导电性片材和切割芯片接合薄膜的制作方法

本发明涉及一种导电性片材和切割芯片接合薄膜。

背景技术：

1、以往，作为在半导体装置的制造中将半导体元件(半导体芯片)粘接于金属引线框等被粘物的方法(芯片接合法)，已知有使用导电性片材的方法(例如，下述专利文献1)。

2、下述专利文献1公开了一种包含导电性颗粒和热固性树脂的片材作为上述导电性片材。

3、另外，下述专利文献1中公开了如下情况：在将半导体元件(半导体芯片)安装于上述导电性片材的一个面的基础上，使上述导电性片材的另一个面抵接于金属引线框等被粘物之后，使上述导电性片材于特定温度(例如200℃)下热固化，使其粘接于金属引线框等被粘物来使用。

4、但是，近年来对半导体装置的高密度集成化的需求越来越高。

5、为了实现半导体装置的高密度集成化，需要使半导体元件(半导体芯片)的厚度变薄。

6、而且，由于半导体元件(半导体芯片)是通过刀片切割等对半导体晶圆进行切割而获得，因此，为了使半导体元件(半导体芯片)的厚度变薄，需要使半导体晶圆的厚度变薄。

7、然而，使半导体芯片的厚度越薄时，半导体晶圆越容易产生翘曲。

8、像这样，若半导体晶圆产生翘曲，则存在无法高精度地实施通过刀片切割等进行的半导体晶圆切割的问题。

9、为了解决这样的翘曲问题，已知使用以从外周缘起至几10mm的内侧部分残留为环状的方式进行机械研磨而制作的半导体晶圆(例如，taiko(注册商标)晶圆)(例如，下述专利文献2)。

10、如上所述的半导体晶圆具备环状部分，因此即使将与该环状部分相比更靠近内侧的部分研磨得较薄，也能够抑制该半导体晶圆产生翘曲。

11、需要说明的是，taiko(注册商标)晶圆在上述环状部分和与该环状部分相比更靠近内侧的部分之间形成有高低差部，该高低差部的最大高度通常为450μm左右，通过机械研磨所得的平板部分的厚度通常为20μm左右。

12、现有技术文献

13、专利文献

14、专利文献1：日本特开2019-21813号公报

15、专利文献2：日本特开2013-12690号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、但是，如上所述，如taiko(注册商标)晶圆这样的半导体晶圆在上述环状部分和与该环状部分相比更靠近内侧的部分之间形成有高低差部。

3、即，这样的半导体晶圆成为具有高低差部的半导体晶圆。

4、因此，在获得半导体元件(半导体芯片)时，存在如下情况：若将上述导电性片材安装于如上所述的具有高低差部的半导体晶圆，则上述导电性片材无法充分地追随高低差部。

5、在这样的情况下，在上述具有高低差部的半导体晶圆和上述导电性片材之间，有时从高低差部的端缘起朝向上述具有高低差部的半导体晶圆的中心会产生相对较大的空隙(从高低差的端缘起到与该端缘相距超过500μm的内侧为止所形成的空隙)。

6、像这样，若在上述具有高低差部的半导体晶圆与上述导电性片材之间产生相对较大的空隙，则会以该空隙为起点，在切割时等，上述导电性片材容易从上述具有高低差部的半导体晶圆剥离。

7、另外，在切割后，半导体元件(半导体芯片)与上述导电性片材之间产生空隙的情况下，这样的带导电性片材的半导体元件(半导体芯片)无法表现出足够的特性。

8、因此，若在上述具有高低差部的半导体晶圆与上述导电性片材之间产生相对较大的空隙，则还存在如下问题：能够将切割后所得的带导电性片材的半导体元件(半导体芯片)用作半导体装置的部件的比率下降，即，成品率下降。

9、然而，关于在安装至具有高低差部的半导体晶圆时能够充分地追随高低差部的导电性片材，很难说已经进行了充分的研究。

10、因此，本发明的课题在于提供一种在安装至具有高低差部的半导体晶圆时能够充分地追随高低差部的导电性片材、以及具备该导电性片材的切割芯片接合薄膜。

11、用于解决问题的方案

12、本发明的导电性片材包含粘结剂树脂和导电性颗粒，

13、所述导电性片材在70℃下的粘度为10kpa·s以上且10000kpa·s以下，

14、在70℃下的断裂伸长率为110％以上。

15、在所述导电性片材中，

16、优选所述导电性颗粒的含有比例为85质量％以上且97质量％以下。

17、在所述导电性片材中，

18、优选所述导电性颗粒包含选自由银颗粒、铜颗粒、氧化银颗粒以及氧化铜颗粒组成的组中的至少1种。

19、在所述导电性片材中，

20、优选所述粘结剂树脂包含热固性树脂。

21、在所述导电性片材中，

22、优选其还包含挥发起始温度为100℃以上的挥发成分。

23、本发明的切割芯片接合薄膜具备：

24、在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、和

25、层叠在所述切割带的所述粘合剂层上的导电性片材，

26、所述导电性片材为上述的任一导电性片材。

1.一种导电性片材，其包含粘结剂树脂和导电性颗粒，

2.根据权利要求1所述的导电性片材，其中，所述导电性颗粒的含有比例为85质量％以上且97质量％以下。

3.根据权利要求1或2所述的导电性片材，其中，所述导电性颗粒包含选自由银颗粒、铜颗粒、氧化银颗粒以及氧化铜颗粒组成的组中的至少1种。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的导电性片材，其中，所述粘结剂树脂包含热固性树脂。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的导电性片材，其还包含挥发起始温度为100℃以上的挥发成分。

6.一种切割芯片接合薄膜，其具备：