透明导电层、透明导电性薄膜及物品的制作方法

本发明涉及透明导电层、透明导电性薄膜及物品。

背景技术：

1、已知位于薄膜基材上的透明导电层(例如，参照下述专利文献1。)。专利文献1中记载的透明导电层为结晶质。透明导电层设置于物品上。物品包含触摸面板。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2014-157814号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、根据物品的种类、用途及目的，物品的制造方法有时具备加热工序。加热工序的温度例如为100℃以上且150℃以下。该情况下，对透明导电层要求即使经过物品的制造方法中的加热工序也可抑制表面电阻的增大。即，对透明导电层要求优异的耐加热性。

3、但是，专利文献1中记载的透明导电层存在无法充分满足上述要求的不良情况。

4、本发明提供即使经过物品的制造方法中的加热工序也可抑制表面电阻的增大的透明导电层、透明导电性薄膜及物品。

5、用于解决问题的方案

6、本发明(1)包含一种透明导电层，其包含含有原子序数比氩大的稀有气体的无机氧化物，对前述透明导电层进行x射线衍射时，(440)面的峰的积分强度i440相对于(222)面的峰的积分强度i222的比(i440/i222)不足0.130。

7、本发明(2)包含(1)所述的透明导电层，其厚度不足150nm。

8、本发明(3)包含(1)或(2)所述的透明导电层，其中，前述无机氧化物为铟锡复合氧化物。

9、本发明(4)包含一种透明导电性薄膜，其朝向厚度方向的一侧依次具备：包含树脂的基材、和(1)～(3)中任一项所述的透明导电层。

10、本发明(5)包含一种物品，其具备(1)～(3)中任一项所述的透明导电层。

11、本发明(6)包含一种物品，其具备(4)所述的透明导电性薄膜。

12、发明的效果

13、本发明的透明导电层及透明导电性薄膜即使在物品的制造方法中的加热工序中，也可以抑制表面电阻的增大。

技术特征：

1.一种透明导电层，其包含：含有原子序数比氩大的稀有气体的无机氧化物，

2.根据权利要求1所述的透明导电层，其厚度不足150nm。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电层，其中，所述无机氧化物为铟锡复合氧化物。

4.一种透明导电性薄膜，其朝向厚度方向的一侧依次具备：包含树脂的基材、和权利要求1或2所述的透明导电层。

5.一种物品，其具备权利要求1或2所述的透明导电层。

6.一种物品，其具备权利要求4所述的透明导电性薄膜。

技术总结
透明导电层(1)包含：含有原子序数比氩大的稀有气体的无机氧化物。对透明导电层(1)进行X射线衍射时，(440)面的峰的积分强度I<subgt;440</subgt;相对于(222)面的峰的积分强度I<subgt;222</subgt;的比(I<subgt;440</subgt;/I<subgt;222</subgt;)不足0.130。

技术研发人员：藤野望,鸦田泰介
受保护的技术使用者：日东电工株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16