导电层结构及发光装置的制作方法

本公开涉及一种导电层结构，并且涉及一种发光装置。

背景技术：

1、专利文献1公开了一种包括电容元件的半导体装置。电容元件包括下部电极、下部电极上的电介质膜、以及电介质膜上的上部电极。绝缘膜隔着粘合层形成在上部电极上，并且接触孔形成为在厚度方向上穿透粘合层和绝缘膜。作为绝缘膜，例如，使用氧化硅膜，并且粘合层包括例如ti。金属布线经由接触孔与上电极耦接。

2、引用列表

3、专利文献

4、专利文献1：日本未经审查专利申请公开第2003-324157号

技术实现思路

1、同时，当暴露于高温和高湿度环境时，包含在粘合层中的ti劣化并例如被氧化。ti氧化物是高电阻材料，增加电流路径的电阻。例如，在向发光装置供给电流的电极配置或布线配置中，电阻的增加可能导致驱动电压的增加或发光故障。为此，期望有效地抑制或防止由于在包括电极配置和布线配置的导电层结构中使用粘合层而导致的电流路径的电阻的增加。

2、根据本公开的第一实施方式的一种导电层结构包括第一导电层和第二导电层，该第二导电层隔着粘合层与该第一导电层电耦接。粘合层具有导电性，并且粘合层与第一导电层或第二导电层之间的粘合性比第一导电层和第二导电层之间的粘合性更高。第二导电层比粘合层更不易劣化，并且第二导电层覆盖粘合层的端面和上表面同时覆盖第一导电层的一部分。

3、根据本公开内容的第二实施方式的导电层结构包括第一导电层、第三导电层以及第二导电层。该第三导电层隔着粘合层与第一导电层电耦接、并且所述第二导电层与第三导电层电耦接。粘合层具有导电性，粘合层与第一导电层或第三导电层的粘合性比第一导电层和第三导电层之间的粘合性更高。第二导电层比粘合层更不易劣化，第二导电层覆盖粘合层的端面和上表面同时覆盖第一导电层的一部分。

4、根据本公开内容的第三实施方式的导电层结构包括第一导电层、第四导电层以及第二导电层，该第四导电层隔着绝缘体形成于第一导电层上，该第二导电层具有：隔着粘合层与第一导电层耦接的一端部、形成在绝缘体上的中间部、以及隔着粘合层形成在第四导电层上的另一端部。粘合层具有导电性，并且粘合层与第一导电层、第二导电层和第四导电层中的每一个之间的粘合性比第一导电层和第二导电层之间的粘合性或者第四导电层和第二导电层之间的粘合性更高。第二导电层比粘合层更不易劣化，第二导电层覆盖粘合层的端面和上表面同时覆盖第一导电层的一部分和第四导电层的一部分。

5、根据本公开的第四实施方式的发光装置包括发光元件和导电层结构，该导电层结构形成在发光元件中并且向发光元件提供电流。该导电层结构具有第一导电层和第二导电层，该第二导电层隔着粘合层与所述第一导电层电耦接。粘合层具有导电性，并且粘合层与第一导电层或第二导电层之间的粘合性比第一导电层和第二导电层之间的粘合性更高。第二导电层比粘合层更不易劣化，第二导电层覆盖粘合层的端面和上表面同时覆盖第一导电层的一部分。

技术特征：

1.一种导电层结构，包括：

2.根据权利要求1所述的导电层结构，其中，

3.根据权利要求1所述的导电层结构，其中，

4.根据权利要求1所述的导电层结构，其中，

5.根据权利要求1所述的导电层结构，其中，

6.根据权利要求5所述的导电层结构，其中，

7.根据权利要求1所述的导电层结构，其中，

8.一种导电层结构，包括：

9.根据权利要求8所述的导电层结构，其中，

10.根据权利要求8所述的导电层结构，其中，

11.一种导电层结构，包括：

12.根据权利要求11所述的导电层结构，其中，

13.一种发光装置，包括：

14.根据权利要求13所述的发光装置，其中，

技术总结
根据本发明，导电层结构包括第一导电层和第二导电层，第二导电层隔着粘合层与第一导电层电连接。粘合层是导电的，并且粘合层与第一导电层或第二导电层之间的粘合性比第一导电层和第二导电层之间的粘合性更高。第二导电层比粘合层不容易改变，第二导电层覆盖粘合层的端面和上表面，并且覆盖第一导电层的一部分。

技术研发人员：青柳秀和,铃木信一,丹野克晴,斋藤一成,田中隆之,八岛清孝,杉山卓,御友重吾,藤井贤太郎,中田英彦
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/31