形成封装结构及管芯的方法与流程

本公开实施例涉及一种形成封装结构及管芯的方法。

背景技术：

1、由于各种电子组件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续提高，半导体行业已经历快速成长。在很大程度上，集成密度的此种提高来自于最小特征尺寸(minimum feature size)的持续减小，此使得更多较小的组件能够集成到给定区域中。这些较小的电子组件也需要与先前的封装件相比利用较小面积的较小的封装件。半导体组件的一些较小类型的封装件包括方形扁平封装件(quad flat package，qfp)、引脚栅阵列(pin grid array，pga)封装件、球栅阵列(ball grid array，bga)封装件等等。

2、当前，集成扇出型封装件因其紧凑性而正变得日渐流行。

技术实现思路

1、本公开实施例提供形成封装结构的方法，其特征在于，包括以下步骤。形成管芯，包括形成所述连接件包括以下步骤。在衬底之上形成第一接垫与第二接垫。形成钝化层，以覆盖所述第一接垫的一部分及所述第二接垫的一部分。形成连接件，所述连接件穿过所述钝化层并电连接到所述第一接垫及所述第二接垫，其中所述连接件从所述第一接垫之上延伸至覆盖位于所述第一接垫与所述第二接垫之间的所述钝化层的一部分，并连续延伸至所述第二接垫之上，形成所述连接件形成所述连接件包括以下步骤。在所述第一接垫、所述钝化层的所述一部分及所述第二接垫上形成晶种层，其中所述晶种层包括第一晶种子层以及位于所述第一晶种子层上的第二晶种子层。在所述晶种层上形成具有开口的图案化的掩模层，其中所述晶种层的所述第一晶种子层与所述第二晶种子层为未图案化层，介于所述图案化的掩模层和所述第一接垫之间，介于所述图案化的掩模层和所述钝化层的所述一部分之间以及介于所述图案化的掩模层和述第二接垫之间。在所述图案化的掩模层的所述开口中形成导电柱。在所述导电柱上形成测试接垫。移除所述图案化的掩模层。执行第一刻蚀工艺以移除未被所述导电柱覆盖的所述晶种层，留下的所述第一晶种子层的第一宽度小于所述导电柱的第一宽度。通过所述测试接垫执行电测试。执行第二刻蚀工艺以移除所述测试接垫，其中所述导电柱在所述第二刻蚀工艺期间被消耗，使得所述晶种层的基脚部侧向突出于所述导电柱的侧壁，其中所述晶种层包括所述第一晶种子层以及位于所述第一晶种子层与所述导电柱之间的所述第二晶种子层，且所述晶种层的边缘包括台阶状结构，且其中所述第二晶种子层的材料与所述第一晶种子层的材料不同且与所述导电柱的材料相同。在所述管芯侧边形成包封体，以包封且接触所述管芯的所述衬底和所述钝化层的侧壁。在所述管芯及所述包封体上形成重布线层结构。形成导电端子，所述导电端子经由所述重布线层结构电连接到所述管芯。

2、本公开实施例提供一种形成管芯的方法，其特征在于，包括以下步骤。在衬底之上形成接垫。形成钝化层，以覆盖所述接垫的一部分。形成连接件，所述连接件穿过所述钝化层并电连接到所述接垫，形成所述连接件以下步骤。在所述接垫、所述钝化层的所述一部分上形成晶种层，其中所述晶种层包括第一晶种子层以及位于所述第一晶种子层上的第二晶种子层。形成具有开口的图案化的掩模层，其中所述晶种层的所述第一晶种子与所述第二晶种子层为未图案化层且覆盖所述钝化层，且所述晶种层的所述第一晶种子与所述第二晶种子层分隔所述钝化层与所述图案化的掩模层。在所述图案化的掩模层的所述开口中形成导电柱。在所述导电柱上形成测试接垫。移除所述图案化的掩模层。执行第一刻蚀工艺以移除未被所述导电柱覆盖的所述晶种层，留下的所述第一晶种子层的第一宽度小于所述导电柱的第一宽度。通过所述测试接垫执行电测试。执行第二刻蚀工艺以移除所述测试接垫，其中所述导电柱在所述刻蚀工艺期间被消耗，使得所述晶种层的基脚部侧向突出于所述导电柱的侧壁，其中所述晶种层包括所述第一晶种子层以及位于所述第一晶种子层与所述导电柱之间的所述第二晶种子层，且所述晶种层的边缘包括台阶状结构。

