电容器的制作方法

本公开总体上涉及电容器，并且具体地，涉及包括硅衬底的电容器。

背景技术：

1、专利文献1公开了一种电容器。电容器包括硅衬底、导体层和介电层。硅衬底具有包括电容产生区域和非电容产生区域的主表面，并且硅衬底具有在电容产生区域中沿厚度方向设置的多孔部分。导体层具有至少覆盖电容产生区域的部分表面的表层部分、以及填充在多孔部分的至少一部分细孔中的填充部分。介电层设置在细孔的内表面与填充部分之间。

2、专利文献1的电容器在静电电容方面仍然存在改善空间。

3、引用列表

4、专利文献

5、专利文献1：wo 2020/184517 a1

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种具有增大的每衬底单位面积的静电电容的电容器。

2、根据本公开的一方面的电容器包括硅衬底、第一端子、介电层、导电部分和第二端子。硅衬底具有主表面和多孔部分。主表面包括开口区域和除了开口区域之外的非开口区域。多孔部分在开口区域中具有开口。第一端子电连接到硅衬底。介电层在多孔部分的内表面上。导电部分在多孔部分中填充在介电层上。第二端子电连接到导电部分。第一端子或第二端子中的至少一个在主表面的法线方向上与多孔部分的至少一部分重叠。

技术特征：

1.一种电容器，包括：

2.根据权利要求1所述的电容器，其中，

3.根据权利要求1所述的电容器，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其中，

5.根据权利要求4所述的电容器，其中，

6.根据权利要求5所述的电容器，其中，

7.根据权利要求4至6中任一项所述的电容器，还包括：

8.根据权利要求7所述的电容器，其中，

9.根据权利要求7或8所述的电容器，其中，

技术总结
电容器(1)包括硅衬底(2)、第一端子(31)、介电层(4)、导电部分(5)和第二端子(32)。硅衬底(2)具有主表面(21)和多孔部分(23)。主表面(21)包括开口区域(P)和除了开口区域(P)之外的非开口区域(Q)。多孔部分(23)在开口区域(P)中具有开口。第一端子(31)电连接到硅衬底(2)。介电层(4)形成在多孔部分(23)的内表面上。导电部分(5)在多孔部分(23)中填充在介电层(4)上。第二端子(32)电连接到导电部分(5)。在主表面(21)的法线方向上，第一端子(31)或第二端子(32)中的至少一个与多孔部分(23)的至少一部分重叠。

技术研发人员：萩原洋右,吉田和司
受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15