用于半导体的埋入式电源轨的制作方法

背景技术：

1、本发明总体上涉及半导体器件，并且更具体地涉及形成具有掩埋电源轨的半导体器件。

2、半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上顺序沉积材料的绝缘层或电介质层、导电层和半导体层，并使用光刻图案化各种不同材料层以在其上形成电路组件和元件来制造。由于各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的改进，半导体工业已经经历了快速增长。大部分情况下，集成密度的这种改进来自缩小半导体工艺节点。随着对小型化、更高速度、更大带宽、更低功耗和更低延迟的需求增加，芯片布局在半导体裸片的生产中变得更复杂和难以实现。

技术实现思路

1、根据实施例，提供了一种半导体结构。该半导体结构包括场效应晶体管(fet)，该fet具有源极/漏极、与该源极/漏极接触的接触件和包括导电材料的掩埋电源轨，其中，该掩埋电源轨与该接触件接触，其中，该掩埋电源轨的最靠近该接触件的第一部分具有第一厚度，并且其中，该掩埋电源轨的第二部分具有第二厚度，使得该第一厚度小于该第二厚度。

2、根据另实施例，提供了一种用于形成具有掩埋电源轨的半导体器件的方法。该方法包括：在衬底之上形成多个鳍；在多个鳍之上沉积第一共形电介质；在第一共形电介质之上沉积第二共形电介质以夹断所述多个鳍中的具有紧密节距的鳍，同时在鳍阵列之间留有间隔，使所述衬底凹陷以形成用于所述掩埋功率轨(bpr)的沟槽，在所述沟槽中外延生长牺牲材料，在所述牺牲材料之上形成浅沟槽隔离(sti)区域，形成前端制程(feol)结构、中间制程(mol)结构和后端制程(beol)结构以定义具有至少mol电源轨接触件的晶片结构，翻转所述晶片结构，将所述晶片结构安装到晶片载体，选择性地去除所述牺牲材料，形成侧壁间隔物，图案化所述mol电源轨接触件，以及形成到所述mol电源轨接触件的表示所述bpr的金属化。

3、根据又一实施例，提供了一种用于形成具有掩埋电源轨的半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底之上形成多个鳍；在所述衬底内外延生长牺牲硅锗(sige)；形成前端制程(feol)结构、中间制程(mol)结构和后端制程(beol)结构以定义具有至少mol电源轨接触件的晶片结构；翻转所述晶片结构；去除所述牺牲sige以形成沟槽；以及用导电材料填充所述沟槽中的至少一个，其表示到所述mol电源轨接触件的所述bpr。

4、应注意，参考不同的主题描述了示例性实施方式。具体地，参照方法类型权利要求描述了一些实施例，而参照装置类型权利要求描述了其他实施例。然而，从以上和以下描述中本领域的技术人员将理解，除非另外指出，否则除了属于一种类型的主题的特征的任何组合被认为是在本文档内描述了之外，涉及不同主题的特征之间(尤其是，方法类型权利要求的特征与装置类型权利要求的特征之间)的任何组合也被认为是在本文档内描述了。

5、从以下将结合附图阅读的对其说明性实施例的详细描述，这些和其他特征和优点将变得显而易见。

技术特征：

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述掩埋电源轨进一步包括金属衬垫。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述金属衬垫位于所述导电材料与所述接触件之间。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述fet相对于所述掩埋电源轨垂直偏移。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述掩埋电源轨具有不规则形状。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述掩埋电源轨的具有第一厚度的所述第一部分被限制在浅沟槽隔离(sti)区域之间。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述掩埋电源轨的具有第二厚度的第二部分被限制在隔离件之间。

8.一种用于形成掩埋电源轨的方法，所述方法包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述bpr具有不规则形状。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述bpr具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述bpr的具有所述第一厚度的所述第一部分直接接触所述mol电源轨接触件。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述牺牲材料是硅锗(sige)。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述bpr的侧壁与金属衬垫直接接触。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述金属衬垫在所述bpr与所述mol电源轨接触件之间提供界面。

15.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个鳍与所述bpr垂直偏移。

16.一种用于形成掩埋电源轨(bpr)的方法，所述方法包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述bpr具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述bpr的具有所述第一厚度的所述第一部分直接接触所述mol电源轨接触件。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述bpr的侧壁与金属衬垫直接接触。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述金属衬垫提供所述bpr与所述mol电源轨接触件之间的界面。

21.一种计算机程序，包括程序代码，当所述程序在计算机上运行时适于执行根据权利要求8至20中任一项所述的方法的步骤。

技术总结
一种半导体结构包括场效应晶体管(FET)，所述FET具有源极/漏极(36)、与所述源极/漏极(36)接触的接触件(40)和包括导电材料的掩埋电源轨(60)，其中所述掩埋电源轨(60)与所述接触件(40)接触，其中所述掩埋电源轨的最靠近所述接触件(40)的第一部分具有第一厚度，并且其中所述掩埋电源轨(60)的第二部分具有第二厚度，使得所述第一厚度小于所述第二厚度。

技术研发人员：程慷果,J·福罗吉尔,谢瑞龙,C·帕克
受保护的技术使用者：国际商业机器公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/29