用于多电源域集成电路的多触发静电放电ESD保护器件的制作方法

文档序号:36087498发布日期:2023-11-18 04:37阅读:38来源:国知局
用于多电源域集成电路的多触发静电放电的制作方法

本文件通常但不限于电子电路,更具体地,涉及用于电子电路的静电放电保护器件。


背景技术:

1、电子电路,例如包含一个或多个半导体器件的电路,可能容易受到静电放电(esd)事件引起的应力或损坏。esd事件包括由静电或电源电压瞬变等产生的快速瞬变电压尖峰或过电压条件。esd保护电路可以与电子电路的其他组件协同工作,以通过使与esd事件相关联的电流从受保护电路节点下沉或转移来减轻由esd事件引起的损害。esd保护电路的实例包括基于半导体的开关器件,例如场效应晶体管(fet)或半导体控制整流器(scr),其经配置以在电子电路的正常操作期间抑制电流流动且在受保护电路节点与电流宿(例如参考节点(例如,电源轨))之间创建低阻抗路径,在esd事件期间或响应于esd事件。这种开关器件(以下称为“esd器件”)的例子公开于美国专利no 8,891,213 b2,标题为“集成静电放电(esd)器件”,于2014年11月18日授予chi kang liu等人。‘213专利讨论了一种基于晶体管的esd器件,其包括“形成在标准nfet器件下方的双极结晶体管,该器件包括基板中的源极区、基板中与源极区横向相邻的沟道区、基板中与沟道区横向相邻地漏极区以及基板的沟道区域上方的栅极。在另一个例子中,esd器件包括可控硅整流器,例如描述于美国专利no.6,770,918b2,标题为“硅锗技术的静电放电保护可控硅整流器(esd-scr)”,于2004年8月3日授予cornelius christian russ等人。


技术实现思路

1、一种具有用于从指定引脚节点传导静电放电电流的器件的系统。该系统包括:第一引脚节点和第二引脚节点;和具有第一开关阈值的开关器件。开关器件包括耦合到参考节点的第一端子和耦合到第一引脚节点的第二端子,以响应于第一引脚节点和参考节点之间的电压超过第一开关阈值而致动开关器件从第一引脚节点传导esd电流。开关器件还包括第三端子,耦合到所述第二引脚节点,以响应于所述第一引脚节点与所述第二引脚节点之间的电压超过第二开关阈值而致动所述开关器件以从所述第一引脚节点传导esd电流。

2、本
技术实现要素:
旨在提供本专利申请的主题的概述。其并非旨在提供对本发明的排他性或详尽的解释。包括详细描述是为了提供关于本专利申请的进一步信息。



技术特征:

1.一种具有用于从指定引脚节点传导静电放电(esd)电流的器件的系统,该系统包括:

2.根据权利要求1所述的系统,进一步包括:

3.根据权利要求2所述的系统,其中所述第一引脚节点耦合到耦合到所述第一电源和所述第二电源的电路。

4.根据权利要求1所述的系统,其中所述开关器件包括双极结型晶体管(bjt),所述bjt包括:

5.根据权利要求4所述的系统,其中:

6.根据权利要求5所述的系统,其中所述至少一个电气部件包括电阻元件,以抑制所述esd电流通过所述第二发射极区域的传导。

7.根据权利要求4所述的系统,其中所述第一发射极区域和所述第二发射极区域各自至少部分地形成在所述基极区域内。

8.根据权利要求7所述的系统,还包括基极接触区,用于将所述基极区域耦合到所述第一端子,所述基极接触区包括掺杂剂浓度比所述基极区域的掺杂剂浓度高的半导体材料。

9.根据权利要求8所述的系统,其中所述基极接触区域横向设置在所述第一发射极区域和所述第二发射极区域之间。

10.根据权利要求8所述的系统,其中所述第一发射极区域横向设置在所述基极接触区和所述第二发射极区域之间。

11.根据权利要求8所述的系统,其中所述基极区域与所述bjt的基板电隔离。

12.根据权利要求1所述的系统,其中所述开关器件包括半导体控制整流器(scr),所述scr包括:

13.根据权利要求1所述的系统,其中所述开关器件包括scr,所述scr包括:

14.根据权利要求1所述的系统,其中所述开关器件包括双向三极管晶闸管(triac),所述triac包括:

15.根据权利要求1所述的系统,其中所述开关器件包括双向三极管晶闸管(triac),所述triac包括:

16.一种用于从电路的引脚节点释放静电放电(esd)电流的半导体器件,所述半导体器件包括:

17.根据权利要求16所述的半导体器件,其中所述半导体器件包括npnp器件,所述npnp包括:

18.根据权利要求16所述的半导体器件,其中所述半导体器件包括双向三极管晶闸管(triac),所述triac包括:

19.根据权利要求16所述的半导体器件,其中所述半导体器件包括双向三极管晶闸管(triac),所述triac包括:

20.一种用于从电路的引脚节点释放静电放电(esd)电流的开关器件,所述开关器件包括:

21.根据权利要求20所述的开关器件,其中所述开关器件包括scr、triac或双极结型晶体管中的至少一种。


技术总结
一种具有用于从指定引脚节点传导静电放电(ESD)电流的器件的系统。该系统包括:第一引脚节点和第二引脚节点;和具有第一开关阈值的开关器件。所述开关器件包括:第一端子,耦合到参考节点;和第二端子,耦合到所述第一引脚节点,以响应于所述第一引脚节点与所述参考节点之间的电压超过所述第一开关阈值而致动所述开关器件以从所述第一引脚节点传导ESD电流。所述开关器件还包括第三端子,耦合到所述第二引脚节点,以响应于所述第一引脚节点与所述第二引脚节点之间的电压超过第二开关阈值而致动所述开关器件以从所述第一引脚节点传导ESD电流。

技术研发人员:M·阿玛托
受保护的技术使用者:美国亚德诺半导体公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/16
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