集成无源设备（IPD）部件和实现该部件的封装和处理的制作方法

本公开涉及集成无源设备(ipd)部件。本公开进一步涉及实现集成无源设备(ipd)部件的封装。本公开进一步涉及实现具有集成无源设备(ipd)部件的射频(rf)设备的射频(rf)封装。本公开进一步涉及实现具有集成无源设备(ipd)部件的rf设备的射频(rf)功率放大器晶体管封装。本公开进一步涉及制造集成无源设备(ipd)部件的处理。本公开进一步涉及制造实现集成无源设备(ipd)部件的封装的处理。本公开进一步涉及制造实现具有集成无源设备(ipd)部件的rf设备的rf封装的处理。本公开进一步涉及制造实现集成无源设备(ipd)部件的射频(rf)功率放大器晶体管封装的处理。

背景技术：

1、晶体管封装，诸如射频(rf)功率放大器晶体管封装，实现包括集成无源设备(ipd)部件的多个封装部件。通常，多个封装部件安装在衬底上，衬底布置和/或安装在晶体管封装内。

2、晶体管封装具有有限用于布置容纳多个部件的衬底的可用面积。此外，晶体管封装可以包括各种结构特征，进一步减少用于布置容纳多个封装部件的衬底的可用面积。此外，衬底通常实现为方形或矩形，其尺寸被设定为安装多个封装部件。这种有限的可用面积连同结构特征和方形或矩形的衬底一起低效地消耗封装内的可用面积，限制了包括附加封装部件、衬底等的能力。不能在晶体管封装中包括这种附加封装部件和/或衬底阻止了可以用于提高封装的性能、效率、功能等的附加封装部件、衬底等的实现方式。

3、因此，需要的是被配置为更高效地利用晶体管封装的可用面积的集成无源设备(ipd)部件、实现被配置为更高效地利用晶体管封装的可用面积的集成无源设备(ipd)部件的晶体管封装等。

技术实现思路

1、一个总体方面包括一种rf晶体管封装，包括：金属基座；安装在所述金属基座上的晶体管管芯；表面安装ipd部件，包括电介质衬底；安装在所述金属基座上的电介质衬底；并且电介质衬底包括以下中的一个：不规则形状、非方形形状和非矩形形状。

2、一个总体方面包括一种设备，该设备包括：表面安装ipd部件，包括电介质衬底；安装到所述表面安装ipd部件的至少一个表面安装设备；并且电介质衬底包括以下中的一个：不规则形状、非方形形状和非矩形形状，其中，表面安装ipd部件被配置为安装到晶体管封装的金属基座。

3、一个总体方面包括一种用于实现rf晶体管封装的处理，该处理包括：提供金属基座；将晶体管管芯安装在所述金属基座上；配置具有电介质衬底的表面安装ipd部件；将电介质衬底配置为以下中的一个：不规则形状、非方形形状和非矩形形状；以及将电介质衬底安装到所述金属基座。

4、通过考虑以下详细描述、附图和权利要求，本公开的额外特征、优点和方面可以阐述或显而易见。此外，应当理解，本公开的前述概述和以下详细描述都是示例性的，并且旨在提供进一步的解释，而不限制所要求保护的本公开的范围。

技术特征：

1.一种rf晶体管封装，包括，

2.根据权利要求1所述的rf晶体管封装，其中，所述电介质衬底包括多个线性侧和多个所述线性侧中的至少两个之间的连接表面。

3.根据权利要求2所述的rf晶体管封装，其中，所述连接表面由所述电介质衬底的切口部分来配置。

4.根据权利要求2所述的rf晶体管封装，其中，所述连接表面包括曲线形表面。

5.根据权利要求2所述的rf晶体管封装，其中，所述连接表面包括凹形表面。

6.根据权利要求2所述的rf晶体管封装，其中，所述连接表面包括部分圆形表面。

7.根据权利要求2所述的rf晶体管封装，其中，所述连接表面包括线性表面。

8.根据权利要求1所述的rf晶体管封装，其中，所述晶体管管芯包括一个或多个ldmos晶体管管芯。

9.根据权利要求1所述的rf晶体管封装，其中，所述晶体管管芯包括一个或多个基于gan的hemt。

10.根据权利要求1所述的rf晶体管封装，其中，所述rf晶体管封装包括多个所述晶体管管芯。

11.根据权利要求10所述的rf晶体管封装，其中，以doherty配置来配置多个所述晶体管管芯。

12.根据权利要求1所述的rf晶体管封装，其中，所述表面安装ipd部件包括安装到所述表面安装ipd部件的顶表面的表面安装设备。

13.根据权利要求12所述的rf晶体管封装，还包括至少一个引线接合，所述引线接合被配置为将所述表面安装设备电耦合到一个或多个金属接触件。

14.根据权利要求12所述的rf晶体管封装，其中，所述电介质衬底包括至少一个通孔，所述通孔被配置为在所述表面安装设备和所述金属基座之间进行电连接。

15.根据权利要求12所述的rf晶体管封装，其中，所述电介质衬底包括至少一个通孔，所述通孔被配置为在所述表面安装设备和所述晶体管管芯的源极之间进行电连接。

16.根据权利要求1所述的rf晶体管封装，还包括：

17.根据权利要求16所述的rf晶体管封装，其中，至少一个所述引线接合被配置为将所述表面安装设备电耦合到所述晶体管管芯。

18.根据权利要求16所述的rf晶体管封装，其中，所述表面安装设备包括陶瓷电容器。

19.根据权利要求16所述的rf晶体管封装，其中，所述表面安装设备包括电阻器。

20.一种设备，包括：

21.根据权利要求20所述的设备，其中，所述电介质衬底包括多个线性侧和多个所述线性侧中的至少两个之间的连接表面。

22.根据权利要求21所述的设备，其中，所述连接表面由所述电介质衬底的切口部分来配置。

23.根据权利要求21所述的设备，其中，所述连接表面包括曲线形表面。

24.根据权利要求21所述的设备，其中，所述连接表面包括凹形表面。

25.根据权利要求21所述的设备，其中，所述连接表面包括部分圆形表面。

26.根据权利要求21所述的设备，其中，所述连接表面包括线性表面。

27.根据权利要求20所述的设备，其中，所述表面安装ipd部件被配置为在包括晶体管管芯的晶体管封装中实现。

28.根据权利要求20所述的设备，其中，所述表面安装ipd部件被配置为在包括ldmos晶体管管芯的rf晶体管封装中实现。

29.根据权利要求20所述的设备，其中，所述表面安装ipd部件被配置为在包括基于gan的hemt的rf晶体管封装中实现。

30.根据权利要求20所述的设备，其中，所述表面安装ipd部件被配置为在包括多个晶体管的rf晶体管封装中实现。

31.根据权利要求30所述的设备，其中，以doherty配置来配置多个所述晶体管。

32.根据权利要求20所述的设备，其中，所述表面安装ipd部件包括安装到所述表面安装ipd部件的顶表面的多个表面安装设备。

33.根据权利要求20所述的设备，其中，所述电介质衬底包括至少一个通孔，所述通孔被配置为在所述表面安装设备和所述金属基座之间进行电连接。

34.根据权利要求20所述的设备，其中，所述电介质衬底包括至少一个通孔，所述通孔被配置为在表面安装设备和晶体管管芯的源极之间进行电连接。

35.根据权利要求20所述的设备，其中，所述表面安装设备包括陶瓷电容器。

36.根据权利要求20所述的设备，其中，所述表面安装设备包括电阻器。

37.根据权利要求20所述的设备，其中，至少一个引线接合被配置为将所述表面安装设备电耦合到在rf晶体管封装中实现的管芯。

38.根据权利要求20所述的设备，其中，至少一个引线接合被配置为将所述表面安装设备电耦合到一个或多个金属接触件。

39.一种用于实现rf晶体管封装的处理，包括，

40.根据权利要求39所述的处理，还包括将所述电介质衬底配置有多个线性侧和多个所述线性侧中的至少两个之间的连接表面。

41.根据权利要求40所述的处理，还包括由所述电介质衬底的切口部分来配置所述连接表面。

42.根据权利要求40所述的处理，还包括将所述连接表面配置有曲线形表面。

43.根据权利要求40所述的处理，还包括将所述连接表面配置有凹形表面。

44.根据权利要求40所述的处理，还包括将所述连接表面配置有部分圆形表面。

45.根据权利要求40所述的处理，还包括将所述连接表面配置有线性表面。

46.根据权利要求39所述的用于实现rf晶体管封装的处理，其中，所述晶体管管芯包括ldmos晶体管管芯。

47.根据权利要求39所述的用于实现rf晶体管封装的处理，其中，所述晶体管管芯包括基于gan的hemt。

48.根据权利要求39所述的用于实现rf晶体管封装的处理，还包括实现多个所述晶体管管芯。

49.根据权利要求48所述的用于实现rf晶体管封装的处理，还包括以doherty配置来实现多个所述晶体管管芯。

50.根据权利要求39所述的用于实现rf晶体管封装的处理，还包括：

51.根据权利要求50所述的用于实现rf晶体管封装的处理，还包括配置所述电介质衬底以布置至少一个通孔，以在多个所述表面安装设备中的至少一个和所述金属基座之间进行电连接。

52.根据权利要求50所述的用于实现rf晶体管封装的处理，还包括配置所述电介质衬底以布置至少一个通孔，所述通孔被配置为在多个所述表面安装设备中的至少一个和所述晶体管管芯的源极之间进行电连接。

53.根据权利要求50所述的用于实现rf晶体管封装的处理，还包括配置至少一个引线接合，以将多个所述表面安装设备中的至少一个电耦合到所述晶体管管芯。

54.根据权利要求50所述的用于实现rf晶体管封装的处理，还包括配置至少一个引线接合，以将多个所述表面安装设备中的至少一个电耦合到一个或多个金属接触件。

55.根据权利要求50所述的用于实现rf晶体管封装的处理，其中，多个所述表面安装设备中的至少一个包括陶瓷电容器。

56.根据权利要求50所述的用于实现rf晶体管封装的处理，其中，多个所述表面安装设备中的至少一个包括电阻器。

技术总结
一种晶体管封装，包括：金属基座；晶体管管芯，安装在所述金属基座上；表面安装IPD部件，包括电介质衬底；以及电介质衬底，安装在所述金属基座上。此外，电介质衬底包括以下中的一个：不规则形状、非方形形状和非矩形形状。

技术研发人员：余荣华,郑慧敏,甘国明,马尔温·马贝尔,张海东,亚历山大·康波斯
受保护的技术使用者：沃孚半导体公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1