具有天线的扇出封装的制作方法

背景技术：

1、现代电子装置越来越多地支持高频通信功能。随着宽带蜂窝网络(5g)和物联网(iot)技术的第五代技术标准的日益普及，毫米波天线等天线不断需要更小的形状因数、紧密集成和更高频率。然而，在不断缩小的电子装置封装中并入合适的天线仍然是一个挑战。

技术实现思路

1、在一个方面中，一种电子装置包含裸片、封装结构和多层重新分布结构。所述裸片具有在正交的第一和第二方向的第一平面中延伸的侧面，以及沿着所述侧面延伸的导电端子。所述封装结构包围所述裸片的一部分。所述多层重新分布结构具有第一通孔、第一层级、第二通孔、第二层级和钝化材料。所述第一层级具有第一导电特征，所述第一导电特征包含在所述第一和第二方向的第二平面中的导电天线。所述第一通孔沿着正交于所述第一和第二方向的第三方向在所述导电天线与所述导电端子之间延伸。所述钝化材料在所述第一和第二层级之间延伸，并且所述第二通孔沿着所述第三方向在所述第一和第二层级之间延伸穿过所述钝化材料。所述第二层级具有第二导电特征，所述第二导电特征包含在第一和第二方向的第三平面中的导电反射器，并且所述第三平面沿着所述第三方向与所述第二平面间隔开。

2、在另一方面中，一种多层重新分布结构包含具有第一导电特征的第一层级，所述第一导电特征包含在第一方向和正交的第二方向的平面中的导电天线。所述多层重新分布结构还包含：第一通孔，其耦合到所述导电天线；第二层级，其具有第二导电特征，所述第二导电特征包含在所述第一和第二方向的另一平面中的导电反射器；以及钝化材料，其在所述第一和第二层级之间；以及第二通孔，其沿着正交于所述第一和第二方向的第三方向在所述第一和第二层级之间延伸穿过所述钝化材料。

3、在另一方面中，一种方法包含：形成封装结构，所述封装结构包围裸片的一部分并且沿着所述裸片的侧面暴露导电端子；以及在所述裸片的所述侧面上形成多层重新分布结构，其中所述多层重新分布结构具有第一通孔、第一层级、第二通孔、第二层级和钝化材料。所述第一层级具有第一导电特征，所述第一导电特征包含在所述第一和第二方向的第二平面中的导电天线，所述第一通孔沿着正交于所述第一和第二方向的第三方向在所述导电天线与所述导电端子之间延伸，所述钝化材料在所述第一和第二层级之间延伸，所述第二通孔沿着所述第三方向在所述第一和第二层级之间延伸穿过所述钝化材料，所述第二层级具有第二导电特征，所述第二导电特征包含在所述第一和第二方向的第三平面中的导电反射器，所述第二导电特征包含耦合到所述第二通孔的导电凸块下金属化(ubm)结构，并且所述第三平面沿着所述第三方向与所述第二平面间隔开。

技术特征：

1.一种电子装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中：所述电子装置进一步包括焊球；并且所述第二导电特征包含导电凸块下金属化(ubm)结构，其在所述第二通孔与所述焊球之间延伸穿过所述钝化材料。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中：

4.根据权利要求3所述的电子装置，其中：

5.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述ubm结构在所述裸片的横向外侧。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其中：

7.根据权利要求6所述的电子装置，其中：

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中：

9.根据权利要求8所述的电子装置，其中所述第一部分在所述第三平面中具有矩形形状。

10.根据权利要求8所述的电子装置，其中所述第一导电特征包含导电屏蔽件，所述导电屏蔽件在所述第二平面中平行于所述天线的所述第二部分延伸。

11.一种多层重新分布结构，其包括：

12.根据权利要求11所述的多层重新分布结构，其进一步包括焊球；其中所述第二导电特征包含导电凸块下金属化(ubm)结构，其在所述第二通孔与所述焊球之间延伸穿过所述钝化材料。

13.根据权利要求11所述的多层重新分布结构，其中：

14.根据权利要求11所述的多层重新分布结构，其中：

15.根据权利要求14所述的多层重新分布结构，其中所述第一部分在另一平面中具有矩形形状。

16.根据权利要求14所述的多层重新分布结构，其中所述第一导电特征包含导电屏蔽件，所述导电屏蔽件在所述平面中平行于所述天线的所述第二部分延伸。

17.一种制造电子装置的方法，所述方法包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中形成所述多层重新分布结构包含：

20.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述多层重新分布结构包含：

技术总结
电子装置(100)包含裸片(108)、封装结构(120)和多层重新分布结构(110)，所述多层重新分布结构具有第一通孔(111)、第一层级、第二通孔(113)、第二层级和钝化材料(119)。所述第一层级(111)具有导电天线(130)，所述第一通孔(111)在所述导电天线(130)与所述裸片(108)的导电端子(109)之间延伸，并且所述钝化材料(119)在所述第一和第二层级之间延伸。所述第二通孔(113)在所述第一和第二层级之间延伸穿过所述钝化材料(119)。所述第二层级具有导电反射器(138)。

技术研发人员：唐逸麒,R·M·穆卢干
受保护的技术使用者：德州仪器公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17