比例为约5%或更低。

3.如权利要求1所述的基座,其中从上方观察时所述多个凸块的形状包括以下至少一者:圆形、拱形、矩形、正方形、v形、u形、c形、或上述的组合。

4.如权利要求1所述的基座,其中所述图案包括以下至少一者:跨所述顶部表面的均匀或非均匀节距。

5.如权利要求1所述的基座,其中每一基板支撑特征包括沿着所述内区域的所述顶部表面的基板接触表面,且其中所述基板接触表面相对于所述基座的横向平面实质平坦。

6.如权利要求5所述的基座,其中所述基板接触表面实质彼此共平面以用于集体地接触及支撑基板。

7.如权利要求1所述的基座,其中所述多个基板支撑特征为金字塔形。

8.如权利要求1所述的基座,其中所述多个基板支撑特征从上方观察时为六边形。

9.如权利要求1所述的基座,其中限定相邻支撑特征之间的节距的横向距离为约0.5mm至约3mm。

10.一种制造基座的方法,包括:

11.如权利要求10所述的方法,其中所述第一角度为约90度,且其中所述支撑特征为金字塔形。

12.如权利要求10所述的方法,进一步包括:

13.如权利要求12所述的方法,其中所述第一角度及第二角度为约60度,且其中所述支撑特征从上方观察时为六边形。

14.如权利要求10所述的方法,进一步包括:移除围绕所述凹陷袋部的外部边缘的所述支撑特征。

15.如权利要求10所述的方法,进一步包括:在所述凹陷袋部的所述顶部表面上施加涂层。

16.如权利要求10所述的方法,其中在所述第一方向上的所述第一多个切口的每一者与在所述第二方向上的所述第二多个切口的每一者间隔开约0.5mm至约3mm的距离。

17.一种基座,包括:

18.如权利要求17所述的基座,其中所述基板接触表面实质彼此共平面以用于集体地接触及支撑基板。

19.如权利要求17所述的基座,进一步包括多个凸块,所述多个凸块从所述轮缘的内径径向向内延伸,所述多个凸块被配置为接触由所述多个基板支撑特征支撑的基板的外边缘以用于将所述基板放置于所述凹陷袋部内。

20.如权利要求17所述的基座,其中所述多个基板支撑特征的形状从上方观察时为以下至少一者:正方形或六边形。


技术总结
本揭示案的实施方式大体涉及用于热处理半导体基板的基座。在一个实施方式中,基座包括:内区域,该内区域具有在该内区域的顶部表面中形成的图案,该图案包括由多个排气通道分隔的多个基板支撑特征。基座包括轮缘,该轮缘环绕且耦接至该内区域,其中该内区域相对于该轮缘凹陷以形成凹陷袋部,该凹陷袋部被配置为接收基板。基座包括多个凸块,该多个凸块从该轮缘的内径径向向内延伸,该多个凸块被配置为接触由该多个基板支撑特征支撑的基板的外边缘以用于将该基板放置于该凹陷袋部内。

技术研发人员:丛者澎,尼欧•谬
受保护的技术使用者:应用材料公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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