半导体装置的制作方法

本公开涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了具备芯片座、搭载于该芯片座的半导体元件、以及覆盖该半导体元件的密封树脂的半导体装置的一个例子。该半导体元件是mosfet等开关元件。该半导体装置例如能够用于构成电力转换电路。

2、专利文献1所公开的上述半导体装置在电力转换电路中构成上臂电路和下臂电路中的任一个。与此相对，为了在一个半导体装置中构成上臂电路和下臂电路，需要配置两个芯片座，并且在它们上分别搭载半导体元件。在该情况下，更多的热从各个半导体元件经由两个芯片座传递到密封树脂。由此，容易在密封树脂产生更大的热应力集中，有可能在该密封树脂产生龟裂。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2018-14490号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、鉴于上述情况，本公开的一个课题在于提供一种能够缓和在密封树脂产生的热应力集中的半导体装置。

3、由本公开提供的半导体装置具备：第一芯片座以及第二芯片座，其在与厚度方向正交的第一方向上位于相互分离的位置；半导体元件，其搭载于所述第一芯片座以及所述第二芯片座的至少任一个；以及密封树脂，其覆盖所述第一芯片座及所述第二芯片座各自的至少一部分和所述半导体元件。所述第一方向上的所述密封树脂的尺寸比与所述厚度方向及所述第一方向正交的第二方向上的所述密封树脂的尺寸长，所述第一芯片座具有朝向所述第一方向的第一端面、朝向所述第二方向的第二端面、以及位于所述第一端面与所述第二端面之间且位于所述第一芯片座的角部的第一角部端面，所述第一角部端面是被所述密封树脂覆盖且相对于所述第一端面及所述第二端面倾斜的平面，所述第一角部端面相对于所述第一端面的第一倾斜角和所述第一角部端面相对于所述第二端面的第二倾斜角中的任一个为60°以上且85°以下。

4、发明效果

5、根据本公开的上述结构，在半导体装置中，能够缓和在密封树脂产生的热应力集中。

6、本公开的其他特征以及优点通过基于附图在以下进行的详细的说明而变得更加明确。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求8～10任一项所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求12～14任一项所述的半导体装置，其特征在于，

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
半导体装置具备：第一芯片座以及第二芯片座，其在第一方向上位于相互分离的位置；半导体元件，其搭载于所述第一芯片座以及所述第二芯片座的至少任一个；以及密封树脂。所述第一方向上的所述密封树脂的尺寸大于第二方向上的所述密封树脂的尺寸。所述第一芯片座具有第一端面、第二端面及第一角部端面。所述第一角部端面是被所述密封树脂覆盖且相对于所述第一端面及所述第二端面倾斜的平面。所述第一角部端面具有相对于所述第一端面的第一倾斜角和相对于所述第二端面的第二倾斜角。所述第一倾斜角及所述第二倾斜角中的任一个为60°以上且85°以下。

技术研发人员：神田泽水
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15