一种半导体器件、阵列基板、显示面板和显示装置的制作方法

文档序号:34242739发布日期:2023-05-25 01:07阅读:39来源:国知局
一种半导体器件、阵列基板、显示面板和显示装置的制作方法

本发明涉及显示,具体涉及一种半导体器件、阵列基板、显示面板和显示装置。


背景技术:

1、oled(organic light-emitting diode,有机发光二极管)显示面板发展至今,获取更大的显示区域仍是研究的一大重点。但是显示面板为了实现发光,需要设置一些必须的驱动结构,比如设置栅极驱动电路,这就使得显示面板产生了边框,而如何实现边框的窄化成为了一大难点。


技术实现思路

1、本发明公开一种半导体器件、阵列基板、显示面板和显示装置,以进一步实现窄边框。

2、第一方面,本发明公开了一种半导体器件,包括层叠设置的有源层、栅极绝缘层和至少一个栅极;所述有源层包括至少一个沟道区、源区和漏区,所述源区和所述漏区相对设置在所述沟道区的两侧;所述栅极和所述沟道区相对设置在所述栅极绝缘层的两侧,所述栅极包括相连接的第一栅极部和第二栅极部,所述第一栅极部沿第一方向延伸,所述第二栅极部沿第二方向延伸,所述第一方向和所述第二方向相交。

3、可选地,所述至少一个栅极包括多个栅极,所述多个栅极电连接,所述至少一个沟道区包括多个沟道区,所述多个沟道区与所述多个栅极一一对应设置,各所述沟道区的两侧分别设置所述源区和所述漏区。

4、可选地,所述多个沟道区沿所述第一方向排列;并且,相邻的两个所述沟道区包括第一沟道区和第二沟道区,所述第一沟道区对应的源区至少部分复用为所述第二沟道区对应的源区,或者,所述第一沟道区对应的漏区至少部分复用为所述第二沟道区对应的漏区。

5、可选地,相邻的两个所述沟道区包括第一沟道区和第二沟道区,所述第一沟道区的外侧被所述第二沟道区围绕;所述第一沟道区对应的源区复用为所述第二沟道区对应的源区,或者,其中所述第一沟道区对应的漏区复用为所述第二沟道区对应的漏区;优选的,所述多个沟道区嵌套排列。

6、可选地,所述栅极还包括第三栅极部,所述第三栅极部沿第三方向延伸,所述第三方向与所述第一方向相同或相交,所述第三栅极部与所述第二栅极部相连接。

7、可选地,所述第一栅极部与所述第二栅极部的夹角为锐角。

8、第二方面,本发明公开了一种阵列基板,包括如上任一项所述的半导体器件。

9、可选地,所述阵列基板包括主体区和围绕所述主体区的边框区,所述边框区包括所述半导体器件;

10、可选地,所述半导体器件在第一方向上的尺寸小于所述半导体器件在第二方向上的尺寸,所述第一方向为所述边框区的宽度方向,所述第二方向为所述边框区的长度方向。

11、第三方面,本发明公开了一种显示面板,包括如上所述的阵列基板;

12、可选地,所述显示面板包括显示区和非显示区,所述非显示区包括所述阵列基板的边框区。

13、第四方面,本发明公开了一种显示装置,包括如上所述的显示面板。

14、本发明公开的半导体器件、阵列基板、显示面板和显示装置,半导体器件包括层叠设置的有源层、栅极绝缘层和至少一个栅极,有源层包括至少一个沟道区、源区和漏区,源区和漏区相对设置在沟道区的两侧,栅极和沟道区相对设置在栅极绝缘层的两侧,栅极包括相连接的第一栅极部和第二栅极部,第一栅极部沿第一方向延伸,第二栅极部沿第二方向延伸,第一方向和第二方向相交,从而可以通过增设第二方向上的第二栅极部的长度,来减小第一方向上的栅极尺寸,进而减小栅极整体在第一方向上的占用尺寸范围,其中,第一方向可以对应应用该半导体器件的边框区的宽度方向,进而可以进一步减小半导体器件如薄膜晶体管在第一方向即边框区宽度方向上的占用尺寸范围,进一步实现边框区的窄化。



技术特征:

1.一种半导体器件,其特征在于,包括层叠设置的有源层、栅极绝缘层和至少一个栅极;

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述至少一个栅极包括多个栅极,所述多个栅极电连接,所述至少一个沟道区包括多个沟道区,所述多个沟道区与所述多个栅极一一对应设置,各所述沟道区的两侧分别设置所述源区和所述漏区。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述多个沟道区沿所述第一方向排列;

4.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,相邻的两个所述沟道区包括第一沟道区和第二沟道区,所述第一沟道区的外侧被所述第二沟道区围绕;

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述栅极还包括第三栅极部,所述第三栅极部沿第三方向延伸,所述第三方向与所述第一方向相同或相交,所述第三栅极部与所述第二栅极部相连接。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第一栅极部与所述第二栅极部的夹角为锐角。

7.一种阵列基板,其特征在于,包括权利要求1~6中任一项所述的半导体器件。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括主体区和围绕所述主体区的边框区,所述边框区包括所述半导体器件;

9.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求7或8所述的阵列基板;

10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的显示面板。


技术总结
本公开了一种半导体器件、阵列基板、显示面板和显示装置,半导体器件包括层叠设置的有源层、栅极绝缘层和至少一个栅极,有源层包括至少一个沟道区、源区和漏区,源区和漏区相对设置在沟道区的两侧,栅极和沟道区相对设置在栅极绝缘层的两侧,栅极包括相连接的第一栅极部和第二栅极部,第一栅极部沿第一方向延伸,第二栅极部沿第二方向延伸,第一方向和第二方向相交,从而可以通过增设第二方向上的第二栅极部,来减小第一方向上占用尺寸,其中,第一方向可以是边框区的宽度方向,进而可以进一步减小半导体器件在第一方向即边框区宽度方向上的长度,进一步实现边框区的窄化。

技术研发人员:张少虎,陈方,秦旭,许传志
受保护的技术使用者:昆山国显光电有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/12
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