电连接器的制造工艺的制作方法

文档序号:34362737发布日期:2023-06-04 18:11阅读:41来源:国知局
电连接器的制造工艺的制作方法

本发明属于电连接器,具体涉及电连接器的制造工艺。


背景技术:

1、计算机通常通过各种各样的电连接器与周边电子设备进行物理连接。常见的电连接器就是电连接器的一种,电连接器一般用于应用于移动、视听、汽车电子、多媒体、电器等各类,已经在各类外部设备中广泛的被采用。

2、现有的电连接器一般由铁壳、一次成型半成品、一体式端子三个零件组成,现有的产品结构简单,共面度差,只能满足dp1.4规格要求,且传输速低,无法满足dp2.1规格高频要求。

3、因此,针对上述技术问题,有必要提供电连接器的制造工艺。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供电连接器的制造工艺,以解决上述的问题。

2、为了实现上述目的,本发明一实施例提供了一种电连接器的制造工艺,包括以下步骤:

3、s1、电连接器的组成部件包括上排端子、上半绝缘体、预备下排端子、下半绝缘体、接地片和壳体,首先将电连接器的组成部件进行预备;

4、s2、将上排端子和上半绝缘进行组装,得到上半成品;

5、s3、将下排端子和下半绝缘进行组装,得到下半成品;

6、s4、将获得的上半成品和下半成品均去除头部料带;

7、s5、将经s4步骤后的下半成品与接地片组装;

8、s6、将经过s5步骤后的下半成品与经过s4步骤后的上半成品组装获得组装半成品,将组装半成品进行二次组装后获得半成品;

9、s7、使用切除装置对半成品接地片料带和端子焊脚料带进行切除;

10、s8、将经过s7步骤后的半成品与壳体进行组装后获得成品。

11、作为本发明的进一步改进,所述上排端子和上半绝缘体、下排端子和下半绝缘体均为注塑成型。

12、作为本发明的进一步改进,所述半成品为注塑成型。

13、作为本发明的进一步改进,所述壳体为金属壳体。

14、作为本发明的进一步改进,所述上半成品的尾部开设有多个凹槽。

15、作为本发明的进一步改进,所述下半成品上设置有与上半成品相匹配的凸块。

16、作为本发明的进一步改进,所述上半成品和下半成品均开设有多个通孔。

17、作为本发明的进一步改进,所述切除装置包括底座,所述底座的上端固定连接有支架,所述支架上设置有切除组件。

18、作为本发明的进一步改进,所述底座上开设有放置槽,所述放置槽内滑动连接有集屑盒。

19、作为本发明的进一步改进,所述底座的上端设置有与切除组件相匹配的放置台,所述放置台的两侧分别固定连接有凸条,所述底座的上端还开设有第一漏屑孔和第二漏屑孔。

20、与现有技术相比,本发明具有以下优点:本发明通过上端子和下端子料带铆压在一起,上端子和下端子注塑一体成型,同时对料带进行切除,避免上端子和下端子共面度不良的情况;本发明还能够提高传输速度,满足dp2.1规格高频要求。



技术特征:

1.电连接器的制造工艺,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的电连接器的制造工艺,其特征在于,所述上排端子和上半绝缘体、下排端子和下半绝缘体均为注塑成型。

3.根据权利要求1所述的电连接器的制造工艺,其特征在于,所述半成品为注塑成型。

4.根据权利要求1所述的电连接器的制造工艺,其特征在于,所述壳体为金属壳体。

5.根据权利要求1所述的电连接器的制造工艺,其特征在于,所述上半成品的尾部开设有多个凹槽。

6.根据权利要求1所述的电连接器的制造工艺,其特征在于,所述下半成品上设置有与上半成品相匹配的凸块。

7.根据权利要求1所述的电连接器的制造工艺,其特征在于,所述上半成品和下半成品均开设有多个通孔。

8.根据权利要求1所述的电连接器的制造工艺,其特征在于,所述切除装置包括底座,所述底座的上端固定连接有支架,所述支架上设置有切除组件。

9.根据权利要求8所述的电连接器的制造工艺,其特征在于,所述底座上开设有放置槽,所述放置槽内滑动连接有集屑盒。

10.根据权利要求8或9所述的电连接器的制造工艺,其特征在于,所述底座的上端设置有与切除组件相匹配的放置台,所述放置台的两侧分别固定连接有凸条,所述底座的上端还开设有第一漏屑孔和第二漏屑孔。


技术总结
本发明揭示了电连接器的制造工艺,属于电连接器技术领域,包括以下步骤:S1、电连接器的组成部件包括上排端子、上半绝缘体、预备下排端子、下半绝缘体、接地片和壳体,S2、将上排端子和上半绝缘进行组装,得到上半成品;S3、将下排端子和下半绝缘进行组装,得到下半成品;S4、将获得的上半成品和下半成品均去除头部料带;S5、将经S4步骤后的下半成品与接地片组装;S6、将经过S5步骤后的下半成品与经过S4步骤后的上半成品组装获得组装半成品。本发明通过上端子和下端子料带铆压在一起,上端子和下端子注塑一体成型,同时对料带进行切除,避免上端子和下端子共面度不良的情况;还能够提高传输速度,满足DP2.1规格高频要求。

技术研发人员:曹昊
受保护的技术使用者:安徽鸿崎电子技术有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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