静电卡盘的制作方法

本公开的实施方式涉及静电卡盘。

背景技术：

1、已知有用于对被实施等离子体处理的半导体晶圆等进行保持的静电卡盘(例如，参照专利文献1、2)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2003-197727号公报

5、专利文献2：日本特开2013-004900号公报

技术实现思路

1、实施方式的一方案的静电卡盘具备卡盘构件、基座构件、以及接合材料。接合材料位于所述卡盘构件与所述基座构件之间。所述接合材料含有聚酰亚胺。接合材料在从所述卡盘构件以及所述基座构件分离的中间部分具有空隙。

1.一种静电卡盘，其中，

2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，

3.根据权利要求1或2所述的静电卡盘，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的静电卡盘，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的静电卡盘，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的静电卡盘，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的静电卡盘，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的静电卡盘，其中，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的静电卡盘，其中，

10.根据权利要求1～9中任一项所述的静电卡盘，其中，

11.根据权利要求10所述的静电卡盘，其中，

12.根据权利要求1～11中任一项所述的静电卡盘，其中，

13.根据权利要求1～12中任一项所述的静电卡盘，其中，

14.根据权利要求1～13中任一项所述的静电卡盘，其中，

15.根据权利要求1～14中任一项所述的静电卡盘，其中，