本公开涉及信号传递装置及绝缘模块。
背景技术:
1、作为信号传递装置的一例,已知有对晶体管等开关元件的栅极施加栅极电压的绝缘型栅极驱动器。例如在专利文献1中,记载了作为具有变压器的绝缘型栅极驱动器的半导体集成电路,该变压器具有初级侧的第一线圈及次级侧的第二线圈。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特开2013-51547号公报
技术实现思路
1、发明要解决的课题
2、在此,栅极驱动器具有用于将初级侧电路与次级侧电路绝缘的变压器等绝缘元件。在该栅极驱动器中,有时要求提高绝缘耐压。此外,这样的问题不限于栅极驱动器,在将初级侧电路与次级侧电路绝缘并且传递信号的信号传递装置和绝缘模块中一样会产生该问题。
3、用于解决课题的手段
4、解决上述课题的信号传递装置具有:第一芯片,其包含初级侧电路;初级侧裸片焊盘,其用于安装所述第一芯片;绝缘芯片;第二芯片,其包含次级侧电路,所述次级侧电路构成为经由所述绝缘芯片与所述初级侧电路进行信号的发送和接收中的至少一个;次级侧裸片焊盘,其用于安装所述第二芯片;以及绝缘板,其介于所述初级侧裸片焊盘或所述次级侧裸片焊盘与所述绝缘芯片之间,所述绝缘芯片具有:元件绝缘层,其具有表面以及所述表面的相反侧的背面,其中,所述表面形成有第一焊盘及第二焊盘;以及第一绝缘元件及第二绝缘元件,其设置在所述元件绝缘层内,所述第一绝缘元件具有:第一表面侧导电部,其配置在所述元件绝缘层内的比所述背面靠近所述表面的位置,并与所述第一焊盘电连接;以及第一背面侧导电部,其配置在所述元件绝缘层内的比所述表面靠近所述背面的位置,并与所述第一表面侧导电部在所述元件绝缘层的厚度方向上对置配置,所述第二绝缘元件具有:第二表面侧导电部,其配置在所述元件绝缘层内的比所述背面靠近所述表面的位置,并与所述第二焊盘电连接;以及第二背面侧导电部,其配置在所述元件绝缘层内的比所述表面靠近所述背面的位置,并与所述第二表面侧导电部在所述元件绝缘层的厚度方向上对置配置,所述第一背面侧导电部与所述第二背面侧导电部电连接,所述第一表面侧导电部与所述初级侧电路经由所述第一焊盘电连接,所述第二表面侧导电部与所述次级侧电路经由所述第二焊盘电连接。
5、解决上述课题的绝缘模块具有:元件绝缘层;以及绝缘单元,其具有埋入至所述元件绝缘层的第一绝缘元件以及第二绝缘元件,所述元件绝缘层具有表面以及所述表面的相反侧的背面,其中,所述表面形成有第一焊盘及第二焊盘,所述第一绝缘元件具有:第一表面侧导电部,其配置在所述元件绝缘层内的比所述背面靠近所述表面的位置,并与所述第一焊盘电连接;以及第一背面侧导电部,其配置在所述元件绝缘层内的比所述表面靠近所述背面的位置,并与所述第一表面侧导电部在所述元件绝缘层的厚度方向上对置配置,所述第二绝缘元件具有:第二表面侧导电部,其配置在所述元件绝缘层内的比所述背面靠近所述表面的位置,并与所述第二焊盘电连接;以及第二背面侧导电部,其配置在所述元件绝缘层内的比所述表面靠近所述背面的位置,并与所述第二表面侧导电部在所述元件绝缘层的厚度方向上对置配置,所述第一背面侧导电部与所述第二背面侧导电部电连接。
6、发明效果
7、根据上述信号传递装置及绝缘模块,能够实现提高绝缘耐压。
1.一种信号传递装置,具有:
2.根据权利要求1所述的信号传递装置,其中,
3.根据权利要求1所述的信号传递装置,其中,
4.根据权利要求2或3所述的信号传递装置,其中,
5.根据权利要求1~4中任一项所述的信号传递装置,其中,
6.根据权利要求1~5中任一项所述的信号传递装置,其中,
7.根据权利要求1~6中任一项所述的信号传递装置,其中,
8.根据权利要求1~7中任一项所述的信号传递装置,其中,
9.根据权利要求8所述的信号传递装置,其中,
10.根据权利要求9所述的信号传递装置,其中,
11.根据权利要求8~10中任一项所述的信号传递装置,其中,
12.根据权利要求8~11中任一项所述的信号传递装置,其中,
13.根据权利要求8~12中任一项所述的信号传递装置,其中,
14.根据权利要求13所述的信号传递装置,其中,
15.根据权利要求14所述的信号传递装置,其中,
16.根据权利要求1~7中任一项所述的信号传递装置,其中,
17.根据权利要求16所述的信号传递装置,其中,
18.根据权利要求17所述的信号传递装置,其中,
19.根据权利要求18所述的信号传递装置,其中,
20.一种绝缘模块,具有: