本发明涉及芯片腐蚀,尤其涉及一种用于芯片的腐蚀装置及腐蚀方法。
背景技术:
1、近年来,碲镉汞红外焦平面技术已跨入了一个新的阶段,转入以大规模、多色、单光子的红外焦平面为特征的第三代技术,这要求碲镉汞的外延材料需具有大面积及低缺陷密度的特点。目前,碲锌镉作为制约碲镉汞外延材料位错密度的重要材料,仍是科学家的重点关注对象。
2、为了增加红外探测器的光电转换效率,需要在钝化前引入碲锌镉衬底的减薄工艺,以增加芯片表面的平整度与洁净度。腐蚀是芯片减薄工艺过程中非常重要的一个环节,它可有效去除碲锌镉衬底层,并对碲镉汞层产生较小的影响,决定了后续工艺的成品率。
3、目前,针对碲锌镉基芯片的腐蚀工序,工艺人员常用镊子逐个夹取芯片在多种腐蚀液中反复浸泡;人工操作方式将提高芯片的损坏概率,致使工艺效率降低。此外,目前针对碲锌镉基芯片的商用腐蚀设备多为水平喷淋的腐蚀方式,此方式腐蚀效率低,且腐蚀后芯片表面缺陷难以控制,可靠性差。
技术实现思路
1、本发明要解决的技术问题是提高芯片腐蚀减薄工艺的便利性,本发明提出一种用于芯片的腐蚀装置及腐蚀方法。
2、根据本发明实施例的用于芯片的腐蚀装置,包括:
3、腐蚀瓶,盛有腐蚀液;
4、芯片载板,设于所述腐蚀瓶内,所述芯片载板设有多个位置槽,待腐蚀芯片真空吸附固定于对应的所述位置槽;
5、真空泵,与所述位置槽的真空吸孔连通,用于对所述真空吸孔抽气,以固定所述位置槽中对应的待腐蚀芯片。
6、根据本发明的一些实施例,所述腐蚀装置还包括:
7、抽滤瓶,连接于所述真空吸孔和所述真空泵之间。
8、在本发明的一些实施例中,所述芯片载板为多个,多个芯片载板间通过连接手柄连接,所述连接手柄穿设有真空管,各所述芯片载板的真空吸孔通过所述真空管与所述真空泵连通。
9、根据本发明的一些实施例,所述芯片载板垂直放置于所述腐蚀瓶内,以使所述待腐蚀芯片垂直设于所述腐蚀瓶内。
10、在本发明的一些实施例中,所述真空吸孔处包裹有抗腐蚀材质的胶套。
11、根据本发明的一些实施例,所述腐蚀瓶设有注液孔,用于注入腐蚀液。
12、在本发明的一些实施例中,所述注液孔设于所述腐蚀瓶的瓶盖,所述腐蚀瓶具有适配所述注液孔的瓶塞。
13、根据本发明的一些实施例,所述腐蚀装置用于碲锌镉芯片的碲锌镉衬底的腐蚀去除。
14、根据本发明实施例的芯片的腐蚀方法,所述芯片的腐蚀方法采用如上所述的用于芯片的腐蚀装置进行芯片的腐蚀工艺。
15、根据本发明的一些实施例,所述方法包括:
16、s100,将待腐蚀芯片用镊子夹至芯片载板的位置槽中;
17、s200,运行真空泵,使芯片牢牢吸附在芯片位置槽中;
18、s300,将芯片载板放入腐蚀瓶中,盖好瓶盖;
19、s400,通过注液孔向腐蚀瓶中注入相应的腐蚀液;
20、s500,使用瓶塞将注液孔封住;
21、s600,旋转连接芯片载板的连接手柄;
22、s700,腐蚀结束,取出芯片,根据工艺需求更换不同腐蚀液的腐蚀瓶,重复步骤s100-s600,直至达到腐蚀工艺标准。
23、本发明具有如下有益效果:
24、实现碲锌镉基芯片的批量腐蚀,大幅提高工作效率;能够有效地减少芯片夹取次数,减低损坏概率,提高成品率;所采用的腐蚀装置及技术成本低廉,操作简单;芯片以竖直的方式浸入腐蚀液中可有效降低腐蚀后芯片表面腐蚀印记的产生概率。
1.一种用于芯片的腐蚀装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的用于芯片的腐蚀装置,其特征在于,所述腐蚀装置还包括:
3.根据权利要求1所述的用于芯片的腐蚀装置,其特征在于,所述芯片载板为多个,多个芯片载板间通过连接手柄连接,所述连接手柄穿设有真空管,各所述芯片载板的真空吸孔通过所述真空管与所述真空泵连通。
4.根据权利要求1所述的用于芯片的腐蚀装置,其特征在于,所述芯片载板垂直放置于所述腐蚀瓶内,以使所述待腐蚀芯片垂直设于所述腐蚀瓶内。
5.根据权利要求1所述的用于芯片的腐蚀装置,其特征在于,所述真空吸孔处包裹有抗腐蚀材质的胶套。
6.根据权利要求1所述的用于芯片的腐蚀装置,其特征在于,所述腐蚀瓶设有注液孔,用于注入腐蚀液。
7.根据权利要求6所述的用于芯片的腐蚀装置,其特征在于,所述注液孔设于所述腐蚀瓶的瓶盖,所述腐蚀瓶具有适配所述注液孔的瓶塞。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的用于芯片的腐蚀装置,其特征在于,所述腐蚀装置用于碲锌镉芯片的碲锌镉衬底的腐蚀去除。
9.一种芯片的腐蚀方法,其特征在于,所述芯片的腐蚀方法采用如权利要求1-8中任一项所述的用于芯片的腐蚀装置进行芯片的腐蚀工艺。
10.根据权利要求9所述的芯片的腐蚀方法,其特征在于,所述方法包括: