本发明涉及一种半导体晶圆的制造方法。
背景技术：
1、作为半导体晶圆的制造方法，一般按如下顺序进行：从单晶锭切出薄板晶圆的切片工序、用于防止晶圆的周缘部的缺损或破裂的倒角工序、用于使晶圆的厚度偏差消除而平坦化的抛光工序或双面磨削工序、用于将在上述的抛光或双面磨削中导入的晶圆的变形或污染物去除的蚀刻工序、为了获得高精度的晶圆的平坦度质量或纳米形貌质量而对表面和背面这两个主面同时进行研磨的双面研磨工序、使倒角部成为镜面的镜面倒角工序、使晶圆的主面成为镜面的镜面研磨工序等。
2、，随着半导体器件的集成度的提高而要求晶圆周缘部的镜面倒角是更精细的加工，晶圆周缘部的镜面倒角是如下情况所需的工序，即：使倒角部镜面化，改善粗糙度，从而抑制由后续工序中的倒角部产生的尘屑，以提高半导体器件的产量。
3、在上述的镜面倒角工序中进行晶圆切口部的研磨。镜面倒角工序的目的在于晶圆切口部、晶圆边缘部的镜面化，并为此而进行加工条件的调整，而加工后的粗糙度取决于砂布的种类、研磨浆料的种类、加工时间、砂布的旋转速度、及砂布的压接力。
4、在上述镜面倒角工序中，为了维持镜面倒角机的生产率，使用了研磨速率较大的条件，而导致粗糙度的恶化。根据专利文献1，加工时的负荷或研磨速率越大，则加工后的粗糙度越差。此外，通过进行多次研磨并依次降低研磨速率来改善粗糙度。
5、在镜面倒角工序中，通常考虑到生产率，在同一镜面倒角机内以不论次序的方式进行晶圆切口部、晶圆边缘部的加工。因此，将晶圆切口部的研磨时间设为大幅超过晶圆边缘部的研磨的加工时间，会导致镜面倒角机内的晶圆滞留时间变长，而造成生产率的恶化。
6、因此，以往，晶圆切口部的研磨时间大约是晶圆边缘部的研磨时间，而为了得到足够的研磨余量，需要使用研磨速率过大的加工条件，而不能获得充分改善的切口粗糙度。
7、现有技术文献
8、专利文献
9、专利文献1：日本专利第3846706号说明书
10、专利文献2：日本专利第6825733号说明书
11、专利文献3：日本特开2001-300837号公报
技术实现思路
1、(一)要解决的技术问题
2、本发明为了解决上述问题而做出，其目的在于，提供一种半导体晶圆的制造方法，能够抑制半导体晶圆制造中的镜面倒角工序中的晶圆切口部的研磨速率所引起的晶圆切口部的表面粗糙度的恶化。
3、(二)技术方案
4、为了解决上述问题，在本发明中，提供一种半导体晶圆的制造方法，制造半导体晶圆，其特征在于，
5、至少包含：倒角工序，磨削具有晶圆切口部的晶圆的周缘部，以形成包含晶圆边缘部及所述晶圆切口部的倒角部；双面研磨工序，对所述晶圆的两个主面进行研磨；镜面倒角工序，对所述倒角部进行研磨而镜面化；以及镜面研磨加工工序，对所述两个主面中的至少一个进行镜面研磨，
6、所述镜面倒角工序包含：
7、第一镜面倒角加工，在所述双面研磨工序之前对所述倒角部的所述晶圆切口部进行研磨；以及
8、第二镜面倒角加工，在所述双面研磨工序之后对所述晶圆切口部及所述晶圆边缘部进行研磨，
9、将所述第二镜面倒角加工的所述晶圆切口部的研磨速率设为小于所述第一镜面倒角加工的所述晶圆切口部的研磨速率。
10、根据本发明的半导体晶圆的制造方法，能够维持生产率，并且抑制半导体晶圆制造中的镜面倒角工序中的晶圆切口部的研磨速率所引起的晶圆切口部的表面粗糙度的恶化。
11、例如，可以将所述半导体晶圆设为硅晶圆。
12、能够通过本发明的半导体晶圆的制造方法进行制造的半导体晶圆并无特别限定，例如可以制造硅晶圆。
13、优选地，在所述第一镜面倒角加工及所述第二镜面倒角加工中的所述晶圆切口部的研磨中，使圆形砂布相对于晶圆面垂直地进入所述晶圆切口部进行研磨。
14、这样设置，能够在镜面倒角工序中可靠地研磨晶圆切口部，能够得到所期望的形状、表面状态、及粗糙度。
15、优选地，所述晶圆切口部的端面包含：
16、第一倾斜部，从所述晶圆的一个主面连续且从该一个主面倾斜；
17、第二倾斜部，从所述晶圆的另一个主面连续且从该另一个主面倾斜；以及
18、端部，构成所述晶圆的最外周部，
19、在所述第二镜面倒角加工中，对所述晶圆切口部的所述端面的所述第一倾斜部、所述第二倾斜部、及所述端部的全部进行研磨，
20、这样设置，能够在镜面倒角工序中更可靠地研磨晶圆切口部，能够得到所期望的形状、表面状态、及粗糙度。
21、(三)有益效果
22、如上所述，根据本发明的半导体晶圆的制造方法，在制造半导体晶圆时，在主面的双面研磨工序之前以及之后进行镜面倒角加工，降低双面研磨工序之后的第二镜面倒角时的研磨速率，由此，能够维持生产率并获得充分的研磨余量，并且抑制因为较大的研磨速率而导致的晶圆切口部的表面粗糙度的恶化。因此，能够制造晶圆切口部的表面粗糙度优良的半导体晶圆。
1.一种半导体晶圆的制造方法，制造半导体晶圆，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体晶圆的制造方法，其特征在于，