3、本公开实施例提供一种形成管芯的方法，其特征在于，包括以下步骤。在衬底之上形成接垫。形成钝化层，以覆盖所述接垫的一部分。形成连接件，所述连接件穿过所述钝化层并电连接到所述接垫，形成所述连接件包括以下步骤。在所述接垫、所述钝化层的所述一部分上形成晶种层，其中所述晶种层包括第一晶种子层以及位于所述第一晶种子层上的第二晶种子层。形成具有开口的图案化的掩模层，其中所述晶种层的所述第一晶种子与所述第二晶种子层为未图案化层且覆盖所述钝化层，且所述晶种层的所述第一晶种子与所述第二晶种子层分隔所述钝化层与所述图案化的掩模层。在所述图案化的掩模层的所述开口中形成导电柱。在所述导电柱上形成测试接垫。移除所述图案化的掩模层。执行第一刻蚀工艺以移除未被所述导电柱覆盖的所述晶种层，在所述导电柱下方形成底切。通过所述测试接垫执行电测试。执行第二刻蚀工艺以移除所述测试接垫以及部分所述导电柱，使得所留下的所述导电柱的宽度缩小，其中所述晶种层的基脚部侧向突出于所述导电柱的侧壁。所述晶种层包括所述第一晶种子层以及位于所述第一晶种子层与所述导电柱之间的所述第二晶种子层，且所述晶种层的边缘包括台阶状结构。

技术特征：

1.一种形成封装结构的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法，其特征在于，在所述第二刻蚀工艺期间，所述测试接垫对所述导电柱的刻蚀选择比小于所述测试接垫对所述晶种层的刻蚀选择比，在所述第二刻蚀工艺期间，从所述导电柱的侧壁消耗所述导电柱。

3.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法，其特征在于，其中所述包封体接触所述导电柱的侧壁以及所述台阶状结构的顶面与侧壁。

6.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法，其特征在于，还包括形成保护层，所述保护层位于所述衬底之上且覆盖所述连接件的所述导电柱的侧壁以及所述晶种层的所述基脚部的侧壁与顶面，其中所述包封体接触所述保护层的侧壁。

7.一种形成管芯的方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的形成管芯的方法，其特征在于，还包括形成保护层，所述保护层位于所述衬底之上且覆盖所述连接件的所述导电柱的侧壁以及所述晶种层的所述基脚部的侧壁与顶面，所述保护层包含低温聚酰亚胺或高温聚苯并恶唑。

9.根据权利要求7所述的形成管芯的方法，其特征在于，在执行所述第一刻蚀工艺之前，所述钝化层被所述第一晶种子层以及第二晶种子层覆盖，未裸露出来。

10.一种形成管芯的方法，其特征在于，包括：

技术总结
本公开实施例提供一种形成封装结构的方法，包括形成管芯，在管芯侧边形成包封体，以包封且接触管芯的衬底和钝化层的侧壁。形成管芯包括形成第一接垫与第二接垫、钝化层以及连接件。形成连接件包括形成晶种层。晶种层包括第一晶种子层以及位于第一晶种子层上的第二晶种子层。执行第一刻蚀工艺以移除未被导电柱覆盖的晶种层，留下晶种层的第一晶种子层的第一宽度小于导电柱的第一宽度。执行第二刻蚀工艺以移除测试接垫，其中导电柱在第二刻蚀工艺期间被消耗，使得晶种层的基脚部侧向突出于导电柱的侧壁。

技术研发人员：陈威宇,苏安治,叶德强,曾华伟,黄立贤,叶名世
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12