发光元件用反射电极的制作方法

本发明涉及适合于发光元件用反射电极的层叠体。更具体而言，本发明涉及能够提高在深紫外区域具有发光波长的发光元件的光取出效率的层叠体。

背景技术：

1、紫外线发光元件(led)通过调整形成发光层的半导体的组成而能够产生短波长的光。例如，在使用algan半导体的情况下，通过调整al的组成比，从而能够使led在波长为210nm～365nm的范围(紫外～深紫外的区域)内进行发光。

2、为了实现紫外线led的高效率化，需要将发光层中产生的光高效地取出至led的外部。例如，考虑在光取出侧的电极使用期望波长区域内的透光率高的导电膜。另外，考虑在光取出侧的相反侧的电极使用以高反射率反射期望波长区域的光的电极。

3、例如，专利文献1中公开了氮化物半导体紫外发光元件，其通过使algan层的组成自高al组成变化为低al组成，从而兼顾载流子向发光层中的注入和光取出效率的提高。该发光元件中，作为反射电极，使用pd薄膜与al、ag等金属厚膜的层叠体。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2013-120829号公报

技术实现思路

1、然而，为了提高发光元件的输出功率，要求进一步提高光取出效率。

2、本发明的目的之一是提供能够提高在深紫外区域具有发光波长的发光元件的光取出效率的层叠体、该层叠体的制造方法和发光元件。

3、本发明人等经深入研究的结果发现：依次包含反射电极层、具有mgzno系组成的中间层、以及具有algan系组成的半导体层的层叠体能够提高在深紫外区域具有发光波长的发光元件的光取出效率，从而完成了本发明。

4、根据本发明，可提供以下的层叠体等。

5、1.层叠体，其依次包含反射电极层、具有mgzno系组成的中间层、以及具有algan系组成的半导体层。

6、2.根据1所述的层叠体，其中，前述反射电极层包含选自al、rh、mo、w和cr中的至少1种金属。

7、3.根据1或2所述的层叠体，其中，前述中间层包含镁氧化物和锌氧化物。

8、4.根据1～3中任一项所述的层叠体，其中，前述中间层所具有的mgzno系组成为mgxznyo(x为0.2～0.8、y为0.8～0.2)。

9、5.根据1～4中任一项所述的层叠体，其中，前述中间层的厚度为1～80nm。

10、6.制造1～5中任一项所述的层叠体的方法，其包括：

11、在前述半导体层上将前述中间层进行成膜。

12、7.根据6所述的制造方法，其中，通过溅射、分子束外延(mbe)法、真空蒸镀或离子镀而将前述中间层进行成膜。

13、8.根据6或7所述的制造方法，其中，在前述中间层成膜时的前述半导体层的表面温度为20℃以上且600℃以下。

14、9.根据6～8中任一项所述的制造方法，其中，在前述中间层成膜时的前述半导体层的表面温度为180℃以上且300℃以下。

15、10.根据6～9中任一项所述的制造方法，其包括：将成膜的前述中间层在600℃以上的温度下进行热处理。

16、11.发光元件，其包含1～5中任一项所述的层叠体。

17、12.根据11所述的发光元件，其包含：

18、依次包含基板、n型接触层、发光层和前述层叠体的层叠结构；以及

19、在未形成前述发光层的前述n型接触层上的局部形成的电极层。

20、13.根据11所述的发光元件，其具有：

21、依次包含基板、n型接触层、发光层、p型半导体层和电极层的层叠结构，

22、且在未形成前述发光层的n型接触层上的局部依次具有：具有mgzno系组成的中间层、以及反射电极层，

23、前述n型接触层的局部、具有mgzno系组成的中间层和反射电极层形成前述层叠体。

24、14.根据11所述的发光元件，其具有：

25、依次包含基板、n型接触层、发光层和前述层叠体的层叠结构，

26、且在未形成前述发光层的n型接触层上的局部依次具有：具有mgzno系组成的中间层、以及反射电极层，

27、前述n型接触层的局部、具有mgzno系组成的中间层和反射电极层形成前述层叠体。

28、15.根据12～14中任一项所述的发光元件，其中，在前述发光层与前述层叠体之间具有p型半导体层，前述p型半导体层与前述层叠体的半导体层形成隧道结结构。

29、根据本发明，可提供能够提高在深紫外区域具有发光波长的发光元件的光取出效率的层叠体、该层叠体的制造方法和发光元件。

1.层叠体，其依次包含：

2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述反射电极层包含选自al、rh、mo、w和cr中的至少1种金属。

3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述中间层包含镁氧化物和锌氧化物。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠体，其中，所述中间层所具有的mgzno系组成为mgxznyo，式中，x为0.2～0.8、y为0.8～0.2。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠体，其中，所述中间层的厚度为1～80nm。

6.制造权利要求1～5中任一项所述的层叠体的方法，其包括：

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，通过溅射、分子束外延(mbe)法、真空蒸镀或离子镀而将所述中间层进行成膜。

8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其中，在所述中间层成膜时的所述半导体层的表面温度为20℃以上且600℃以下。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的制造方法，其中，在所述中间层成膜时的所述半导体层的表面温度为180℃以上且300℃以下。

10.根据权利要求6～9中任一项所述的制造方法，其包括：将成膜的所述中间层在600℃以上的温度下进行热处理。

11.发光元件，其包含权利要求1～5中任一项所述的层叠体。

12.根据权利要求11所述的发光元件，其包含：

13.根据权利要求11所述的发光元件，其具有：

14.根据权利要求11所述的发光元件，其具有：

15.根据权利要求12～14中任一项所述的发光元件，其中，在所述发光层与所述层叠体之间具有p型半导体层，所述p型半导体层与所述层叠体的半导体层形成隧道结结构。