本发明的实施方式涉及一种半导体装置及半导体存储装置。
背景技术：
1、在氧化物半导体层形成通道的氧化物半导体晶体管具备断开动作时的通道漏电流极小的优异特性。因此，例如，能将氧化物半导体晶体管应用于动态随机存取存储器(dram：dynamic random access memory)的存储单元的开关晶体管。
技术实现思路
1、实施方式的半导体装置具备：第1电极，包含金属氧化物；第2电极，包含金属氧化物；氧化物半导体层，设置在所述第1电极与所述第2电极之间；栅极电极，包围所述氧化物半导体层；栅极绝缘层，设置在所述栅极电极与所述氧化物半导体层之间，包含硅(si)及氮(n)；第1绝缘层，设置在所述第1电极与所述栅极电极之间；第2绝缘层，设置在所述第2电极与所述栅极电极之间；第1导电层，与所述第1电极中和所述氧化物半导体层相反侧的面相接，包含选自由金属、金属氮化物及金属碳化物所组成的群的至少一个导电体；第2导电层，与所述第2电极中和所述氧化物半导体层相反侧的面相接，包含选自由金属、金属氮化物及金属碳化物所组成的群的至少一个导电体；第1层，在与从所述第1电极朝向所述第2电极的第1方向垂直的第1剖面中包围所述第1电极，与所述第1导电层相接，包含选自由氧化铝、氧化镁、氧化镓、氧化锗、氧化钇、氧化锆、氧化镧、氧化铪、氧化钽、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅及氮氧化铝所组成的群的至少一个绝缘体、或者选自由金属、金属氮化物及金属碳化物所组成的群的至少一个导电体；第2层，在与所述第1方向垂直的第2剖面中包围所述第2电极，与所述第2导电层相接，包含选自由氧化铝、氧化镁、氧化镓、氧化锗、氧化钇、氧化锆、氧化镧、氧化铪、氧化钽、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅及氮氧化铝所组成的群的至少一个绝缘体、或者选自由金属、金属氮化物及金属碳化物所组成的群的至少一个导电体；第3绝缘层，设置在所述第1电极与所述第1绝缘层之间，与所述栅极绝缘层及所述第1层相接，包含选自由氧化铝、氧化镁、氧化镓、氧化锗、氧化钇、氧化锆、氧化镧、氧化铪、氧化钽、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅及氮氧化铝所组成的群的至少一个绝缘体；及第4绝缘层，设置在所述第2电极与所述第2绝缘层之间，与所述栅极绝缘层及所述第2层相接，包含选自由氧化铝、氧化镁、氧化镓、氧化锗、氧化钇、氧化锆、氧化镧、氧化铪、氧化钽、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅及氮氧化铝所组成的群的至少一个绝缘体。
2、根据本实施方式，能提供一种晶体管特性优异的半导体装置。
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1电极中包含的所述金属氧化物及所述第2电极中包含的所述金属氧化物包含铟(in)及锡(sn)。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1导电层及所述第2导电层包含钛(ti)及氮(n)。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1层包含钛(ti)及氮(n)。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1层包含与所述第1导电层相同的材料，所述第1导电层及所述第1层包含钛(ti)及氮(n)。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第3绝缘层及所述第4绝缘层包含硅(si)及氮(n)。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅极绝缘层包含：第1膜，所述第1膜包含硅(si)及氧(o)；及第2膜，所述第2膜设置在所述第1膜与所述栅极电极之间且包含硅(si)及氮(n)。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第2膜与所述第3绝缘层及所述第4绝缘层相接。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其还具备：与所述第2导电层中和所述第2电极相反侧的面相接的金属层。
10.一种半导体存储装置，其具备：
11.一种半导体装置，其具备：
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中在所述第4绝缘层与所述氧化物半导体层之间设置所述第2电极。
13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第1电极中包含的所述金属氧化物及所述第2电极中包含的所述金属氧化物包含铟(in)及锡(sn)。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第1导电层及所述第2导电层包含钛(ti)及氮(n)。
15.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第1层包含钛(ti)及氮(n)。
16.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第1层包含与所述第1导电层相同的材料，所述第1导电层及所述第1层包含钛(ti)及氮(n)。
17.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第3绝缘层及所述第4绝缘层包含硅(si)及氮(n)。
18.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述栅极绝缘层包含：第1膜，所述第1膜包含硅(si)及氧(o)；及第2膜，所述第2膜设置在所述第1膜与所述栅极电极之间且包含硅(si)及氮(n)。
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中所述第2膜与所述第3绝缘层及所述第4绝缘层相接。
20.一种半导体存储装置，其具备：
21.一种半导体装置，其具备：
22.根据权利要求21所述的半导体装置，其中所述第1电极中包含的所述金属氧化物及所述第2电极中包含的所述金属氧化物包含铟(in)及锡(sn)。
23.根据权利要求21所述的半导体装置，其中所述第1导电层及所述第2导电层包含钛(ti)及氮(n)。
24.根据权利要求21所述的半导体装置，其中所述第1层包含钛(ti)及氮(n)。
25.根据权利要求21所述的半导体装置，其中所述第1层包含与所述第1导电层相同的材料，所述第1导电层及所述第1层包含钛(ti)及氮(n)。
26.根据权利要求21所述的半导体装置，其中所述第3绝缘层包含硅(si)及氮(n)。
27.根据权利要求21所述的半导体装置，其中所述栅极绝缘层包含：第1膜，所述第1膜包含硅(si)及氧(o)；及第2膜，所述第2膜设置在所述第1膜与所述栅极电极之间且包含硅(si)及氮(n)。
28.根据权利要求27所述的半导体装置，其中所述第2膜与所述第3绝缘层及所述第2导电层相接。
29.根据权利要求21所述的半导体装置，其还具备：与所述第2导电层中和所述第2电极相反侧的面相接。
30.一种半导体存储装置，其具备：